• MPQ4485:小编带你看这款具有双路 USB 充电端口的开关变换器

    MPQ4485:小编带你看这款具有双路 USB 充电端口的开关变换器

    在下述的内容中,小编将会对MPS MPQ4485开关变换器的相关消息予以报道,如果开关变换器是您想要了解的焦点之一,不妨和小编共同阅读这篇文章哦。 一、MPQ4485开关变换器概述 MPQ4485 是一款单片降压型开关变换器,集成了2 个 USB 限流开关和充电端口识别电路。MPQ4485 在宽输入范围内可实现 6A 输出电流,具有极好的负载和线性调整率。USB 开关的输出电流值即电流限值。USB1 既支持符合电池充电规范(BC1.2)的 DCP 方案,同时还支持 Divider 模式、1.2V/1.2V 模式和 USB Type-C 5V @ 3A DFP 模式,无需用户从外部进行干预。 USB2 支持 DCP 和 CDP 方案。全方位保护包括打嗝限流保护、输出过压保护(OVP)和过温关断保护。 二、MPQ4485误差放大器(EA) 误差放大器(EA)将内部反馈电压与内部基准电压(REF)进行比较,并输出VCOMP。 VCOMP控制功率MOSFET电流。经过优化的内部补偿网络可最大程度地减少外部元件数量,并简化控制回路设计。 三、MPQ4485内部VCC稳压器 4.6V内部稳压器为大多数内部电路供电。该稳压器采用VIN,并在整个VIN范围内工作。 当VIN超过4.6V时,调节器的输出处于完全调节状态。如果VIN小于4.6V,则输出随VIN降低。 VCC需要一个外部1pF陶瓷去耦电容器。 降压输出启动后,内部VCC LDO输出通过肖特基二极管被降压输出偏置。 四、MPQ4485启用控制(EN) MPQ4485具有使能控制(EN)引脚,内部8μA的上拉电流使EN浮空以自动启动。将EN拉高或悬空EN以启用IC。将EN拉低以禁用IC.EN使用7.6V串联齐纳二极管和ESD电池的10V击穿电压在内部钳位。通过一个上拉电阻将EN连接至VIN,以增强EN上拉电流的能力。如果EN上拉电压大于10V,则需要将EN电压限制在10V以下,或将EN输入电流限制在500μA以下。 例如,如果将EN连接到VIN = 36V,则RPULLUP≥(36V-10V)/500μA=52kΩ。 五、MPQ4485内部软启动(SS) 软启动(SS)可以防止启动期间转换器输出电压过冲。芯片启动时,内部电路会产生一个SS电压,该电压从0V上升到5V。当SS低于REF时,误差放大器将SS用作参考。当SS高于REF时,误差放大器将REF用作参考。内部SS时间设置为2ms。 如果在启动期间将MPQ4485的输出预偏置到某个电压,则IC会禁用高端开关和低端开关的开关,直到内部SS电容器上的电压超过内部反馈电压为止。 六、MPQ4485强制CCM操作 MPQ4485连续以强制连续传导模式(CCM)工作。MPQ4485以固定的开关频率运行,而不管它是在轻负载还是满负载下运行。CCM的优势是可控制的频率,较小的输出纹波和足够的自举充电时间,但在轻载条件下效率也很低。应选择适当的电感,以避免触发低侧开关的负电流限制(从SW到GND通常为2A)。如果触发了负电流限制,则当内部时钟开始时,低侧开关将关闭,而高侧开关将打开。 七、MPQ4485降压过电流保护(OCP) 当电感器峰值电流超过电流限制阈值且FB电压降至欠压(UV)阈值以下(通常比基准电压低50%)以下时,MPQ4485具有逐周期的过电流限制。触发紫外线后,MPQ4485进入打cup模式以定期重启器件。当输出与地完全短路时,此保护模式特别有用。这大大降低了平均短路电流,减轻了散热问题,并保护了稳压器。一旦消除了过电流情况,MPQ4485就会退出打hiccup模式。 八、MPQ4485启动和关机 如果IN和EN都超过各自的阈值,则启用芯片。参考模块首先启动,生成稳定的参考电压和电流,然后启用内部调节器。稳压器为其余电路提供稳定的电源。三个事件可以关闭芯片:EN低,IN低和热关断。在关机期间,信令路径被阻塞以避免任何故障触发。然后,VCOMP和内部电源导轨被下拉。浮动驱动程序不受此关闭命令的约束。 上述所有信息便是小编这次为大家推荐的内容,希望大家能够喜欢,想了解更多有关它的信息或者其它内容,请关注我们网站哦。

    时间:2021-01-29 关键词: MPQ4485 MPS 开关变换器

  • 想要寻找集成传感器AFE的微控制器?MSP430FR6041 MCU不妨了解一下!

    想要寻找集成传感器AFE的微控制器?MSP430FR6041 MCU不妨了解一下!

    以下内容中,小编将对TI 的MSP430FR6041 MCU的相关内容进行着重介绍和阐述,希望本文能帮您增进对该MCU的了解,和小编一起来看看吧。 一、MSP430FR6041 MCU概述 MSP430FR6041超低功耗微控制器具有不同的外设集,该体系结构与七个低功耗模式相结合,经过优化,可延长电池寿命。这些器件具有功能强大的16位RISC CPU、16位寄存器和常量生成器,有助于最大程度地提高代码效率。 MSP430FR6041 MCU具有超声波感测解决方案(USS)模块、低能耗加速器(LEA)、多达六个16位定时器、多达六个支持UART、SPI和I2C的eUSCI,还具有比较器和硬件乘法器、一个AES加速器、一个6通道DMA、一个具有警报功能的RTC模块、多达57个I / O引脚以及一个高性能的12位ADC。 MSP430FR604x MCU还包括一个带对比度控制的LCD控制器模块,最多可显示248个段。 二、MSP430FR6041 CPU介绍 MSP430 CPU具有对应用程序高度透明的16位RISC架构。除程序流程指令外,所有操作都作为寄存器操作与源操作数的七个寻址模式和目标操作数的四个寻址模式一起执行。 CPU集成有16个寄存器,可减少指令执行时间。寄存器到寄存器的操作执行时间是CPU时钟的一个周期。R0至R3这四个寄存器分别专用于程序计数器、堆栈指针、状态寄存器和常量生成器,其余寄存器是通用寄存器。 外设通过控制总线连接到CPU使用数据、地址,并且可以使用所有指令进行管理。该指令集由原始的51条指令(具有三种格式和七个地址模式)以及用于扩展地址范围的其他指令组成,每个指令可以对字和字节数据进行操作。 三、MSP430FR6041超声波感应解决方案(USS_A)介绍 USS_A模块提供了高精度的超声波感应解决方案。USS_A模块是一个复杂的系统,由六个子模块组成: • UUPS(通用USS电源) • 带振荡器的HSPLL(高速PLL) • ASQ(采集定序器) • PHY(物理接口) • 具有低输出阻抗驱动器的PPG_A(可编程脉冲发生器“ A”) • PGA(可编程增益放大器) • 带DTC(数据传输控制器)的SDHS(sigma-delta高速ADC) 子模块具有不同的作用,并共同实现了超声应用中的高精度数据采集。USS模块无需CPU即可执行完整的测量序列,从而实现超声计量的超低功耗。 四、MSP430FR6041用于信号处理的低能耗加速器(LEA)介绍 LEA是一种硬件引擎,设计用于涉及基于矢量的信号处理(例如FIR,IIR和FFT)的操作。当执行基于矢量的数字信号处理计算时,LEA具有快速的性能和低的能耗。LEA要求MCLK可以工作,因此,LEA仅在活动模式或LPM0下运行。当LEA运行时,LEA数据操作在12KB的总RAM中共享的8KB RAM上执行。该共享RAM也可以由常规应用程序使用。 MSP CPU和LEA可以同时且独立运行,除非它们访问相同的系统RAM。 MSP430FR6041不支持直接访问LEA寄存器,并且TI建议针对MSP微控制器使用优化的数字信号处理(DSP)库,以实现LEA模块支持的操作。 五、MSP430FR6041低功耗模式下的外围设备介绍 外围设备可能处于不同状态,这些状态会影响设备可实现的功耗模式。状态取决于外围设备的操作模式。状态为: · 如果外围设备需要或使用“高频”频率超过50 kHz的时钟,则它处于“高频状态”。 · 如果外围设备需要或使用“低频”频率为50 kHz或更小的时钟,则它处于“低频状态”。 · 如果外围设备不需要或不使用内部时钟,则它处于“非时钟状态”。 如果CPU请求的电源模式不支持所有活动外围设备的当前状态,则设备不会进入请求的电源模式,但会进入仍然支持外围设备当前状态的电源模式,除非外部使用时钟。 如果使用外部时钟,则应用程序必须为请求的功率模式使用正确的频率范围。 以上所有内容便是小编此次为大家带来的有关MSP430FR6041 MCU的所有介绍,如果你想了解更多有关它的内容,不妨在我们网站或者百度、google进行探索哦。

