“硅CMOS技术完全可以扩展至10nm以下。如果能够充分导入三维NAND闪存技术、可变电阻式存储器(ReRAM)以及EUV曝光技术等新构造、新材料和新工艺,硅CMOS技术将继续保持其主导地位”。 半导体制造技术国际会议“2
松下与比利时IMEC宣布,共同开发了共振锐度Q值为“业界最高水平”(截止到2010年12月7日)的低电压驱动MEMS共振器。部分开发技术已在 “2010 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM 2010)”(2010年1
美国英特尔和美国IQE共同开发出了多栅极构造的III-V族半导体沟道FET(演讲编号:6.1)。提高了沟道控制性,与平面构造的III-V族半导体沟道FET相比,S因子及DIBL(Drain Induced Barrier Lowering,漏极感应势垒降低)
2010年进入尾声,伴随着行业的喜怒哀乐之事,晶圆代工产业即将翻过厚厚的一沓日记。 根据DIGITIMES Research分析师柴焕欣分析,2010年全球前十大晶圆代工厂商排名中,台积电以全年营收132.3亿美元的成绩高高在上仍是
今年以来,金价飙涨创下历史新高,让十年前即有的铜制程技术再度受到青睐,并且在台系封测厂日月光(2311)、矽品(2325)相继导入下而发光发热,现在就连外商的态度也转趋积极,希望可以追赶上台系封测厂的脚步。新加坡
意法半导体(ST)日前最新推出的微机电系统(MEMS)LPS001WP,该压力感测器成功实现智慧型手机以及其它可携式装置能够确定所在位置的海拔高度变化。该元件采用创新的感测技术,能够精确地测量压力和海拔高度,适用于
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列的固钽贴片电容器 --- 592W。稳定耐用的592W电容器专门针对无线调制解调器中的脉冲工作模式而设计,在6.3V~10V电压范围内,具有330μF~2200μF的高容值,3
摘要:低通滤波器是直接数字频率合成DDS的重要组成部分,其性能的好坏直接影响整个DDS的特性。提出一种基于DDS的椭圆函数低通滤波器的设计方案,该设计采用全新的归一化方法,并使用EDA软件Multisim2001进行仿真,确
IC封测厂矽格(6257)自结十一月份合并营业收入为新台币3.92亿元,较上月减少0.1%,比较去年同期成长2.6%。累计今年前十一月之营业额为新台币44.97亿,比较去年同期增加34%。 矽格表示,十一月国内外客户订单几乎
在与微细化同为半导体制造重要课题的大口径化方面,在“SEMICON Japan 2010”(2010年12月1~3日,幕张Messe会展中心)上450mm晶圆的搬运机器人及晶圆盒等相关展品的数量超过了预期。一直关注该领域的多名记者均表示
在半导体制造技术相关国际会议“2010 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM 2010)”开幕前一天的2010年12月5日(日),举行了一场以“15nm CMOS Technology”为题的短讲座。在最尖端逻辑LSI方面,美国
根据DIGITIMES Research分析师柴焕欣分析, 2010年全球前十大晶圆代工厂商排名中,台积电(TSMC)、联电(UMC)以全年营收132.3亿美元与38.6亿美元,分别拿下第一名与第二名,中芯(SMIC)则以15.5亿美元全年营收,居于第四
IIC-China 2011春季展将于2011年3月份在深圳(2月24-26日)、上海(3月2-4日)二地开展。本网站在开展前期对众多参展商做了问卷采访,以了解各参展商的参展情况、参展新产品、新技术以及新年期待。下面是采访详情。公司介
IIC-China 2011春季展将于2011年3月份在深圳(2月24-26日)、上海(3月2-4日)二地开展。本网站在开展前期对众多参展商做了问卷采访,以了解各参展商的参展情况、参展新产品、新技术以及新年期待。下面是采访详情。公司介
工研院(IEK)产业分析师陈玲君指出,中国大陆IC封测技术已往高阶制程移动,其实力不容小觑,尤其中国江苏长电在2009年正式挤进全球前十大封测厂,也有越来越多国际记忆体IDM逐步与中国合作,可以看出来,中国本土IC封