昭和电工将SiC外延晶圆产能提高到2.5倍

昭和电工于2012年8月30日宣布，将功率半导体器件用4英寸SiC外延晶圆（也叫磊晶）的产能提高到了原来的2.5倍。

采用SiC的功率半导体器件有利于减小逆变器等电力转换设备的尺寸，降低损耗，因此器件厂商都在积极开发这种产品。据昭和电工介绍，此次增强产能是因为“家电等低电压小电流应用领域逐渐产生了实际需求，轨道交通车辆及工业设备等高电压大电流领域的开发案例也不断增加”。SiC制器件比作为竞争对手的Si制器件价格高是其普及的瓶颈。如果高品质外延晶圆的产量增加，就有望降低器件的成本。

昭和电工在崎玉县秩父事务所内新增了外延基板生产设备——3号炉。该公司通过引进新设备，以及改进量产技术，使产能增至原来的2.5倍，达到月产1500块（4英寸）。生产方式是，将多块晶圆放在生产设备中，让晶圆在1500～1600℃的高温旋转的情况下外延生长。昭和电工利用自主技术对生产设备进行改进，保持了外延层的均一性并提高了量产性。拥有缺陷密度低、表面平滑的外延层的晶圆有望提高MOSFET等栅极采用氧化膜的器件的特性，提高成品率步。

现在，日本的SiC基板市场规模为几十亿日元左右，到2020年有望达到400亿日元左右。昭和电工目前在日本市场的份额为50～60％。（记者：田岛 进，编辑委员）