    时间:2021-01-29 关键词: MCU MSP430FR6041 LEA

  • 泛林集团推出革命性的新刻蚀技术,推动下一代3D存储器件的制造

    泛林集团推出革命性的新刻蚀技术,推动下一代3D存储器件的制造

    通过技术和Equipment Intelligence®(设备智能)的创新,Vantex™重新定义了高深宽比刻蚀,助力芯片制造商推进3D NAND和DRAM的技术路线图。 近日,泛林集团(Nasdaq: LRCX)发布了专为其最智能化的刻蚀平台Sense.i™所设计的最新介电质刻蚀技术Vantex™。基于泛林集团在刻蚀领域的领导地位,这一开创性的设计将为目前和下一代NAND和DRAM存储设备提供更高的性能和更大的可延展性。 3D存储设备通常被应用于例如智能手机、显卡和固态存储驱动等。芯片制造商们一直以来都在通过纵向增加设备尺寸和横向减少关键尺寸(CD)持续降低先进技术产品的位成本,将3D NAND和DRAM中的刻蚀深宽比提升至更高水平。 Vantex的全新腔室设计能够以更高的射频(RF)功率刻蚀更高深宽比的器件,提升产能,降低成本。更高的功率和射频脉冲技术的结合可以实现严苛的CD控制,从而改进器件功能。 根据3D NAND设备的技术路线图,每一代刻蚀都需要实现更大的深度,这也推动了提升刻蚀轮廓均匀性的需求。Vantex技术控制了刻蚀的垂直角度,以满足这些3D器件结构设计密度要求,并在整个300mm晶圆上实现高良率。 “10多年来,泛林集团一直在高深宽比刻蚀领域保持行业领先,我们所独有的经验使Vantex的腔室设计从一开始就能够为未来的许多技术节点提供可延展性和创新性。” 泛林集团高级副总裁、刻蚀产品事业部总经理Vahid Vahedi表示,“Vantex重新定义了刻蚀平台性能和生产效率的行业标杆,这一突破性的刻蚀技术对于客户来说非常有吸引力。” 泛林集团Sense.i刻蚀平台具有Equipment Intelligence®(设备智能)功能,可以从数百个传感器收集数据,监测系统和工艺性能。借助Sense.i系统的高带宽通信,Vantex刻蚀腔室在每个晶圆中采集的数据多于市场上其他任何设备——它能够更有效地分析和利用数据,以提高晶圆上和晶圆间的性能。 泛林集团将持续向存储器行业的领军客户提供Sense.i平台上的Vantex以期获得客户认可和重复订单,助力客户在2021年实现高量产。 泛林集团Vantex™新型刻蚀腔室搭载其行业领先的Sense.i™刻蚀平台 关于泛林集团 泛林集团(纳斯达克股票代码:LRCX)是全球半导体产业创新晶圆制造设备及服务主要供应商。作为全球领先半导体公司可信赖的合作伙伴,我们结合了卓越的系统工程能力、技术领导力,以及帮助客户成功的坚定承诺,通过提高器件性能来加速半导体产业的创新。事实上,当今市场上几乎每一颗先进的芯片都使用了泛林集团的技术。泛林集团是一家财富500强公司,总部位于美国加利福尼亚州弗里蒙特市,业务遍及世界各地。欲了解更多信息,请访问:www.lamresearch.com。 前瞻性声明 本新闻稿包含美国1995年《私人证券诉讼改革法案》安全港条款规定前瞻性的陈述。这些前瞻性陈述包含但不仅限于下列内容:泛林集团的产品性能和服务;客户使用泛林集团的设备所达成的结果;泛林集团的客户对未来创新的需求,以及泛林集团产品满足此类需求的能力;泛林集团可从现有装机客户群体获得的经验。所有前瞻性陈述均基于现有预期,可能受到以下影响:风险,不确定性,条件的变化、重要性、价值和效果包括提交至美国证券交易委员会的存案文件中述明的风险和不确定性,尤其是截至2020年6月28日财年的10-K年度报表,以及截至2020年9月27日的10-Q季度报表中所陈述的风险因素。这些不确定性和变化可能导致实际结果与预期不同。泛林集团没有任何义务更新本新闻稿中的任何前瞻性陈述。

    时间:2021-01-29 关键词: 存储器 芯片 泛林集团 刻蚀技术

  • 恩智浦LPC1788FBD208微控制器概述,内存保护单元和以太网模块有何特点?

    恩智浦LPC1788FBD208微控制器概述,内存保护单元和以太网模块有何特点?

