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派恩杰SiC MOSFET批量“上车”，拟建车用SiC模块封装产线
自2018年特斯拉Model3率先搭载基于全SiC MOSFET模块的逆变器后，全球车企纷纷加速SiC MOSFET在汽车上的应用落地。但目前全球碳化硅市场基本被国外垄断，据Yole数据，Cree，英飞凌，罗姆，意法半导体占据了90%的市场份额。国产厂商已有不少推出了碳化硅二极管，但具有SiC MOSFET研发和量产能力的企业凤毛麟角。
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意法半导体的稳健的隔离式 SiC 栅极驱动器采用窄型 SO-8 封装可节省空间
点击“意法半导体PDSA"，关注我们！中国，2021年10月19日意法半导体的 STGAP2SiCSN 是为控制碳化硅MOSFET而优化的单通道栅极驱动器，采用节省空间的窄体SO-8封装，具有稳健的性能和精确的PWM控制。SiC功率技术被广泛用于提高功率转换效率，SiC驱动器ST...
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Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列，继续扩充宽禁带半导体产品
工业级650V、10A SiC肖特基二极管样品现已开始供货。还将计划推出1200V/6-20A电流范围部件和车规级部件
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罗姆获选为UAES的SiC功率解决方案优先型供应商
全球知名半导体制造商罗姆（ROHM Co., Ltd.，以下简称“罗姆”）获选为中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，以下简称“UAES”）的SiC功率解决方案优先型供应商。
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使用新的电机驱动器替换老化的光耦合器栅极驱动器
电动机用于电梯、食品加工设备、工厂自动化、机器人、起重机……不胜枚举。交流感应电机在此类应用中很常见，并且总是使用功率级中用于驱动它们的绝缘栅双极晶体管 (IGBT)。典型的总线电压为 200 V DC至 1,000 V DC。IGBT 进行电子换向以实现交流感应电机所需的正弦电流。
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650V 60mΩ SiC MOSFET高温性能测试对比，国产器件重载时温度更低
自特斯拉第一次采用ST 650V SiC MOSFET后，目前市场上CREE、UnitedSiC、罗姆、Infineon都有650V SiC MOSFET产品。国内厂商派恩杰半导体也推出了650V 60mΩSiC MOSFET。相较于国外厂商，国内厂商的SiC MOSFET产品性能到底如何？派恩杰半导体采用自主设计的Buck-Boost效率测试平台针对650V 60mΩSiC MOSFET高温性能进行了对比测试。本文分享测试结果。
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Wolfspeed 与致瞻科技采用SiC技术提升燃料电池汽车性能
2021年10月19日，美国北卡罗来纳州达勒姆市与中国上海市讯 — 全球碳化硅（SiC）技术引领者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布与致瞻科技（上海）有限公司的成功合作。致瞻科技（上海）有限公司是宽禁带器件应用和先进电能转换系统的创新者，该公司燃料电池汽车全碳化硅控制器采用了Wolfspeed® 1200V SiC MOSFET。
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意法半导体的稳健的隔离式 SiC 栅极驱动器采用窄型 SO-8 封装可节省空间
中国，2021 年 10 月 19 日——意法半导体的 STGAP2SiCSN是为控制碳化硅 MOSFET而优化的单通道栅极驱动器，采用节省空间的窄体 SO-8 封装，具有稳健的性能和精确的 PWM 控制。
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首款国产1700V SiC MOSFET获“低碳能效奖“，可提升电源效率4%！
P3M173K0K3是派恩杰半导体有限公司针对高压辅助电源应用而开发，具有较高的耐压，极低的栅极电荷，较小的导通电阻Rds(on), 使其广泛适用于工业电机驱动，光伏，直流充电桩，储能变换器器以及UPS等三相功率变换系统中辅助电源设计，可以提高辅助电源系统效率、简化驱动电路设计，降低散热成本，大幅度减少辅助开关电源成本。
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通用汽车与 Wolfspeed 达成战略供应商协议，在通用汽车未来电动汽车计划中采用 SiC
该协议标志着通用汽车开始做出转变，将在其电动汽车电力电子中采用 SiC 提供安全、长期的供货 SiC 赋能电动汽车更长续航里程
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车载 GaN FET 可实现 HEVEV 的高频和稳健性设计
为了解决消费者对电动汽车 (EV) 普及的里程、充电时间和价格等问题，世界各地的汽车制造商都在增加电池容量而不增加尺寸、重量或组件成本。我正在寻找一种加快速度的方法充电。
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UnitedSiC推出9款新品：6mΩ导通电阻750V SiC暂无敌手
日前，UnitedSiC推出业界最小导通电阻RDS（on）6mΩ的750V第四代碳化硅场效应管，并一口气推出9款全新的UJ4C/SC器件。
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SiC 器件专有的可靠性保证途径及其重要性
作为一家开发SiC技术的领先厂商，英飞凌认识到需要更新基于硅器件模型而制定的现有可靠性测试标准，以保证碳化硅器件达到足够高可靠性水平。英飞凌的方法侧重于碳化硅可靠性的三个特定领域。
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UnitedSiC推出业界最佳6mΩ SiC FET
新增的9款器件可实现更高水平的设计灵活性
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仿真看世界之SiC MOSFET单管的并联均流特性
关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。
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模拟晶圆代工龙头企业X-FAB与国产SiC功率器件供应商派恩杰达成长期战略合作，共同推动全球SiC产业发展
2021年9月6日，模拟晶圆代工龙头企业X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)和国产SiC功率器件供应商派恩杰联合对外宣布，双方就批量生产SiC晶圆建立长期战略合作关系，此前双方已经合作近三年时间。
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罗姆即将亮相2021 PCIM Asia深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会
全球知名半导体制造商罗姆将于2021年9月9日~11日参加在深圳国际会展中心举办的PCIM Asia 2021深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会。
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安森美(onsemi)将收购GT Advanced Technologies
交易加速安森美推动创新，以创造智能电源和感知技术及构建可持续未来的使命，拓展安森美的碳化硅实力并确保客户供应，以满足可持续生态系统的快速增长，包括电动车(EV)、电动车充电和能源基础设施，加强安森美对颠覆性、高增长技术进行重大投资的承诺。
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贸泽备货Qorvo QPD0011 GaN-on-SiC HEMT赋能4G和5G通信应用
2021年8月23日 – 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始备货Qorvo® QPD0011高电子迁移率晶体管 (HEMT)。
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泰克解锁SiC功率器件动态测试系统，华南首台在深圳美浦森半导体正式交付
DPT1000A功率器件动态参数测试系统由泰克科技领先研发，一经推出就受到广大科研和企业用户的强烈关注。
