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金、铜线封装价差拉大 低阶产品快速往铜制程靠拢
黄金期货价格续攀新高，一度挑战历史新高价位，而铜价则处于档震温格局。对封装业而言，铜价相对稳定，金价持续飙升，将影响封装毛利，预期金线和铜线封装价格差异幅度拉大，从过去15%将拉大到25%；同时，金涨铜稳的
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惠瑞捷与LTX-Credence宣布合并提升系统级芯片测试市占率
惠瑞捷(Verigy)与LTX-Credence Corporation于11月18日宣布双方进入最后合并协议。合并后的半导体测试公司规模及能见度都将大为提升，提供涵盖各主要半导体市场不同区隔客户完整的解决方案。惠瑞捷将为合并后续存公司
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惠瑞捷和LTX-Credence合并案
根据惠瑞捷(Verigy)和LTX-Credence协议条款，双方合并案的生效方案分别为重整(惠瑞捷和LTX-Credence皆成为Holdco拥有的新成立子公司)，或是合并(LTX-Credence成为惠瑞捷独家拥有的子公司)。LTX-Credence股东的换股比
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保利协鑫朱共山：明年上半硅晶圆仍供不应求
大陆多晶硅暨硅晶圆龙头厂保利协鑫(GCL)总裁朱共山7日表示，太阳能产业供应链的成本下降快速，足以负担各国政府补助下砍的冲击，预估2011年全球仍有200亿瓦的需求规模，但呼吁各国政府在下砍补助之际，能考虑让相关的
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Cymer发布EUV光源技术路线图 将继续拓展OLED领域
光源对于光刻机的重要性不言而喻，没有光源的匹配，一切图形成像都无从谈起。从1986年开始，Cymer正式进入半导体产业，目前已有超过3500套光源安装在世界各地的光刻设备上。Cymer所占的市场份额已近70%，俨然已成为世
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IEK：明年全球封测代工市场将成长9.3%
IEK产业经济与趋势研究中心预估，2011年全球封测委外代工市场将成长9.3%，其中测试与封装的产值将分别为62.76亿美元、194.02亿美元，年增率分别为15%、7.52%。若单就台湾封测业来看，则有6.5%的成长幅度，略低于全球
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Fab产能扩充重回正轨：年增长8%
Fab资产投入2011年将增长18%，但新Fab的建设前景不确定。根据最新版“全球Fab预测”，SEMI预测2010年和2011年Fab装机容量年增长8%，2012年增长9%。这一预测是根据各Fab公布的产能扩充计划和有关Fab的投资计划分析而得
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2010年全球前十大晶圆代工厂 大中华业者占4席
根据DIGITIMES Research分析师柴焕欣分析， 2010年全球前十大晶圆代工厂商排名中，台积电(TSMC)、联电(UMC)以全年营收132.3亿美元与38.6亿美元，分别拿下第一名与第二名，中芯(SMIC)则以15.5亿美元全年营收，居于第四
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MEMS再传捷报 ST获中国手机龙头订单
随著白牌、山寨手机相继导入微机电系统(MEMS)元件后，可望激励中国大陆MEMS市场规模急速扩张，不少MEMS业者早已摩拳擦掌，竞相分食中国大陆手机市场大饼，日前，MEMS元件大厂意法半导体(ST)即已证实取得中国大陆手机
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补货效应减 联电营收走跌
晶圆代工大厂联电（2303）昨（8）日公布11月营收达104.4亿元，较10月减少2.43％，比去年同期增加14.03％。法人指出，欧美市场旺季前的补货效应已出现递减，联电11月份12吋厂虽然仍维持满载，但8吋厂产能利用率已开始
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11月营收 联电微减 守住百亿
晶圆二哥联电（2303）11月营收较上月衰退2.43%，达104.4亿元，是连续第二个月下滑，12月营收虽继续走低，仍可守在百亿元，整季营收季减幅可望在4%之内，淡季不淡。 经济日报／提供 晶圆代工第四季因12寸先进制
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三星与IBM相继发布200GHz以上截止频率的石墨烯FET
在“IEDM 2010”开幕当天举行的研讨会上，韩国三星尖端技术研究所（SAIT）与美国IBM相继发布了截止频率突破200GHz的石墨烯FET。两公司均计划将其应用于高频RF元件。 SAIT总裁Kinam Kim上午发表了主题演讲，介绍了
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三星主题演讲:通过导入新技术，硅CMOS可延长至10nm以下工艺
“硅CMOS技术完全可以扩展至10nm以下。如果能够充分导入三维NAND闪存技术、可变电阻式存储器（ReRAM）以及EUV曝光技术等新构造、新材料和新工艺，硅CMOS技术将继续保持其主导地位”。 半导体制造技术国际会议“2
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业界最高Q值,工作电压1.8V的MEMS共振器由松下与IMEC共同开发
松下与比利时IMEC宣布，共同开发了共振锐度Q值为“业界最高水平”（截止到2010年12月7日）的低电压驱动MEMS共振器。部分开发技术已在 “2010 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2010）”（2010年1
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英特尔发表多栅极型产品，在III-V族沟道FET一马当先
美国英特尔和美国IQE共同开发出了多栅极构造的III-V族半导体沟道FET（演讲编号：6.1）。提高了沟道控制性，与平面构造的III-V族半导体沟道FET相比，S因子及DIBL（Drain Induced Barrier Lowering，漏极感应势垒降低）
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