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    闪存解决方案供应商Spansion公司昨日宣布扩充与代工厂台积电签署的代工,增加采用300mm晶圆的90nm MirrorBit技术。两家公司同意,在现有服务协议基础上,即为Spansion的110nm技术提供代工生产,增加了90nm的生产能力。台积电从2006年第二季度开始生产采用110nm技术的闪存晶圆。90nm技术的目标量产时间为2007年下半年。   
  
  Spansion MirrorBit闪存能够利用一个基于氮化物的存储器件,在一个单元中存储两个独立的电荷。与浮动门NOR技术相比,该技术可以提供一个更加简便的内存单元,其所需要的关键制造步骤也少得多。与传统的浮动门技术相比,MirrorBit技术可以提供更高的产量,并可以更加方便地扩展到更高的容量。 

  根据扩充后的协议,台积电将逐步把Spansion的90nm制程技术引入其专门为Spansion产品开设的生产线。 

  同时Spansion位于得克萨斯州奥斯丁的旗舰工厂Fab 25的90nm MirrorBit产能将于2007年过渡到65nm技术;位于日本会津若松的Spansion JV3生产基地的110nm产能;预计将于2008年中期,在日本会津若松新落成的SP1生产基地投产采用了300mm晶圆的45nm产能。该基地还可以根据市场的需求在2007年开始量产65nm技术产品。 
  Spansion(NASDAQ:SPSN)为闪存解决方案供应商,致力于为无线、汽车、网络和消费电子市场提供数字内容的支持、存储和保护。其前身是一家由AMD和富士通合资的公司。它是全球最大的专门致力于开发、设计和生产闪存产品及系统的公司。

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