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TSMC宣布跳过22纳米直接发展20纳米工艺
时间：2010-04-15 10:26:11
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[导读]TSMC于美西时间13日在美国加州圣荷西市举行技术研讨会，会中宣布将跳过22纳米工艺，直接发展20纳米工艺。此系基于「为客户创造价值」而作的决定，提供客户一个更可行的先进工艺选择。此次技术研讨会有1,500位客户及合
TSMC于美西时间13日在美国加州圣荷西市举行技术研讨会，会中宣布将跳过22纳米工艺，直接发展20纳米工艺。此系基于「为客户创造价值」而作的决定，提供客户一个更可行的先进工艺选择。
此次技术研讨会有1,500位客户及合作厂商代表参加，TSMC研究发展资深副总经理蒋尚义在会中表示，TSMC20纳米工艺将比22纳米工艺拥有更优异的闸密度(gatedensity)以及芯片性价比，为先进技术芯片的设计人员提供了一个可靠、更具竞争优势的工艺平台。此外，20纳米工艺预计于2012年下半开始导入生产。
TSMC20纳米工艺系在平面电晶体结构工艺(planarprocess)的基础上采用强化的高介电值/金属闸(high-kmetalgate)、创新的应变硅晶(strainedsilicon)与低电阻／超低介电值铜导线(low-resistancecopperultra-low-kinterconnect)等技术。同时，在其他电晶体结构工艺方面，例如鳍式场效电晶体(FinFet)及高迁移率(high-mobility)元件，也展现了刷新记录的可行性(feasibility)指标结果。
从技术层面来看，由于已经具备了创新微影技术以及必要的布局设计能力，TSMC因此决定直接导入20纳米工艺。
然而，蒋资深副总指出，在先进工艺技术的开发上，我们已经面临一个关键时刻，也就是必须主动积极地考量其投资回报率，并且需要打破仅考虑技术层面的思维模式；我们必须通过与客户密切合作以及在资源整合与最佳化方面的创新，同时解决来自技术及经济层面的挑战。
此次技术研讨会有1,500位客户及合作厂商代表参加，TSMC研究发展资深副总经理蒋尚义在会中表示，TSMC20纳米工艺将比22纳米工艺拥有更优异的闸密度(gatedensity)以及芯片性价比，为先进技术芯片的设计人员提供了一个可靠、更具竞争优势的工艺平台。此外，20纳米工艺预计于2012年下半开始导入生产。
TSMC20纳米工艺系在平面电晶体结构工艺(planarprocess)的基础上采用强化的高介电值/金属闸(high-kmetalgate)、创新的应变硅晶(strainedsilicon)与低电阻／超低介电值铜导线(low-resistancecopperultra-low-kinterconnect)等技术。同时，在其他电晶体结构工艺方面，例如鳍式场效电晶体(FinFet)及高迁移率(high-mobility)元件，也展现了刷新记录的可行性(feasibility)指标结果。
从技术层面来看，由于已经具备了创新微影技术以及必要的布局设计能力，TSMC因此决定直接导入20纳米工艺。
然而，蒋资深副总指出，在先进工艺技术的开发上，我们已经面临一个关键时刻，也就是必须主动积极地考量其投资回报率，并且需要打破仅考虑技术层面的思维模式；我们必须通过与客户密切合作以及在资源整合与最佳化方面的创新，同时解决来自技术及经济层面的挑战。
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