Infineon和南亚科技联合宣布90纳米工艺成功并批量生产

    英飞凌科技公司（Infineon）和南亚科技公司近日联合宣布，由英飞凌和南亚科技在英飞凌德国德累斯顿研发中心联合开发的90纳米DRAM技术成功通过认证。两家公司联合开发的90纳米内存产品获得了主要客户的认可，并通过了英特尔的验证。在英飞凌公司德累斯顿300mm晶圆生产线上，90纳米DRAM产品已经开始批量生产。作为全球第二个引进90纳米技术的DRAM制造商，英飞凌在5月底之前已经成功将其DRAM全球产量的5%从110纳米工艺转换成90纳米工艺。英飞凌和南亚科技的合资公司台湾华亚半导体公司现在已经开始向90纳米技术转型。提前采用新一代技术将大幅降低生产成本，提高产品性能，同时也是提高DRAM生产盈利能力的最重要因素之一。

    与先前的110纳米工艺相比，90纳米工艺进一步缩小了芯片尺寸，从而使每片晶圆的芯片产量可以增加30%以上。缩小芯片尺寸和使用300mm晶圆实现的生产率提高是芯片生产成本大幅下降的基础。英飞凌和南亚科技的联合开发还包括下一代70纳米制程技术。

    90纳米工艺结构的推出在很大程度上得益于110纳米时代先进的193纳米光刻技术。193纳米光刻技术是缩小工艺结构不可或缺的因素。通过引进所谓的“棋盘单元阵列（checkerboard cell array）”， 只要利用标准的表面增强方法，而不需要运用复杂的高K电介质，就可以实现卓越的存储容量。 

    除了成本优势之外，采用更小的工艺结构是生产用于移动世界的高速、低功耗DDR2和DDR3 SDRAM的关键。随着第一件产品512Mb DDR SDRAM通过客户认证，英飞凌和南亚科技成为业界第二家采用90纳米技术生产DRAM的制造商。512Mb DDR2 SDRAM相关系列产品预计在2005年下半年推出。包括256 Mb DDR2 和1G DDR2在内的其他产品将在稍后推出。