基于GAA架构趁热打铁，三星将速推4nm芯片竞争台积电！

据悉，从两个月前宣布在华城工厂已经大规模开始量产使用GAA(Gate-All-AroundT)全环绕栅极制程工艺的3nm芯片，到目前这批GAA架构的3nm代工产品已经发货，对过去长达几年的在和台积电竞争过程中陷入困局的三星来说，这次提前发布3nm芯片并出货一定程度上给予客户和自己一些信心，同时，据悉三星会基于GAA架构趁热打铁，快速推出4nm芯片竞争台积电，将此次速度优势发挥到最大。

在去年的年中，三星就宣布其GAA(Gate-All-AroundT)全环绕栅极制程工艺的3nm芯片已经成功流片，而随后不就就宣布将先于台积电的3nm工艺，但是在今年年初的时候有消息称，三星的GAA(Gate-All-AroundT)全环绕栅极制程工艺的3nm芯片良率才到达20%左右，这个数值是远低于之前预期的，但是随后不久三星就宣布3nm的良率问题已经基本解决，而且进入了实验性的量产阶段。

在今年的七月份左右，三星电子宣布在华城工厂已经大规模开始量产使用GAA(Gate-All-AroundT)全环绕栅极制程工艺的3nm芯片，三星方面宣称，初代的3nm GAA制程工艺芯片相较于之前的5nm芯片可提升23%的性能和16%的占用面积，而功耗可降低多达45%，而未来第二代的3nm GAA上述的数据分别增加到30%、35%、50%。而据相关的信息称，本次第一批的3nm GAA制程工艺芯片的客户部分将来自中国上海。

我们所知到的传统平面式的晶体管(Planar FET)通过降低电压来节省功耗的，但是平面式的晶体管(Planar FET)会产生短沟道效应，这种现象一定程度上遏制了电压的降低，但是鳍式场效应晶体管(FinFET)会突破这个瓶颈限制，使电压再次降低，但随着摩尔定律的推荐和工艺不断提升，鳍式场效应晶体管也出现了瓶颈，下一个“鳍式场效应晶体管”就是GAA(Gate-all-around)全环绕栅极制程技术。

三星的主要竞争对手是台积电(TSMC)，因为根据台积电的公布，其3nm工艺预计会在2022年9月份正式进入量产阶段，而且让三星更压力山大的消息是台积电的3nm良品率比当时5nm工艺更好。据悉，三星此次投资的金额约为40亿美元，此举展示了三星电子的战略信心并且尝试从台积电手上取得高通的订单。

因此三星电子在本次抢先了台积电GAA(Gate-All-AroundT)全环绕栅极制程工艺的3nm芯片先量产的基础上，采取更进一步的战略决策，希望借助本次3nm GAA(Gate-All-AroundT)芯片出货的机会，迅速增加4nm芯片的产量并抢先在台积电推出之前挽回流失的客户。