宏力半导体:用于微控制器的OTP制程成功量产

 宏力半导体继2009年与其战略合作伙伴力旺电子成功开发0.18微米低本高效的OTP技术平台后，已有20多件产品相继投入量产，每月投片量达数千片。该OTP单元尺寸仅0.8平方微米，比市场上现有传统的0.35微米OTP缩小达6倍，在创造行业记录的同时，其出色的数据存储性能也已在多颗MCU (微控制器)产品上得到了验证。与传统的0.35微米OTP制程相比，该0.18微米OTP制程采用了STI (浅槽隔离)代替LOCOS (局部场氧化)，并按照0.18微米后端制程的设计规则，使芯片的尺寸缩小30%以上。另一方面，该解决方案至少可以减少5层光罩层，使总光罩层数仅为14层。此外，宏力还提供整套硅验证(silicon proven) IP及单元库以帮助客户大幅缩短产品上市的时间。

 
 力旺电子董事长徐清祥先生表示：“该低本高效的OTP制程不仅证明了力旺电子强大的技术开发能力，同时也体现了我们为降低客户制造成本而不断创新的追求。我们已经与宏力半导体就NVM(非挥发性记忆体)的开发合作多年，期间宏力证明了其以绿色环保的工艺流程生产高良率的NVM的能力。今后我们将继续与宏力半导体紧密合作，并致力开发行业领先的技术解决方案以满足更多样化的应用需求。”

 此外，宏力半导体与力旺电子也正继续合作开发其他NVM技术。比如，正在研发中的与逻辑制程兼容的低本高效MTP制程，其较之OTP技术在现场可编程方面更具灵活性。