    以下内容中,小编将对恩智浦LPC1788FBD208微控制器的相关内容进行着重介绍和阐述,希望本文能帮您增进对这款微控制器的了解,和小编一起来看看吧。 一、LPC1788FBD208概论 微控制器是将微型计算机的主要部分集成在一个芯片上的单芯片微型计算机。微控制器诞生于20世纪70年代中期,经过20多年的发展,其成本越来越低,而性能越来越强大,这使其应用已经无处不在,遍及各个领域,本文要介绍的恩智浦LPC1788FBD208同样是一款微控制器。 LPC1788FBD208是基于ARM Cortex-M3的微控制器,适用于需要高集成度和低功耗的嵌入式应用。 其中,ARM Cortex-M3是通用的32位微处理器,具有高性能和极低的功耗。Cortex-M3是下一代内核,在相同的时钟速率和其他系统增强功能(例如现代化的调试功能和更高级别的支持块集成)下,其性能比ARM7更好。Cortex-M3 CPU包含3级流水线,并具有哈佛架构,具有独立的本地指令和数据总线以及第三条总线。而且,Cortex-M3 CPU还包括一个支持推测分支的内部预取单元。 ARM Cortex-M3提供了许多新功能,包括Thumb-2指令集、低中断延迟、硬件乘法和除法、可中断/可连续的多个加载和存储指令、自动状态保存和恢复中断、具有唤醒功能的紧密集成中断控制器,以及能够同时访问的多个核心总线。 LPC1788FBD208采用流水线技术,以便处理和存储系统的所有部分都可以连续运行。 通常,在执行一条指令时,其后继指令将被解码,而第三条指令将从内存中获取。 LPC1788FBD208还添加了专用的闪存加速器,以在从闪存执行代码时实现最佳性能。 据小编所知,LPC1788FBD208的CPU频率高达120 MHz。 除此以外,LPC1788FBD208的外围设备包括:高达512 kB的闪存程序存储器、高达96 kB的SRAM数据存储器、高达4032字节的EEPROM数据存储器、外部存储器控制器(EMC)、LCD(仅用于LPC178x)、以太网、USB设备/主机/ OTG、一个通用DMA控制器、五个UART、三个SSP控制器、三个I2C总线接口、一个八通道12位ADC、一个10位DAC、一个正交编码器接口、四个通用定时器、两个各具有六个输出的通用PWM、窗口式看门狗定时器、CRC计算引擎、多达165个通用I / O引脚等。 LPC178x / 7x的引脚分配旨在使引脚功能与LPC24xx和LPC23xx兼容。 二、LPC1788FBD208内存保护单元(MPU) LPC1788FBD208具有一个存储器保护单元(MPU),可以通过保护用户应用程序中的关键数据来提高嵌入式系统的可靠性。MPU通过禁止访问彼此的数据、禁用对内存区域的访问、允许将内存区域定义为只读以及检测可能破坏系统的意外内存访问来分离处理任务。MPU将内存分为不同的区域,并通过防止不允许的访问来实现保护。MPU最多支持八个区域,每个区域可分为八个子区域。访问MPU区域中未定义或区域设置不允许的内存位置,将导致发生“内存管理故障”异常。 三、LPC1788FBD208以太网模块 LPC1788FBD208采用的以太网模块包含功能齐全的10 Mbit/s或100 Mbit/s以太网MAC,旨在通过使用DMA硬件加速来提供优化的性能。LPC1788FBD208采用的以太网模块的功能包括:控制寄存器、半双工或全双工操作、流控制、控制帧、用于发送重试的硬件加速、接收数据包过滤和LAN活动唤醒。而且,LPC1788FBD208采用的以太网模块具有分散收集DMA的自动帧发送和接收功能,减轻了CPU的许多操作。 以太网模块和CPU通过AHB多层矩阵共享ARM Cortex-M3 D代码和系统总线,以访问各种片上SRAM模块以获取以太网数据、控制和状态信息。 以太网模块使用媒体独立接口(MII)或精简MII(RMII)协议在片外以太网PHY与片上媒体独立接口管理(MIIM)串行总线之间建立接口。 经由小编的介绍,不知道你对它是否充满了兴趣?如果你想对它有更多的了解,不妨尝试度娘更多信息或者在我们的网站里进行搜索哦。

    时间:2021-01-28 关键词: 恩智浦 微控制器 LPC1788FBD208

  • 还在找MPQ4415A高效同步降压转换器的介绍?看这篇就够了!

    还在找MPQ4415A高效同步降压转换器的介绍?看这篇就够了!

    本文中,小编将对MPS MPQ4415A高效同步降压转换器予以介绍,如果你想对它的详细情况有所认识,或者想要增进对MPQ4415A的了解程度,不妨请看以下内容哦。 一、MPQ4415A高效同步降压转换器概述 MPQ4415A 是一款内置功率 MOSFET 的高频同步整流降压开关变换器。MPQ4415A 提供非常紧凑的解决方案,在宽输入范围内可实现 1.5A 的持续输出电流,具有极好的负载和线性调整率。MPQ4415A 在输出电流负载范围内采用同步模式工作以达到高效率。 电流控制模式提供快速瞬态响应,并使环路更易稳定。全方位保护功能包括过流保护(OCP)和过温关断保护。 MPQ4415A 最大限度地减少了现有标准外部部件的使用,采用节省空间的 QFN-13(2.5mmx3mm)封装。 MPQ4415A以固定频率的峰值电流控制模式工作,以调节输出电压。内部时钟启动脉冲宽度调制(PWM)周期。 集成的高端功率MOSFET(HS-FET)导通并保持导通,直到电流达到COMP电压(VCOMP)设置的值为止。当电源开关关闭时,它将保持关闭状态,直到下一个时钟周期开始为止。如果功率MOSFET中的电流在一个PWM周期的85%内未达到VCOMP设置的值,则功率MOSFET将被强制关断。通过上面介绍,想必大家对MPQ4415A高效同步降压转换器已经具备了基本的认识。下面,小编将从几个不同的方面对MPQ4415A高效同步降压转换器进行展开介绍。 二、MPQ4415A高效同步降压转换器详述 1. 内部调节器 4.9V内部稳压器为大多数内部电路供电。该稳压器将VIN作为输入,并在整个VIN范围内工作。当VIN超过4.9V时,稳压器的输出处于完全稳压状态。当VIN降至4.9V以下时,输出跟随VIN下降。VCC需要一个0.1pF的去耦陶瓷电容器。 2. 连续传导模式(CCM)操作 MPQ4415A使用连续传导调制(CCM)模式,以确保该器件以从空载到满载范围的固定频率工作。CCM的优点是在轻负载时可控制的频率和较低的输出纹波。 3. 频率折返 当输入电压高于约21V时,MPQ4415A进入频率折返。频率降低到标称值的一半并变为1.1MHz。在软启动和短路保护期间也会发生频率折返。 4. 误差放大器(EA) 误差放大器(EA)将FB电压与内部0.807V基准电压(VREF)进行比较,并输出与两者之差成比例的电流。然后,该输出电流对内部补偿网络进行充电或放电,以形成VCOMP,该VCOMP控制功率MOSFET电流。优化的内部补偿网络最大程度地减少了外部元件数量,并简化了控制环路设计。 5. 欠压锁定(UVLO) 欠压锁定(UVLO)可防止芯片在电源电压不足的情况下工作。UVLO比较器监视内部稳压器(VCC)的输出电压。UVLO上升阈值约为3.5V,具有330mV的迟滞 6. Enable/SYNC EN / SYNC是用于打开和关闭调节器的控制引脚。将EN / SYNC驱动为高电平以打开稳压器;将EN / SYNC驱动为低电平可关闭稳压器。从EN / SYNC到GND的内部400kΩ电阻允许EN / SYNC悬空以关闭芯片。 EN / SYNC使用6.5V串联稳压二极管在内部钳位。通过上拉电阻将EN / SYNC输入连接至VIN上的电压,可将EN输入电流限制为小于100µA。例如,在将12V连接至VIN时,RPULLUP≥(12V-6.5V)÷100µA =55kΩ。 在没有上拉电阻的情况下将EN / SYNC直接连接到电压源需要将电压源的幅度限制为≤6V,以防止损坏齐纳二极管。 连接范围为450kHz至2.2MHz的外部时钟,以使内部时钟上升沿与外部时钟上升沿同步。外部时钟信号的脉冲宽度应小于350ns;外部时钟信号的关闭时间应小于1.9µs。 7. 内部软启动(SS) 软启动(SS)可以防止启动期间转换器输出电压过冲。芯片启动时,内部电路会生成软启动电压(VSS)。当VSS低于内部基准电压(VREF)时,VSS会覆盖VREF,因此误差放大器将VSS用作基准电压。当VSS超过VREF时,误差放大器将VREF用作参考。内部SS时间设置为1.5ms。 经由小编的介绍,不知道你对MPQ4415A高效同步降压转换器是否充满了兴趣?如果你想对MPQ4415A高效同步降压转换器有更多的了解,不妨尝试在MPS网站获取信息或者在我们的网站里进行搜索哦。

