瑞萨：与台积电扩大结盟，40nm以下制程MCU委外代工

全球最大汽车微控制器(MCU)厂商瑞萨电子(RenesasElectronicsCorp。)、台积电(2330)28日发布联合英文新闻稿宣布签定合约，拟将双方的MCU技术合作范围拓展至40奈米(nm)嵌入式快闪(EmbeddedFlash，eFlash)制程技术，这项技术可用来生产次世代汽车、消费者应用产品(例如家电)内建的MCU产品。

瑞萨过去已同意将采用90奈米eFlash制程技术的MCU外包给台积电代工。在本次的40奈米MCU合作案当中，瑞萨会将采用40奈米以及未来制程技术的MCU委外代工。

根据新闻稿，在结合瑞萨的金属氧化物氮氧化矽(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon；简称MONOS)技术以及台积电的高阶CMOS制程技术之后，两家公司将在MCU平台与产能方面取得技术领先。此外，瑞萨、台积电拟将MONOS制程平台开放给全球半导体供应商(包括IC设计公司与IDM)，希望借此建立生态体系(ecosystem)，并进一步拓展客户群。

根据新闻稿，相较于90奈米制程技术，采用40奈米技术的MCU产品不但运算速度较快、耗电量较低，晶粒尺寸(diesize)还可缩小逾50%。