三星：7nm EUV工艺明年1月量产 已完成5nm研发

日前三星在韩国又举行了新一轮晶圆代工制造论坛会议，参与的人数比之前多了40%，超过500多名无晶圆厂芯片客户与会，副总晶圆代工业务的三星副总裁Jung Eun-seung公布了三星在半导体制造工艺上的进展。

随着NVIDIA宣布7nm GPU由三星代工，三星在晶圆代工市场上总算又拉来一个客户，如果算上之前的IBM Power 10以及传闻中的高通骁龙865订单，再加上三星自己的7nm Exynos芯片，三星在7nm节点总算有所收获了。

与台积电相比，三星在7nm及未来的5nm节点上确实还要落后，主要是时间进度上，台积电的7nm去年都量产了，海思、苹果、赛灵思以及现在的AMD都是台积电7nm的大客户。

在7nm之后，三星还将推出5nm FinFET工艺，目前已经完成了技术研发，而且5nm被视为是最后一代FinFET工艺。

在之后的重大节点就是3nm了，三星率先公布了3nm节点将使用GAA环绕栅极晶体管技术，三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管)，该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。

值得注意的是，三星召开会议的这几天里，日本突然宣布制裁韩国，限制日本半导体材料、OLED显示面板材料的对韩出口，7月4日也就是今天起正式施行。

日本限制出口的材料主要用于半导体芯片及显示面板生产，即便是三星也要依赖日本供应商，所以这件事可能对三星影响很大。

目前三星官方尚未对此事发表评论，不过韩国总统国家安全办公室副主任金贤重日前会见了三星副董事长金基南，讨论日本的制裁及应对措施。

根据消息称，三星今年9月份将完成韩国华城的7nm EUV工艺生产线，明年1月份量产。