    时间:2021-01-26 关键词: 降压转换器 MPQ4415A EA

  • 高通5G芯片骁龙870丰富高端手机产品线,满足多样化需求

    高通5G芯片骁龙870丰富高端手机产品线,满足多样化需求

    过去的2020年,虽然受疫情影响全球经济发展速度放缓,但是对于5G领域依然动态不断,爆点多多,5G手机销售势头强劲。高通在2020年发布了多款从旗舰到中端的5G芯片,被众多终端产品采用,在5G芯片市场,高通以39%的份额稳居第一。 很多人对骁龙865/骁龙865 Plus这两款高通5G芯片应该印象深刻,作为高通骁龙的旗舰级产品,在2020年的高端5G手机市场取得了极大成功,推出两个月后即被70多款5G手机所采用,成为高端5G手机市场的标志性选择。 接着,在2020年底,高通又推出了最新一代的5G性能旗舰——骁龙888,作为骁龙865的下一代产品,高通5G芯片骁龙888在性能上的提升幅度很大。此前,从未有哪一款骁龙8系产品会有如此大跨度的性能跃升,直接拉高了整个5G手机市场的性能标杆,带给用户最前沿的5G旗舰新体验。 高通5G芯片骁龙870,作为骁龙865 Plus与骁龙888之间的中间产品,将5G高端旗舰品类再次细分,进一步丰富了骁龙8系产品线。此举可以满足5G手机市场多样化的用户需求,同时也能支持手机厂商快速推出对应的骁龙870系列5G手机终端。因为870原则上是865的升级版本,手机厂商与骁龙865/865 Plus磨合的已经相当默契,骁龙870作为升级版,虽说是一款全新的芯片产品,但是对于手机厂商来说却是驾轻就熟的,能够减少开发和调试成本,快速推出基于骁龙870打造的5G手机终端新品。 在5G手机市场需求日益放大的当下,骁龙870的推出,不仅能够为用户提供更加丰富、更具多样化的5G手机选择,同时也有助于手机厂商拉高出货量,以应对全球急速增长的5G手机市场需求,助力中国手机厂商在全球5G手机市场拓展更广阔的销售空间。 全新开启的2021年注定是5G智能终端产品大爆发的一年,经历了2019年5G商用元年的磨合,又跨过了5G加速发展的2020年,随着各国5G网络覆盖范围的不断扩大,5G手机市场必然会迎来一个急速扩张的阶段。预计2021年一年全球5G智能手机出货量将达到4.5亿部到5.5亿部,2022年则会超过7.5亿部。为了顺应急速扩张的5G手机市场需求,智能手机厂商必然会有更多5G机型推出,5G智能手机的出货量也会不断增加。这就需要各种层级的5G手机芯片作为支撑,不仅仅限于旗舰产品,也包括次旗舰、中端产品、低端产品等覆盖全系的各种细分芯片品种,以满足不断增长的5G市场的多样化、差异化需求。 基于此,作为全球最大移动设备芯片供应商,高通加快了5G芯片领域的布局。近来,高通发布产品的频率和以往相比要高得多,仅仅这两个多月就发布了三款5G芯片。除了我们刚刚提到的顶级旗舰骁龙888,以及次级旗舰骁龙870之外,高通公司还发布了定位低端市场的 新款骁龙4系5G芯片——骁龙480。虽然是一款入门级高通5G芯片,但是骁龙480本身拥有很多骁龙888旗舰特性,在连接效率、性能和功耗等方面都有不错的表现,是一颗全方位提升的5G芯片。据悉,高通公司定位中端产品线的骁龙7系列也会有5G芯片发布,不出所料应该是骁龙765/765G的下一代产品,性能直追骁龙865,也是一款性能非常劲爆的产品。 可见,高通骁龙旗舰层级的技术创新以及5G解决方案,不仅仅体现在8系旗舰机型中,还向更多层级下沉,拓展至骁龙7系、6系和4系多个产品序列,在全系列高通5G芯片产品的带动下,5G终端的加速普及已成大势所趋,而用户也能从中受益,在5G智能手机终端上面,拥有更多的选择权。

    时间:2021-01-22 关键词: 手机 高通 芯片 5G 骁龙870

  • 隧道施工管理难题该如何解决?

    隧道施工管理难题该如何解决?

    隧道、地下轨道交通、矿井的建筑施工环境艰苦恶劣、事故多发、管理复杂,隧道施工、运营企业面临很大的管理难题,需要一种能够高效、准确的人员安全管理系统。陕西领航软件隧道/矿井高精度定位管理系统使用UWB室内定位技术,通过在隧道区域中安装定位基站,为人员或设备佩戴定位标签的形式,实现人员精准实时定位。能够随时掌握人员在隧道中的位置、活动轨迹以及隧道各区域人员分布情况,并可在特殊情况下及时进行应急救援,提高工厂整体生产效率和管理水平,保障人员安全。定位系统够成:基站、标签、定位引擎、显示终端基站:要使用UWB技术给一个空间做室内定位,必须要预先在该空间安装好定位基站。基站通过UWB信号和定位标签进行通信,实现标签的定位功能。标签:待定位的人员、资产上须佩戴室内定位标签。标签发射UWB信号,与基站相互通信,使标签自身被定位。定位引擎:环境中的基站实时通过网络原始数据发送给定位引擎 (可能位于本地服务器或云端)。定位引擎运行定位算法,实时计算出带定位标签的坐标位置。显示终端:定位引擎计算出的标签坐标,要在显示终端上呈现。终端可能是PC、平板电脑、手机等任意有浏览器的屏幕。

    时间:2021-01-22 关键词: UWB

  • 联发科推出天玑1200芯片,6nm制程工艺,Redmi争抢首发!

    联发科推出天玑1200芯片,6nm制程工艺,Redmi争抢首发!

