继晶圆代工龙头台积电 (2330) 南科 14厂第5期于上月动土、投入20 奈米产能布建后,联电 (2303) Fab 12A第5、6期厂房的动土典礼,也于今(24日)在南科举行。联电董事长洪嘉聪指出,Fab 12A第5、6期厂房将再投入80亿美元
联电 (2303)今(24日)举行南科 Fab 12A第5、6期厂房的动土典礼,为先进制程扩产再往前迈进一步。联电执行长孙世伟也于今日表示,对半导体业景气展望乐观,预计日前法说会提出的第二季财测可望顺利达标,而第二季营收也
联电(2303) Fab 12A第5、6期厂房动土典礼,于今(24日)在南科举行。负责联电12吋晶圆厂营运的资深副总颜博文指出,Fab 12A今日动土的的第5、6期厂房,投资金额约为80亿美元,主要是为因应客户强在先进製程的强劲需求,
日本读卖新闻于24日报导,微控制器( MCU )大厂瑞萨为降低生产成本,将把车用、家电用晶片代工业务委托给台积电 (2330)。对此台积电表示,瑞萨原本就是台积电的客户,而且双方合作已有一段时间,不过关于目前合作项目
摘要:为了滤除信号中掺杂的高频噪声,设计一种六阶级联式开关电容低通滤波器,以数据采样技术代替传统有源RC滤波器中的大电阻,有利于电路的大规模集成。滤波器由双二阶子电路级联而成,电路中的电容值利用动态定标
摘要:自动增益控制电路是接收机模块中的关键控制电路之一,其作用是改善接收杌的动态范围。具体分析了自动增益控制电路的工作原理以及AGC的分类方式。为了设计宽带大动态的AGC电路,分析了可变增益ADL5330和对数放大
摘要:以TI公司生产的集成运放THS4271为基础搭建实验测试电路,在定义的条件下实验,分别测量了运放的输入失调电压UIO,输入失调电流IIO,共模抑制比CMRR,开环差模放大倍数AUd等主要参数。同时对测量的数据对应的相
21ic讯 ANADIGICS, Inc.是全球首屈一指的射频 (RF) 解决方案供应商。该公司今日宣布开始为华为技术有限公司(Huawei Technologies Co., Ltd.)的荣耀 (Honor) 智能手机批量供应AWT6621第四代低功耗高效率 (HELP™
致力于用硅MEMS解决方案从根本上改变6亿美元时钟市场的模拟半导体公司SiTime Corporation日前宣布,赛灵思Virtex-7 FPGA、Kintex-7 FPGA和Zynq-7000 EPP评估套件已采用SiTime的可编程高性能MEMS振荡器。赛灵思采用Si
逆向工程分析公司 Chipworks 稍早前公布英特尔(Intel) 22nm Ivy Bridge处理器的剖面图,从中可见英特尔称为叁闸极(tri-gate)电晶体的FinFET元件,从剖面图看来,它实际上是几乎呈现三角形的梯形。这颗被解剖的IC
隔直电容通常串接在一个差分链路的每根数据线上,它有很多用途。例如,它可以转换一个信号的平均直流偏置电平,以适合于不同电压标准的逻辑器件。它可以保护发射器、接收器,使之免受因上电序列不良而出现破坏性过载
摘要:为了模拟深海高压环境,研制了一套深海环境模拟试验装置,在对深海环境模拟装置控制系统结构原理分析的基础上,提出了一种针对压力的阔环控制策略,采用以Atmega8L单片机为核心的主控电路、以ECN30206为核心的
英特尔与NVIDIA一直在内核大容量并行信息处理技术(parallelcomputing)领域进行着激烈的竞争,特别是市场对云计算、低耗能产品的需求越来越高,两家芯片巨头都在努力提高技术研发水平,希望获得更多的市场份额和消费者
MarketWatch引述读卖新闻(Yomiuri Shimbun)报导,全球最大汽车微控制器( MCU )厂瑞萨电子(Renesas Electronics Corp.)为降低制造成本,将与台积电 (2330)携手合作。读卖24日这篇报导并未引述消息来源,仅表示台积电将
台积电昨日股价重挫,主因外资圈传出第三季营收成长率恐低于市场预期(成长两位数)消息,瑞银证券亚太区半导体首??席分析师程正桦指出,台积电产能从3月起就开始满载,在第二季产能利用率高达100%的情况下,第三季