解析：中芯国际各制程技术节点

 中芯国际近两年发展迅猛，其在2016年营收更是达到29亿美元，同比上升30.3%，增长强劲。

2016年，中芯国际通过对市场的精准判断，不断扩大投资布局。入股长电科技、收购意大利LFoundry、分别在上海深圳和天津启动新12英寸生产线和8英寸生产线产能扩充项目……这一些列动都为中芯国际的未来发展夯实了基础。

那么，作为中国大陆最大的晶圆代工厂商，中芯国际在制程技术上到底有哪些布局和产品组合呢?

下表是中芯国际各个技术节点的技术布局，从表中可以看出中芯国际能够提供0.35微米到28纳米晶圆代工与技术服务。

事实上，中芯国际是世界上为数不多的几个可以提供完整的从成熟制程到先进制程的晶圆制造解决方案的纯晶圆代工厂之一。中芯国际0.35微米到28纳米工艺制程都已进入量产，而且14纳米FinFET工艺正在研发中。

下面是中芯国际各制程技术节点的详细情况：

先进技术产品

28纳米：中芯国际的28纳米技术包含传统的多晶硅(PolySiON)和后闸极的高介电常数金属闸极(HKMG)制程，于2013年第四季度推出，2015年良率方面取得了重大突破，成功为客户制造出低功耗、高性能的手机处理器芯片。2015年第四季度，中芯国际宣布28纳米进入量产阶段并开始贡献营收。

45/40纳米：中芯国际是中国大陆第一家提供40纳米技术的晶圆厂，其40纳米标准逻辑制程提供低功耗(LL)器件平台，核心组件电压1.1V，涵盖三种不同阈值电压，以及输入/输出组件1.8V、2.5V和3.3V电压以满足不同的设计要求。40纳米逻辑制程结合了最先进的浸入式光刻技术、应力技术、超浅结技术以及超低介电常数金属间介质。

65/55纳米：中芯国际的65/55纳米工艺制程平台可以广泛支持包含逻辑、混合信号、射频、BCD、NOR闪存、eFlash和CIS在内的多种IC产品。2014年，中芯国际成为全球第一家可以为智能卡和SIM卡提供55纳米嵌入式闪存(eFlash)解决方案的专业晶圆代工厂，并且在2014年第四季度实现量产。

成熟技术产品

90纳米：中芯国际的300毫米晶圆厂已有多个90纳米工艺的产品进入大规模的生产，中芯国际拥有丰富的制程开发经验，可向全球客户提供先进的90纳米技术。中芯国际的90纳米制程采用Low-k材质的铜互连技术，生产高性能的元器件。利用先进的12英寸生产线进行90纳米工艺的生产能确保成本的优化，为客户未来技术的提升提供附加的资源。

0.13-0.11微米：中芯国际的0.13微米制程采用全铜制程技术，可在达到高性能设备的同时，实现成本的优化。0.13微米技术工艺使用8层金属层宽度仅为0.08微米的门电路，能够制作核心电压为1.2V以及输入/输出电压为2.5V或3.3V的组件。中芯国际的低电压和低漏电制程产品已在广泛生产中。

0.18微米：中芯国际0.18微米工艺技术包括逻辑、混合信号/射频、高压、电可擦除只读存储器以及一次可编程技术等，这些技术均有广泛的单元库和智能模块支持。中芯国际在0.18微米技术节点上可提供低成本、经验证的智能卡、消费电子产品以及其它广泛的应用类产品，也在嵌入式内存、混合信号及CMOS射频电路等应用方面为客户提供了灵活性的解决方案及模拟。

0.35-0.25微米：中芯国际提供0.25微米逻辑电路以及3.3V/5V应用的混合信号/射频CMOS和成本优化及通过验证的0.35微米工艺解决方案，可应用于智能卡、消费性产品以及其它多个领域。

SPOCULL特殊工艺：SPOCULLTM是中芯国际的重要特殊工艺。SPOCULL代表SMICPoly Contact for Ultra Low Leakage。SPOCULLTM包括95纳米高压工艺和95纳米超低功耗工艺两个技术平台，分别针对高性能模拟/射频产品和超低功耗的微控制芯片。95纳米高压工艺主要用于显示驱动器IC，95纳米超低功耗工艺用于物联网相关领域。