    中国5G智能手机市场,谁才是最大的SoC供应商?今天终于有了答案! 根据CINNO Research发布的最新数据显示,2020年中国市场智能手机处理器出货量为3.07亿颗,相对2019年下滑了20.8%。不过,中国台湾制造商联发科(MediaTek)下半年市场份额却呈现出爆发式增长,升至31.7%,其出货量一度超越高通排名榜首,首次成为了中国市场最大的智能手机处理器厂商。 (数据来源:CINNO Research Monthly China Smartphone Sales Report) 然而,作为一家著名的IC设计厂商,MediaTek似乎并不满足于这一成绩。 为进一步提升芯片性能,1月20日,MediaTek正式发布了两款全新的5G移动芯片——天玑1200与天玑1100。其中,天玑1200在5G、AI、拍照、视频、游戏等方面拥有领先的技术,可以赋能5G终端,为用户带来旗舰级的使用体验。 (发布会现场) 接下来,让我们一起来看看,天玑1200到底有多“香”。 首先,在性能表现方面,天玑1200采用的是台积电6nm先进工艺制造,晶体管密度提升了20%,较7nm工艺下的理论性能可提升30%-60%,在综合性能上有望与高通骁龙888一战。 与此同时,天玑1200的CPU采用了1+3+4旗舰级三丛架构设计,拥有1个主频高达3.0GHz的Arm Cortex-A78超大核,并搭配了九核GPU和六核MediaTek APU 3.0,以及双通道UFS 3.1。 (MediaTek无线通信事业部副总经理李彦辑) 据MediaTek无线通信事业部副总经理李彦辑介绍,与上一代天玑1000+相比,天玑1200的CPU性能提升了22%、能效提升了25%、GPU性能提升了13%。 其次,在5G连接方面,天玑1200不仅支持独立(SA)和非独立(NSA)组网模式、5G双载波聚合(2CC CA)、动态频谱共享(DSS)、MediaTek 5G UltraSave省电技术,同时还支持5G SA/NSA双模组网下的双卡5G待机、双卡VoNR语音服务等。 值得一提的是,天玑1200不仅领先支持全球5G运营商的Sub-6GHz全频段和大带宽,还致力于为用户打造全景全时的无缝5G连接体验,推出了5G高铁模式、5G电梯模式等应用模式,旨在通过智能场景感知、信号的快速捕获跟踪、智能搜网和驻网,让终端拥有高效且稳定的5G性能,并且结合MediaTek 5G UltraSave省电技术,可带来更低功耗的5G通信。 (MediaTek副总经理暨无线通信事业部总经理徐敬全) 据MediaTek副总经理暨无线通信事业部总经理徐敬全介绍,在过去一年内MediaTek推出了多款5G芯片产品,涵盖高端、中高端及大众化5G芯片,可以满足用户对高速传输的需求。 “2020年,天玑5G移动芯片全球出货量达到4500万颗;2021年,5G市场将继续快速发展,支持5G的运营商有望增加至200家,预计5G出货量将从今年的2亿部增长到5亿部,对于5G芯片的需求也将持续增加,未来MediaTek也会继续加大对5G市场的投入。”徐敬全在发布会上谈道。 据了解,目前已有多家OEM厂商对MediaTek天玑新品表示支持,包括Redmi、vivo、OPPO、realme等品牌。其中,Redmi将首发搭载天玑1200旗舰平台,并将于2021年发力电竞领域,推出Redmi首款旗舰游戏手机。 第三,在AI技术方面,天玑1200搭载了MediaTek独立AI处理器APU 3.0,可充分发挥混和精度优势,灵活运用整数精度与浮点精度运算。 除此之外,天玑1200还支持领先的芯片级单帧逐行4K HDR视频技术(Staggered HDR)、HDR10+视频编码技术,以及AI多人虚化、多景深智能对焦、AI流媒体画质增强等AI视频技术,不仅能够为用户带来“急速夜拍”和“超级全景夜拍”等拍照新体验,还可以实现多人的背景替换、多路人移除等手机视频拍摄特效。 (MediaTek无线通信事业部技术规划总监李俊男) 为了让大家更直观地看到天玑1200出色的拍摄效果,MediaTek无线通信事业部技术规划总监李俊男发布了一段视频,将普通模式、天玑1200模式、iPhone 12 Pro Max模式进行了对比。从视频中可以看出,无论是色彩,还是对比度,天玑1200都更胜一筹。 (视频截图) 第四,在游戏体验方面,天玑1200搭载了全新升级的MediaTek HyperEngine 3.0游戏优化引擎,能够从网络、操控、负载、画质四大方面优化用户的游戏体验。 同时,天玑1200还率先支持即将发布的蓝牙LE Audio(Bluetooth Low Energy Audio,蓝牙低功耗音频)标准,相较传统TWS真无线蓝牙耳机,可扩充至双通道串流音频,结合MediaTek的优化可让终端和TWS耳机获得更低延迟,延长耳机的续航。在玩家游戏时,HyperEngine 3.0的操控引擎能让多指触控时报点率保持稳定的高帧运行。 不仅如此,MediaTek还与腾讯游戏展开了深度合作,将端游级的渲染技术带入移动终端,让用户在手机上也能体验光线追踪(Ray Tracing)技术所带来的游戏效果。 (天玑1200与天玑1100产品介绍) 鉴于上述参数配置,21ic家认为,目前MediaTek基本具备了与高通争夺市场份额的实力,2021年国内手机芯片市场或将成为高通和MediaTek一决高下的主战场。未来,谁能主宰这一战场,让我们拭目以待吧! 附:一图看懂MediaTek天玑新品发布会

