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Cree | Wolfspeed与意法半导体扩大现有150mm SiC晶圆供应协议
2021年8月19日，美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 –– 全球碳化硅技术领先企业科锐Cree, Inc.与意法半导体STMicroelectronics宣布扩大现有的多年长期碳化硅(SiC)晶圆供应协议。
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GaAs/InP/GaN晶圆代工服务上线世强硬创电商平台，年代工产能30000片，最快10周可交付
目前，整个市场的晶圆代工产能严重不足。在这种情况下，海威华芯在世强硬创电商平台上线六英寸(兼容4英寸)化合物半导体晶圆代工服务。
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英飞凌推出全新650 V CoolSiC Hybrid IGBT分立器件系列，提供优异效率
近日，英飞凌科技股份有限公司推出 650 V CoolSiC™ Hybrid IGBT 单管产品组合，具有650 V阻断电压。
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安森美半导体推出创新的超高密度离线电源方案
业界首款图腾柱PFC控制器以高性价比提供高性能
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Power Integrations推出具有极低Qrr、适用于高效高开关速度设计的汽车级Qspeed硅二极管
600V 12A二极管可替代汽车应用中的SiC元件
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ROHM推出内置1700V SiC MOSFET的小型表贴封装AC/DC转换器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”
有助于大幅削减工厂的安装成本，并为工业设备提供更小型、更高可靠性及更节能的解决方案
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科锐携手高斯宝，为服务器电源市场带来SiC解决方案
SiC 基器件支持下一代数据中心，设计满足快速演进的存储环境的需求
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安森美半导体在APEC 2021发布，新的用于电动车充电的完整碳化硅MOSFET模块方案
全面的宽禁带器件组合实现高性能充电方案
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意法半导体发布2021年可持续发展报告：加快推进可持续发展承诺计划
中国，2021年5月20日 – 服务多重电子应用领域的全球半导体领导者意法半导体发布了第24版可持续发展报告，详细介绍了2020年取得的成绩。
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CISSOID推出适用于航空应用的SiC智能功率模块，以满足其对自然冷却的需求
— CISSOID高温芯片和模块技术亦将大力推动电动汽车动力总成的深度整合 —
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领先的SiC/GaN功率转换器的驱动
面向新一代功率转换器的ADI隔离式栅极驱动器、电源控制器和处理器
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通过合适的栅极驱动技术最大化SiC的性能
电动汽车革命即将来临。汽车公司拼命地寻求技术优势，驱动电动汽车的电力电子设备正在迅速发展。
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赋能未来，勇往直前---科锐联合创始人发表SiC MOSFET十周年文章
2021年3月18日，美国北卡罗莱纳州达勒姆讯––全球碳化硅技术领先企业科锐Cree, Inc. 联合创始人兼首席技术官John Palmour 博士发表了以《赋能未来，勇往直前：SiC MOSFET问世10周年的思索》为题的文章。
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UnitedSiC发布新的FET-Jet计算器TM
易于使用的在线功率设计工具可以帮助工程师找出理想的SiC FET设计解决方案
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加码碳化硅赛道，斯达半导体定增募资35亿元
3月3日，嘉兴斯达半导体股份有限公司（以下简称“斯达半导体”）发布2021年度非公开发行A股股票预案。公告中披露本次非公开发行股票募集资金总额不超过35亿元，主要投向高压特色工艺功率芯片和 SiC 芯片研发及产业化项目，以及功率半导体模块生产线自动化改造项目，同时补充公司流动资金。
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安森美半导体发布新的650 V碳化硅 (SiC) MOSFET
推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor)，发布一系列新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件，适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。设计人员用新的SiC器件取代现有的硅开关技术，将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变...
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安森美半导体发布新的650 V碳化硅 (SiC) MOSFET
优异的开关和更高的可靠性在各种挑战性应用中提高功率密度
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Vishay推出新型650 V SiC肖特基二极管，提升高频应用能效
器件额定电流4 A~40 A，采用MPS结构设计，降低开关损耗和温变影响
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罗姆阿波罗筑后工厂的环保型新厂房竣工，为SiC功率元器件生产增能!
全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)为了增强SiC功率元器件的产能，在ROHM Apollo Co.，Ltd.(总部位于日本福冈县)筑后工厂投建了新厂房。
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科锐推出新型SiC功率模块产品系列，为电动汽车快速充电和太阳能市场提供业界领先的效率
新型Wolfspeed WolfPACK™模块系列助力高增长的中功率技术的快速量产
