PCIM Europe欧洲电力电子系统及元器件展-碳化硅部分

德国纽伦堡—2022年5月10日-12日,一年一度的PCIM Europe盛大开幕，PCIM Europe即欧洲电力电子系统及元器件展,是电力电子、智能运动、可再生能源和能源管理领域最具影响力的博览会,也是全球最大的功率半导体展会,继连续两年举办线上展会后,于今年终于回归线下。

碳化硅

Qorvo 扩展了其 1,200-V 产品系列，并将其第 4 代 SiC FET 技术扩展到更高电压的应用。新型 UF4C/SC 系列 1,200-V 第 4 代 SiC FET 非常适合 EV 车载充电器、工业电池充电器、工业电源、 DC/DC 太阳能逆变器、焊机、不间断电源和感应加热应用。UnitedSiC(现为 Qorvo)工程副总裁 Anup Bhalla 告诉 Power Electronics News，“在大流行期间，我们完成并开始发布我们的第 4 代技术，我们来到 PCIM 介绍我们的 1,200-V 第 4 代技术。 ”

关于未来，Bhalla 说：“尽管发生了大流行，但 SiC 在过去一两年里确实起飞了。但业务增长如此之快的事实意味着，无论我们之前进行什么技术开发，这将变得更加重要，并且可能会加快。”

PCIM Europe 2022 以一系列有趣的行业突破拉开帷幕，其中包括英飞凌最新的 SiC MOSFET 产品组合。为了提高每台逆变器的额定功率并降低系统成本，开发人员越来越多地将 1,500V 直流链路集成到他们的应用中。另一方面，基于 1,500 V DC 的系统存在重大设计问题，例如在高 DC 电压下快速切换，需要多级拓扑。结果，出现了具有大量零件的复杂设计。英飞凌科技股份公司扩大了其 CoolSiC 产品组合，包括高压解决方案，为下一代太阳能、电动汽车充电和储能系统铺平了道路。

Onsemi 在其展位上展示了 SiC 的制造过程。展位上挤满了 Onsemi 最新技术的现场演示，展示了它如何在电动汽车、储能领域开发市场领先的解决方案、智能电源等。令人兴奋的演示包括与慕尼黑工业大学联合开发的学生方程式赛车和电动滑板车。最新(第七代)1,200-V FS7 IGBT 与上一代相比正向偏置电压降低了 20%，大大提高了电机控制应用的效率和功率密度。

罗姆宣布了其欧洲和全球业务活动、战略和 SiC 投资计划。Rohm 的新电源创新之一是其第四代 SiC MOSFET：它在不牺牲短路耐用性的情况下实现了高达 50% 的开关损耗降低和 40% 的导通电阻降低。最重要的是，最新一代提供更灵活的栅极电压范围 (15–18 V) 并支持 0 V 关断，从而可以使用具有单极电源的简单栅极驱动电路。Rohm 凭借其 150-V GaN HEMT、GNE10xxTB 系列 (GNE1040TB) 进入 GaN 市场，该系列将栅极耐压(额定栅极-源极电压)提高到行业领先的 8 V — 非常适合应用于电源电路工业设备，例如基站和数据中心，以及物联网通信设备。

在 Wolfspeed 的展位上，SiC 是主要话题，纽约工厂的开业旨在扩大 Wolfspeed 的制造能力，以满足汽车和工业应用对 SiC 器件日益增长的需求。Wolfspeed 电源产品高级总监 Guy Moxey 指出 200 毫米衬底对于 SiC 的下一次飞跃的重要性。200 毫米晶圆厂将有助于引领整个行业从硅基半导体到 SiC 基半导体的过渡。

此外，电动汽车充电和电源转换技术的领导者 Rhombus Energy Solutions 宣布，Wolfspeed 将为其 EV2flexTM 系列充电基础设施产品提供 SiC MOSFET，这将为产品提供更高的效率、更高的功率密度和更快的充电时间。Rhombus 的 EV2flexTM 基础设施包括一系列产品，可实现快速、双向充电和高效储能。车辆到电网充电支持电网和汽车之间的电力流动，允许充电车辆在需要时成为电源，并最终增强电网的稳定性。

Apex Microtechnology 继续开发具有集成 SiC MOSFET 技术的器件系列，从而提高性能和功率密度。与硅相比，SiC 具有多项优势，例如其相对于温度和电流水平的导通电阻较低。低 R DS(on)导致更好的电流对电压性能和更低的开关损耗。尽管与硅相比，SiC 的成本更高，但其降低的热负载、更简单的冷却和更高的可靠性弥补了这一缺点。

从这些考虑出发，Apex——一家为广泛的工业、测试和测量、医疗、航空航天、半电容和军事应用提供功率模拟单片、混合和开放框架组件的供应商——开发了利用这些特性的新产品碳化硅。这些产品包括集成栅极驱动器的半桥开关模块 SA110 和集成栅极驱动器的三相功率开关模块 SA310。这家总部位于亚利桑那州的公司最近发布了 SA111，这是一种基于 SiC 的大功率半桥模块，可在紧凑的专有 PQ 封装中提供高水平的功率密度。