    时间:2021-01-21 关键词: 联发科 芯片 5G 天玑 MediaTek

  • 大佬带你看MPS MPQ20073存储器终端调节器全方位解析

    大佬带你看MPS MPQ20073存储器终端调节器全方位解析

    今天,小编将在这篇文章中为大家带来MPS MPQ20073存储器终端调节器的有关报道,通过阅读这篇文章,大家可以对它具备清晰的认识,主要内容如下。 一、MPQ20073存储器终端调节器概述 MPQ20073 集成了 DDR 存储器终端调节器,其输出电压(VTT)和缓冲 VTTREF 输出为 VREF 的一半。VTT-LDO 为 2A 灌/拉电流跟踪系统终端调节器。它专门设计用于低成本/少量外部元器件的系统,这些系统对空间利用率要求很高。 MPQ20073 仅需 20µF(2x10µF)的陶瓷输出电容便能维持快速瞬态响应。MPQ20073 支持 Kelvin 采样功能。MPQ20073 采用带散热焊盘的 8 引脚 MSOP 封装。 二、输入电容 取决于从电源到器件的走线阻抗,电源电流的瞬态增加主要由VDDQ输入电容器的电荷提供。使用10μF(或更大)的陶瓷电容器提供此瞬态电荷。 随着VTT使用更多的输出电容,请提供更多的输入电容。通常,使用1/2 COUT作为输入。 三、输出电容 为了稳定运行,VTT输出端子的总电容可以等于或大于20μF。并联连接两个10μF陶瓷电容器,以最大程度地减小ESR和ESL的影响。如果ESR大于10mΩ,则在输出和VTTSEN输入之间插入一个R-C滤波器,以实现环路稳定性。R-C滤波器的时间常数应几乎等于或略低于输出电容器及其ESR的时间常数。 四、VDRV电容器 在VDRV引脚附近放置一个介于1.0μF和4.7μF之间的陶瓷电容,以稳定3.3V电压,使其不受电源的任何寄生阻抗影响。 五、散热设计 由于MPQ20073是线性稳压器,因此VTT电流在源极和吸收极两个方向上的流动都会产生器件的功耗。在源极阶段,VDDQ和VTT乘以VTT电流之间的电势差成为功耗,Psource =(VDDQ-VTT)x Isource在这种情况下,如果VDDQ连接到低于VDDQ电压的备用电源,则功率损耗减少。对于灌电流阶段,在内部LDO稳压器上施加VTT电压,功耗Psink为: Psink = VTT x Isink 该设备不会同时吸收和吸收电流,并且吸收/吸收电流会随时间快速变化。热设计要考虑的实际功耗是上述值随时间的平均值。另一个功耗是VDDQ电源用于内部控制电路的电流。 该功率需要有效地从封装中消散。 六、PCB布局指南 良好的PCB布局设计对于确保DDR电源控制器的高性能和稳定运行至关重要。准备PCB布局时,必须考虑以下事项: 1.所有大电流走线必须保持尽可能短和宽,以减少功率损耗。高电流走线是从输入电压端子到VDDQ引脚的走线,从VTT输出端子到负载的走线,从输入接地端子到VTT输出接地端子的走线以及从VTT输出接地端子到电源引脚的走线。 GND引脚。高电流走线的功率处理和漏电流可以通过在其他层中通过同一路径布线相同的高电流走线并将它们与多个过孔连接在一起来改善。 2.为确保设备正常工作,应根据应用电路的不同功能使用分开的接地连接。 VTT输出电容器的接地应先通过短走线连接到GND引脚,然后再连接到GND的接地层。输入电容接地,VTT输出电容接地,VDDQ去耦电容接地应连接到GND平面。 3. 8引脚MSOP封装的散热垫应连接到GND,以提高散热性能。建议使用带有1盎司或2盎司铜箔的PCB。 4.应使用单独的感测走线将VTT稳压点(通常是负载的本地旁路电容器)连接到VTTSEN引脚。 5.应使用单独的感测走线将VREF稳压点连接至VTTREF引脚,以确保VTT的基准电压精度。 6.如果将VDDQ用作VTT的源极电源,则VDDQ应该以宽和短走线连接到VREF输入。如果使用外部电压源作为VTT的源极电源,则应在VDDQ引脚附近添加至少10μF的输入电容器,并旁路至GND。 以上所有内容便是小编此次为大家带来的有关MPQ20073存储器终端调节器的所有介绍,如果你想了解更多有关MPQ20073存储器终端调节器的内容,不妨在我们网站或者百度、google进行探索哦。

    时间:2021-01-20 关键词: MPQ20073 VTT MPS

  • STM32F334C8T6微控制器,内存、循环冗余校验、低功耗详细介绍

    STM32F334C8T6微控制器,内存、循环冗余校验、低功耗详细介绍

    意法半导体STM32F334C8T6微控制器将是下述内容的主要介绍对象,通过这篇文章,小编希望大家可以对STM32F334C8T6的相关情况以及信息有所认识和了解,详细内容如下。 微控制器是将微型计算机的主要部分集成在一个芯片上的单芯片微型计算机。微控制器诞生于20世纪70年代中期,经过20多年的发展,其成本越来越低,而性能越来越强大,这使其应用已经无处不在,遍及各个领域。而意法半导体的STM32F334C8T6正是一款性能优秀的微控制器。 一、STM32F334C8T6微控制器概述 STM32F334C8T6集成了高性能Arm®Cortex®-M432位RISC内核,可在高达72 MHz的频率下运行,并嵌入了浮点单元(FPU)、高速嵌入式存储器(最大64 KB闪存,高达12 KB的SRAM)以及连接到两条APB总线的各种增强型I / O和外围设备。 STM32F334C8T6微控制器提供两个快速的12位ADC(5 Msps),多达三个超快速比较器、一个运算放大器、三个DAC通道、一个低功耗RTC、一个高分辨率计时器、一个通用用途的32位计时器、一个专用于电机控制的计时器和四个通用的16位计时器。STM32F334C8T6微控制器还具有标准和高级通信接口:一个I2C、一个SPI、多达三个USART和一个CAN。 STM32F334C8T6在–40至+85°C和–40至+105°C的温度范围(2.0至3.6 V电源)下工作。 一套全面的省电模式允许设计低功耗应用。 二、STM32F334C8T6微控制器内存 (一)嵌入式闪存 STM32F334C8T6微控制器具有高达64 KB的嵌入式闪存,可用于存储程序和数据。 将闪存访问时间调整为CPU时钟频率(上述0个等待状态,从0到24 MHz,1个等待状态,从24到48 MHz,以及上述2个等待状态) (二)嵌入式SRAM STM32F334C8T6微控制器具有高达12 KB的嵌入式SRAM,并具有硬件奇偶校验功能。 可以以0个等待状态以CPU时钟速度以读/写方式访问该存储器,当从CCM(核心耦合内存)RAM运行代码时,允许CPU在72 MHz下达到90 Dhrystone Mips。 SRAM的组织方式如下: •带有奇偶校验(核心耦合内存或CCM)的指令和数据总线上的4 KB SRAM,用于执行关键例程或访问数据; •12 KB的SRAM,具有奇偶校验,映射在数据总线上。 三、STM32F334C8T6微控制器循环冗余校验计算单元(CRC) CRC(循环冗余校验)计算单元用于使用可配置的生成器多项式值和大小来获取CRC码。 在其他应用中,基于CRC的技术用于验证数据传输或存储完整性。在EN / IEC 60335-1标准范围内,它们提供了验证闪存完整性的方法。CRC计算单元有助于在运行时计算软件签名,并将其与链接时生成并存储在给定存储位置的参考签名进行比较。 四、STM32F334C8T6微控制器低功耗模式 STM32F334C8T6微控制器支持三种低功耗模式,以在低功耗、短启动时间和可用唤醒源之间实现最佳折衷: • 睡眠模式 在睡眠模式下,仅CPU停止。当发生中断/事件时,所有外设都可以继续运行,并且可以唤醒CPU。 •停止模式 停止模式可实现最低功耗,同时保留SRAM和寄存器的内容。停止1.8 V域中的所有时钟,禁用PLL、HSI RC和HSE晶体振荡器,STM32F334C8T6微控制器的稳压器也可以置于正常或低功耗模式,可以通过任意EXTI线将设备从停止模式唤醒。EXTI线路源可以是16条外部线路之一,即PVD输出、RTC警报、COMPx、I2C或USARTx。 • 待机模式 待机模式用于实现最低功耗。内部稳压器关闭,因此整个1.8 V域都关闭了电源,PLL、HSI RC和HSE晶体振荡器也被关闭。进入待机模式后,除了备份域和待机电路中的寄存器外,SRAM和寄存器内容都会丢失。当发生外部复位(NRST引脚)、IWDG复位、WKUP引脚上的上升沿或RTC警报时,设备退出待机模式。 最后,小编诚心感谢大家的阅读。你们的每一次阅读,对小编来说都是莫大的鼓励和鼓舞。最后的最后,祝大家有个精彩的一天。

