三星投产全球最大规模半导体生产线

作为全球最大规模半导体生产线，9月22日，三星电子16号半导体生产线竣工投产，其主要产品为20纳米级NAND闪存。三星电子还将首次实现20纳米级DDR3内存设备的量产，成为全球最早量产20纳米级存储器产品的企业。

据悉，三星电子16号半导体生产线自去年5月开工建设，经过短短的15个月即投入运行，总面积约为20万平方米，建筑达12层，也是全球最大规模，最先进的半导体生产线。三星电子方面表示，三星电子16号半导体生产线今年2月竣工、5月建成洁净室（CleanRoom）、6月开始产品测试、8月完备量产系统，计划从本月起，每月生产1万片以上的12英寸晶圆20纳米高速NAND闪存。到今年末，三星将按照NAND闪存的需求，逐渐增加12英寸晶圆的生产规模，明年计划量产10纳米级大容量高速闪存。三星计划今年内研发20纳米级4GbDDR3内存，明年开始量产4GB、8GB、16GB、32GB等大容量产品。三星将从企业服务器市场到笔记本市场等各种IT市场上不断扩大绿色内存的比重。