300亿美元！三星将把中国全行业三年投入一年之内砸出去

在2017年之前，全行业的资本支出总额不超过700亿美元，2017年三星狂赌存储器，其半导体支出飙升到242亿美元，带动存储器厂商掀起又一轮投资狂潮，最终带动全球半导体支出在2017年创出956亿美元新高，比2016年多出278亿美元，半导体设备厂商赚到盆满钵满

1月4日，据中国台湾媒体报道，台积电将2021年资本支出上调至200亿美元以上——可能会达到220亿美元。而1月9日，据日经亚洲评论报道，三星电子2021年将在半导体业务投资300亿美元以上。如果计划最终实现，那将是台积电资本支出首次超过200亿美元，也是三星电子在半导体上首次投资超过300亿美元，标志着半导体行业领先者的金元轰炸提升到一个新级别。

300亿美元是什么概念？进入二十一世纪以来，有两年全行业资本支出不到300亿美元，分别是2002年和2009年，2003年全行业支出也仅有313亿美元。也许你会说这些数据都太久远，但实际上，在2017年之前，全行业的资本支出总额不超过700亿美元，2017年三星狂赌存储器，其半导体支出飙升到242亿美元，带动存储器厂商掀起又一轮投资狂潮，最终带动全球半导体支出在2017年创出956亿美元新高，比2016年多出278亿美元，半导体设备厂商赚到盆满钵满。

另一组数据也很有意思。2017年至2019年中国所有半导体厂商资本支出为308亿美元，2019年中国境内半导体公司（含外资公司）生产的芯片总值为227亿美元。也就是说，三星一年投入顶中国厂商三年投入总和，中国一年所有产出的芯片销售额加起来不够三星一年的资本支出。而大基金二期总金额为290亿美元，也不到300亿美元。

三星和台积电的疯狂投入，还有可能让他们拉开与英特尔在制造工艺上的差距。先看三家2019年的资本支出。三星最高，达到192亿美元，英特尔次之，资本支出为162亿美元，台积电第三，也有149亿美元。2020年三星在半导体上花了265亿美元，台积电也花了170亿，英特尔的数据还没有出来，但前三个季度都比2019年同比下降，三个季度总支出为103.92亿美元，不出意外的话，2020年全年资本支出应该在150亿美元之内。

2017年之前，这三家在半导体支出上大体接近，2017年三星开始冲刺，但三星投入中包含大量存储器设备投入，单纯逻辑工艺投入上，三星和台积电并没有领先英特尔多少。但这两年来，英特尔工艺开发遇到难题，时不时传出英特尔要加大生产外包的消息，如果真的加大外包比例，预示着至少2021年，英特尔资本支出可能会在150亿美元以下，从而第一次被台积电资本支出拉开50亿美元以上。

这对英特尔而言是非常危险的信号，先进工艺的竞争一直是淘汰赛，一旦投入跟不上就要被市场淘汰。130纳米工艺节点全球有近30个玩家，到28纳米时仅剩10个玩家，其余厂商因为跟不上如此高强度的投资节奏而放弃先进工艺研究，伴随格芯（GlobalFoundries）和联电（UMC）宣布放弃先进工艺研发，现在愿意在先进工艺上做投入的只有四个厂商，即台积电、三星、英特尔和中芯国际。

目前来看，主要以IDM模式为主的英特尔，在先进工艺投入上已经遇到困难。台积电和中芯国际是纯代工模式，成本可以向多家客户摊销，三星除了有庞大的存储器产线，其代工规模也仅次于台积电。英特尔目前只能自己承担先进工艺研发，如今量产遇阻，无米下锅，前期投入不能收回，也不敢加大投入只去扩充10纳米产能，这就异常窘迫，不投入就可能被拉开差距，但这么高昂的投入始终见不到效果，就算英特尔也吃不消。

从英特尔2020年的资本支出来看，将来找台积电或者三星进行大规模外包并非不可能——当然英特尔还会保留相当程度的自产比例，比如超过50%，一旦自产比例过低，那么英特尔将难以维持在先进工艺上的投入，最终在先进工艺上只有走向无晶圆这条路。