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罗姆与Solar Frontier就收购原国富工厂资产事宜达成基本协议
旨在以SiC功率半导体为核心扩大罗姆集团的产能
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意法半导体和法国空客将联合开发功率半导体
21ic 近日获悉，意法半导体(ST)和法国空客公司将联合研发功率半导体，双方表示开发的新型电力电子设备更高效，将用于混合动力飞机和全电动城市飞行器。
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罗姆与纬湃科技签署SiC功率元器件长期供货合作协议
SiC（碳化硅）功率元器件领域的先进企业ROHM Co., Ltd. （以下简称“罗姆”）于2023年6月19日与全球先进驱动技术和电动化解决方案大型制造商纬湃科技（以下简称“Vitesco”）签署了SiC功率元器件的长期供货合作协议。根据该合作协议，双方在2024年至2030年间的交易额将超过1300亿日元。
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意法半导体发布灵活可变的隔离式降压转换器芯片，保护功率转换和IGBT、SiC 和 GaN晶体管栅极驱动
L6983i适合需要隔离式 DC-DC 转换器应用，采用隔离降压拓扑结构，需要的外部组件比传统隔离式反激式转换器少，并且不需要光耦合器，从而节省了物料清单成本和 PCB面积。
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罗姆发布2022财年财报，销售额连续两年创新高
计划在SiC业务领域累计投资5,100亿日元，将产能提高35倍。2027财年将挑战2,700亿日元的销售额
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适用于运输领域的SiC：设计入门
在这篇文章中，作者分析了运输辅助动力装置（APU）的需求，并阐述了SiC MOSFET、二极管及栅极驱动器的理想静态和动态特性。
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ST的半导体制造战略：加大第三代半导体垂直整合，与客户长期双赢
对于ST而言，芯片设计和制造同样重要。ST在制造上的战略规划正在逐步实施，将会帮助其实现200亿美元营收和2027碳中和两大目标。
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Microchip推出全新MPLAB® SiC电源模拟器，助力客户在设计阶段测试SiC电源解决方案
基于PLECS的工具可在将设计实现为硬件之前，快速评估针对各种电源开关拓扑结构的解决方案
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实现业内超小的RonA，ROHM第4代SiC MOSFET提高易用性和高可靠性
当下消费电子领域正在遭受了行业凛冬，波及到了半导体上下游的各大厂商。然而对以工业和汽车电子作为主要业务模块的芯片厂商而言，仍取得了非常不错的成绩，并且有着继续增长的前景预期。这是因为汽车电子的需求仍增长旺盛，而工业又是高附加值的稳定赛道，因此受到全球经济环境的影响较小。ROHM就是在这样的下行周期中仍保持高速增长的芯片厂商之一，整个集团2022年上半财年销售额约和130亿人民币左右，全年预计销售额250～260亿人民币左右。
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SiC 和 GaN：两种半导体的故事以及以后发展的预测
在过去的几十年里，碳化硅和氮化镓技术的进步以发展、行业接受度的提高和有望带来数十亿美元的收入为特征。第一个商用 SiC 器件于 2001 年以德国英飞凌的肖特基二极管形式问世。随之而来的是快速发展，到 2026 年，该行业有望超过 40 亿美元。
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SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性
电力电子新技术的发展已将工业市场引向其他资源以优化能源效率。硅和锗是当今用于生产半导体的两种主要材料。损耗和开关速度方面的有限发展已将技术引向新的宽带隙资源，例如碳化硅 (SiC)。
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ATFX上线开年最强《交易者杂志》
上海2023年2月14日 /美通社/ -- 步入2023年第一个季度，市场依然在震荡中前行。作为一家全球领先的金融科技经纪商，ATFX为了给全球客户提供具有前瞻性的分析报告，分析师团队早已密切关注金融市场动态，结合各国经济状态，以及美联储的加息步伐，深挖第一季度机遇的《交易者杂志...
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Onsemi：使用SIC等功率器件为碳中和做出的贡献
为可再生能源提供动力以创造更美好的明天，因此，不仅是 GaN 和 SiC 等宽带隙半导体，还有围绕电力电子、智能电网、微电网、宏观电网、人工智能的多种技术，都将支持这种扩展。我们作为技术社区和工程师的责任是采取行动做某事，所以我们每个人都应该迈出第一步。因此，我们不仅对个人负责，而且对组织负责。那么阻碍零碳和低碳能源更广泛部署的关键技术瓶颈是什么?你认为生产太阳能电池板等的所谓稀有材料的竞争?
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Soitec 看到了采用 SmartSiC 晶圆的电动汽车中的巨大机遇
道路运输的电气化对于实现欧盟的脱碳和气候变化目标至关重要。对碳化硅衬底的需求经历了巨大的增长，法国绝缘体上硅 (SOI) 晶圆供应商 Soitec 开发了 SmartSiC 技术，以加速 SiC 在电动汽车中的采用。
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碳化硅与硅在汽车市场大动干戈
在今天的汽车市场，SiC已经成为最具活力的技术之一，设计导入机会很多，其渗透率正在快速增长。那么，在EV/HEV系统中，SiC的最大应用场景在哪里？BEV被认为是汽车电气化的终极目标，因此意味着可持续的商机。而且其中的牵引逆变器、蓄电池和电动机是体现不同主机厂车辆技术性能的三个关键区别因素。
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通过基于 SiC 的改进中性支路最大限度地减少电动汽车充电器的二阶纹波和直流电容
电动汽车技术是汽车行业的未来，电池和快速充电系统的不断快速发展。在不牺牲充电时间的情况下，研发工作正在进行中，以确保电池的尺寸更小，并且在充电时间内的功耗最小。
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英飞凌大中华区首次线上举办生态创新峰会，推动低碳化、数字化
上海2022年12月15日 /美通社/ -- 2022年12月14日-15日，英飞凌科技（中国）有限公司成功在线举办了以“数字智能、低碳未来” 为主题的OktoberTech™英飞凌生态创新峰会。OktoberTech™是英飞凌主办的全球性年度创新峰会，旨在展示前瞻性技术，推动低...
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SiC-MOSFET终端区对开关损耗的物理分析
尽管硅是电子产品中使用最广泛的半导体，但最近的研究表明它有一些局限性，特别是在大功率应用中。带隙是基于半导体的电路的相关因素，因为高带隙在高温、电压和频率下的操作方面具有优势。硅的带隙为 1.12 eV，而碳化硅的带隙值高 3 倍，为 3.2 eV，因此性能和效率更高，开关频率更高，总占位面积更小。
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【重磅】2022年第二十届TOP10 POWER电源产品奖公布！
经过全网数千次的工程师投票和21ic编辑紧张的审评，2022年度第二十届Top10 Power电源产品奖结果已经出炉！
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SiC半导体需求增加，博格华纳投资Wolfspeed
据业内消息，因SiC半导体需求增加，近日博格华纳向半导体制造商Wolfspeed投资5亿美元确保SiC产能。