    时间:2021-01-20 关键词: 微控制器 意法半导体 STM32F334C8T6

  • MediaTek发布新一代天玑旗舰,天玑1200全新体验赋能5G移动市场

    MediaTek发布新一代天玑旗舰,天玑1200全新体验赋能5G移动市场

    2021年1月20日——MediaTek举办天玑新品线上发布会,正式发布全新的天玑旗舰5G移动芯片——天玑1200与天玑1100,通过在5G、AI、拍照、视频、游戏等全方面的出色技术,为快速增长的全球移动市场注入新动力。 MediaTek副总经理暨无线通信事业部总经理徐敬全博士表示:“2020年MediaTek发布了天玑1000、800和700三个系列5G移动芯片,在全球取得了出色的市场成绩,助力终端获得销量和口碑佳绩,MediaTek 5G得到了行业合作伙伴和客户们的高度认可。2021年,我们将在技术端、产品端、品牌端持续创新和投入,让天玑系列为5G终端市场带来更多可能,为用户带来更卓越、更先进的使用体验。” 全新的天玑1200集成MediaTek 5G调制解调器,通过包涵6大维度、72个场景测试的德国莱茵TÜV Rheinland认证,支持高性能5G连接,带给用户全场景的高品质5G连网体验。 进入5G时代,AI多媒体成为主流应用,天玑1200以强劲的平台性能为基础,结合MediaTek先进的AI多媒体技术,例如三重曝光的单帧逐行4K HDR视频技术(Staggered HDR),为用户带来更丰富的拍照、视频、直播等多媒体创作方式,以及更精致的移动视觉享受。 MediaTek天玑1200的主要特性: ◆ 强劲性能 天玑1200基于台积电6纳米先进工艺制造,CPU采用1+3+4的旗舰级三丛架构设计,包含1个主频高达3.0GHz的Arm Cortex-A78超大核,搭配九核GPU和六核MediaTek APU 3.0,以及双通道UFS 3.1,平台性能大幅提升。 ◆ 先进5G连接 天玑1200在5G方面保持了持续领先性,支持独立(SA)和非独立(NSA)组网模式、5G双载波聚合(2CC CA)、动态频谱共享(DSS)、MediaTek 5G UltraSave省电技术,以及5G SA/NSA双模组网下的双卡5G待机、双卡VoNR语音服务等。 天玑1200不仅领先支持全球5G运营商的Sub-6GHz全频段和大带宽,还致力于为用户打造全景全时的无缝5G连接体验,推出5G高铁模式、5G电梯模式等应用模式。通过智能场景感知、信号的快速捕获跟踪、智能搜网和驻网,让终端拥有高效且稳定的5G性能,结合MediaTek 5G UltraSave省电技术,带来更低功耗的5G通信。 ◆ 旗舰级AI多媒体 天玑1200搭载MediaTek独立AI处理器APU 3.0,可充分发挥混和精度优势,灵活运用整数精度与浮点精度运算,达到更高的AI应用能效。结合AI多任务调度机制,通过AI降噪、AI曝光、AI物体追踪等AI技术的高度融合,为用户带来“急速夜拍”和“超级全景夜拍”等拍照新体验。通过AI多人实时分割技术,还可实现多人的背景替换、多路人移除等手机视频拍摄特效,为4K分辨率视频的创作带来更多精彩。 天玑1200支持领先的芯片级单帧逐行4K HDR视频技术(Staggered HDR),在用户录制4K视频时,对每帧画面进行3次曝光融合处理,让视频画质拥有出色的动态范围,在色彩、对比度、细节等方面有显著提升。同时,结合天玑1200的HDR10+视频编码技术,完整输出Staggered HDR视频效果,为用户带来更为惊艳的端到端跨屏HDR体验。另外,天玑1200还支持AI多人虚化、多景深智能对焦、AI流媒体画质增强等AI视频技术,为vlog创作和直播带来了更多创新可能。 天玑1200用AI技术增强视频画质,通过人工智能对大量影片进行深度学习,从导演视角对视频画面进行逐帧调教,为SDR片源带来接近HDR的动态范围,在AI加持下的SDR转HDR技术可以让移动终端呈现更精彩的视频影像。 此外,天玑1200支持最高2亿像素拍照以及AV1视频格式。 ◆ 畅快游戏 天玑1200搭载了全新升级的MediaTek HyperEngine 3.0游戏优化引擎,在网络优化引擎、操控优化引擎、智能负载调控引擎、画质优化引擎四大核心特性上,带来了行业领先的创新技术。 HyperEngine 3.0再次升级游戏网络体验,在5G网络连接下可实现游戏通话双卡并行,用户可以在主卡玩手游的同时接听副卡来电,游戏持续不断线。超级热点和高铁游戏模式则针对不同的游戏环境进行网络优化,有效降低游戏网络延迟和卡顿。 天玑1200率先支持即将发布的蓝牙LE Audio(Bluetooth Low Energy Audio,蓝牙低功耗音频)标准,相较传统TWS真无线蓝牙耳机,可扩充至双通道串流音频,结合MediaTek的优化可让终端和TWS耳机获得更低延迟,延长耳机的续航。在玩家游戏时,HyperEngine 3.0的操控引擎能让多指触控时报点率保持稳定的高帧运行。另外,HyperEngine 3.0的智能负载调控引擎新增游戏高刷省电、智能健康充电、Wi-Fi 6省电模式,旨在平衡性能与功耗、延长续航和电池寿命。 此外,MediaTek HyperEngine布局图形关键技术——光线追踪(Ray Tracing),将端游级游戏渲染带入移动终端,为游戏厂商、开发者、终端提供强大的图形处理能力,为手游玩家带来媲美真实的游戏画面,引领移动端图形技术趋势。 在MediaTek天玑新品发布会上,多家行业生态合作伙伴联合出席,包括Arm、中国移动、中国联通、中国电信、慧鲤科技Tetras.AI、虹软科技ArcSoft、极感科技JIIGAN、德国莱茵TÜV Rheinland、腾讯游戏等,介绍了与MediaTek在产品和技术上的深度合作,未来将继续共同携手,带来更多创新技术和更卓越的用户体验。 同时,多家OEM厂商对MediaTek天玑新品表示支持,包括小米、vivo、OPPO、realme等,并预告终端将在2021年陆续上市。

