新思科技PrimeLib统一库表征和验证解决方案获三星5nm、4nm和3nm工艺认证

基于该解决方案，双方共同客户可将汽车、AI、高性能计算和5G芯片设计上市时间缩短5倍并实现黄金质量签核库

加利福尼亚州山景城2021年11月3日 /美通社/ -- 新思科技（Synopsys, Inc., 纳斯达克股票代码：SNPS）近日宣布，三星晶圆厂（以下简称为“三星”）已在5nm、4nm和3nm工艺技术中认证了新思科技的PrimeLib™统一库表征和验证解决方案，可满足高性能计算（HPC）、5G、汽车、超连接、航空航天、以及人工智能（AI）芯片等下一代设计的高级计算需求。此次认证还包括对PrimeSim™ Continuum的验证，PrimeSim™ Continuum为新思科技Custom Design Platform和嵌入PrimeLib解决方案中的集成仿真器技术提供了基础，能够为开发者提供无缝仿真体验，协助其实现黄金质量签核。

工艺节点每演进一步就会带来3倍的计算需求增长，库表征的复杂性也随之显著增加。PrimeLib解决方案的关键特性在于在超低电压角之下，先进机器学习（ML）算法和自适应流生成准确统计变化模型的速度比前几代快了近5倍，同时还可降低整体计算成本。这项下一代解决方案还包括针对多PVT表征的创新性SmartScaling技术，可基于新思科技PrimeTime®扩展引擎，以最小表征角即时实现库生成。

三星晶圆厂副总裁Sangyun Kim表示：“我们致力于为客户提供最具创新性的技术解决方案，以应对5nm及以下工艺设计和复杂建模日益艰巨的挑战。新思科技PrimeLib库表征和验证解决方案让我们能够以5倍的速度为先进节点提供高质量签核库，协助我们的共同客户加快整体的芯片设计进程和流片生产，从而实现理想的功耗、性能和面积（PPA）目标。”

为满足市场对芯片性能优化、先进工艺节点高质量库和系统设计上云等日益增长的需求，5nm至3nm工艺的精度要求需要先进模型的高效库表征周期，如电迁移（EM）、老化和自由变异格式（LVF）等。针对下一代应用的其他整体变异会导致工艺、电压和温度（PVT）的变化，从而显著影响芯片设计。这些变化最终将导致计算压力增加，即在工艺设计套件（PDK）变更的高峰需求期间需要大量支持，造成设计交付时间的延迟。

PrimeLib库表征可支持瞬时LVF、老化和EM等先进模型，通过为云端或计算组的超过万个并行作业提供达5倍的快速周转时间（TAT），从而为现有解决方案的表征和高度可扩展性提供专属的仿真器许可证支持。通过利用嵌入式PrimeSim SPICE和HSPICE引擎并整合验证功能，PrimeLib解决方案还可以创建PrimeTime黄金质量签核库和PrimeShield®设计稳定性分析。

PrimeLib主要产品特性和优势包括：

• ML模型，具有高达5倍的LVF性能提升，可准确计算超低PVT角效果。可提供云上支持，采用卓越扩展技术，能切实处理各种工作负载，同时将TAT从几周降至几天；
• 面向多PVT角的SmartScaling技术可将表征运行时间降低3至10倍，并实现瞬时库生成；
• 嵌入式PrimeSim SPICE引擎和签核验证功能相结合，可创建PrimeTime黄金质量签核库、相关性、约束和功耗验证；
• 基于ML的增强灵敏度数据库可缩短升级版PDK的上市时间。

新思科技数字设计事业部产品营销副总裁Sanjay Bali表示：“成功的IC设计需要高质量库，而新思科技的PrimeLib可提供一整套全面功能，让客户能够自信地根据不断变化的行业需求进行扩展。我们与三星将保持长期合作，致力于交付一流的工艺技术。此次认证是我们持续创新的结果，将加快我们与三星共同客户的高性能设计进程。”

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