你了解MOSFET驱动电路吗？2款常见的MOSFET驱动电路分享

今天，小编将在这篇文章中为大家带来MOSFET驱动电路的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对它具备清晰的认识，主要内容如下。

一、MOSFET驱动电路

MOSFET驱动电路‌是一种专门用于驱动大功率负载的电路，它能够接受控制器的控制信号，并且具有足够的功率来驱动负载。这种电路设计的目的在于解决控制芯片发出的控制信号输出功率有限的问题，使其只能驱动极小功率的负载。为了能让控制芯片控制大功率负载（比如电机、电磁铁等），我们需要设计一个转换电路，由这个电路驱动负载，而控制芯片则负责指挥这个电路。这种电路就是驱动电路，它可以接受控制器的控制信号，并且具有足够的功率来驱动负载。

在MOSFET驱动电路的设计中，使用三极管只能设计出较小输出功率（能承受的电流较小，这里是物理限制，承载大电流容易烧毁）的驱动电路，还有三极管的开关速度有限，所以开关损耗较高。相比之下，使用MOSFET设计驱动电路是更完美的选择，因为它可以承载更大的电流和更快的开关速度，从而降低开关损耗。MOSFET的工作原理基于场效应，通过改变MOSFET的栅源电压和源漏电压来控制其导通或截止，从而实现电流的控制。

二、2款常见的MOSFET驱动电路

1、驱动电路加速MOS管关断时间

关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放，保证开关管能快速关断。为使栅源极间电容电压的快速泄放，常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管，如上图所示，其中D1常用的是快恢复二极管。这使关断时间减小，同时减小关断时的损耗。Rg2是防止关断的时电流过大，把电源IC给烧掉。

在第二点介绍的图腾柱电路也有加快关断作用。当电源IC的驱动能力足够时，可以加速MOS管关断时间，得到如上图所示电路。用三极管来泄放栅源极间电容电压是比较常见的。如果Q1的发射极没有电阻，当PNP三极管导通时，栅源极间电容短接，达到最短时间内把电荷放完，最大限度减小关断时的交叉损耗。上图拓扑设计，还有一个好处，就是栅源极间电容上的电荷泄放时电流不经过电源IC，提高了可靠性。

2、驱动电路加速MOS管关断时间

为了满足如上图所示高端MOS管的驱动，经常会采用变压器驱动，有时为了满足安全隔离也使用变压器驱动。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的电感与C1形成LC振荡，C1的目的是隔开直流，通过交流，同时也能防止磁芯饱和。

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