    时间:2021-01-20 关键词: 联发科 5G 天玑 MediaTek

  • MPS MPQ4436同步降压变换器:集成上下管功率MOSFET、频率可调

    MPS MPQ4436同步降压变换器:集成上下管功率MOSFET、频率可调

    本文中,小编将对MPS的MPQ4436低静态电流同步降压变换器予以介绍,如果你想对这款低静态电流同步降压变换器的详细情况有所认识,或者想要增进对它的了解程度,不妨请看以下内容哦。 一、MPQ4436同步降压变换器概述 MPQ4436同步降压变换器是一款集成了上下管功率MOSFET、频率可调的同步降压开关调节器。它采用电流控制模式,可以提供6A(或以下)高效输出,具有快速环路响应。其3.3V 至 45V 宽工作输入电压范围使其适用于汽车环境中的各种降压应用。1.7μA的关断静态电流使其适用于电池供电应用。 通过在轻载条件下降低开关频率,减少了开关和栅极驱动损耗,从而在宽负载范围内实现高功率转换效率。另通过一个漏级开路电源正常指示(PG)信号来指示输出电压是否在正常范围(93% 至106%)内。其频率折返功能可有效防止启动时电感电流的流失。 二、MPQ4436同步降压变换器详述 (一)PWM控制 在中等至高输出电流下,MPQ4436同步降压变换器以固定频率的峰值电流控制模式工作,以调节输出电压。 PWM周期由内部时钟启动。 在时钟的上升沿,高端MOSFET(HS-FET)导通并保持导通状态,直到其电流达到内部COMP电压(VCOMP)设置的值为止。 HS-FET导通后,它将保持至少100ns的导通时间。 当高端电源开关关闭时,低端MOSFET(LS-FET)立即打开并保持开启状态,直到下一个周期开始。 LS-FET导通后,在下一个周期开始之前,它将保持导通至少80ns。 如果在一个PWM周期内HS-FET中的电流未达到COMP设置的电流值,则HS-FET保持导通,从而节省了关断操作。即使未达到COMP,如果导通时间持续约10µs,也会强制HS-FET截止。 (二)轻载运行 在轻载条件下,通过将MODE引脚设置为两种不同状态之一,MPQ4436同步降压变换器可以在两种不同的操作模式下工作,MPQ4436同步降压变换器在以下情况下可在强制CCM中工作。 CCM引脚被拉至1.8V以上。在此模式下,该部件以固定频率工作,从空载到满载。CCM的优点是在轻负载时可控制的频率和较低的输出纹波。 当MODE引脚被拉至0.4V以下时,MPQ4436同步降压变换器工作在异步高级模式(AAM)。 AAM旨在优化轻载和空载条件下的效率。当启用AAM时,只要电感器电流在轻载时接近零,MPQ4436就会首先进入非同步操作。如果负载进一步减小或没有负载使VCOMP减小到设定值,则MPQ4436进入AAM。在AAM中,每当VCOMP超过设定值时,内部时钟就会复位。交叉时间被用作下一个时钟的基准。当负载增加且VCOMP超过设定值时,操作模式为DCM或CCM,其开关频率恒定。 (三)低压差操作和BST刷新 为了改善压降,只要BST到SW的电压大于2.5V,MPQ4436同步降压变换器就可以在接近100%的占空比下工作。当从BST到SW的电压下降到2.5V以下时,HS-FET将使用UVLO电路关闭,这将使LS-FET传导并刷新BST电容器上的电荷。 在DCM模式或PSM模式下,强制LS-FET刷新BST电压。 由于来自BST电容器的电源电流很低,因此与刷新电容器相比,HS-FET保持导通的开关周期更多。 因此,开关调节器的有效占空比高。 稳压器压降期间的有效占空比主要受功率MOSFET两端的压降,电感器电阻,低侧二极管和PCB电阻的影响。 (四)误差放大器 误差放大器将FB引脚电压与内部基准电压(0.815V)进行比较,并输出与两者之差成比例的电流。 然后,该输出电流用于对补偿网络充电以形成VCOMP,该VCOMP用于控制功率MOSFET电流。工作期间,最小VCOMP钳位至0.9V,最大VCOMP钳位至2.0V。 在关断模式下,COMP在内部下拉至GND。 上述所有信息便是小编这次为大家推荐的有关MPS的MPQ4436同步降压变换器的内容,希望大家能够喜欢,想了解更多有关MPQ4436同步降压变换器的信息或者其它内容,请关注我们网站哦,或者去MPS的官网进行搜索哦。

    时间:2021-01-20 关键词: MPQ4436 同步降压变换器 MPS

  • TI TLV9032-Q1车规级精密双路推挽比较器,容错输入高达6V

    TI TLV9032-Q1车规级精密双路推挽比较器,容错输入高达6V

    TI的TLV9032-Q1精密双路推挽比较器将是下述内容的主要介绍对象,通过这篇文章,小编希望大家可以对它的相关情况以及信息有所认识和了解,详细内容如下。 一、TI TLV9032-Q1推挽比较器介绍 TI TLV9032-Q1推挽比较器是汽车级双通道和四通道比较器系列。该系列提供低输入失调电压,集成的上电复位(POR)电路和容错输入,具有出色的速度-功率组合,传播延迟为100 ns。工作电压范围为1.65 V至5.5 V,每个通道的静态电源电流为18µA。 TI TLV9032-Q1推挽比较器系列还具有上电复位(POR)功能,可确保输出处于已知状态,直到达到最小电源电压为止,并且在输出开始响应输入之前经过一小段时间。这样可以防止在系统加电和断电期间产生输出瞬变。 这些比较器还具有无容错输入的输出相位反转功能,容错输入可高达6V,而不会损坏。这使得该系列比较器非常适合在恶劣,嘈杂的环境中进行精密电压监控。 TI TLV9032-Q1推挽比较器具有一个漏极开路输出级,可以将其拉低至电源电压以下或超过电源电压,从而使其适用于低压逻辑和电平转换器。 TI TLV9032-Q1推挽比较器具有推挽输出级,当控制LED或驱动MOSFET栅极之类的容性负载时,能够吸收和提供毫安电流。 TI TLV9032-Q1推挽比较器的额定温度范围为-40°C至+ 125°C的汽车温度范围,并提供标准的有铅和无铅封装。 二、TI TLV9032-Q1推挽比较器推挽输出 TI TLV9032-Q1推挽比较器具有推挽输出级,能够吸收和拉出电流。这样就可以驱动诸如LED和MOSFET栅极之类的负载,并且无需使用浪费功率的外部上拉电阻。推挽输出绝不能连接到另一个输出。 未使用的推挽输出应悬空,并且切勿与电源,地或其他输出相连。 虽然单个输出通常可以吸收和提供高达100mA的电流,但所有通道的总组合电流必须小于200 mA。 三、TI TLV9032-Q1推挽比较器上电复位 TI TLV9032-Q1推挽比较器具有内部上电复位(POR)电路,用于已知的启动或掉电条件。当电源(Vs)上升或下降时,POR电路将被激活达 超过最小电源电压阈值1.5V后30µs,或者当电源电压降至1.5V以下时立即使用。 当电源电压等于或大于最小电源电压时,并且在延迟时间之后,比较器输出将反映差分输入(VID)的状态。POR电路将在POR周期(吨)内保持输出高阻抗(HI-Z)。 请注意,集电极开路输出的特性是在POR期间输出将随着上拉电压而上升。 对于TI TLV9032-Q1推挽比较器的推挽输出设备,在POR期间输出为“浮动”。可以使用一个上拉(至V +)或下拉(至V-)电阻来对输出条件进行预偏置,以防止输出浮动。如果输出高电平是所需的启动条件,则使用集电极开路TL902x-Q1,因为已经需要一个上拉电阻。 四、TI TLV9032-Q1推挽比较器容错输入 TI TLV9032-Q1推挽比较器输入具有高达5.5V的容错能力,与VS无关。 容错被定义为在VS断电或在建议的工作范围内时,保持相同的高输入阻抗。 容错输入可以是0 V至5.5 V之间的任意值,即使VS为零或上升或下降。 只要输入电压范围和电源电压在指定范围内,此功能就可以避免电源排序问题。 这是可能的,因为即使输入电压较高,输入也不会钳位到V +,并且输入电流仍保持其值。 只要输入引脚之一保持在有效输入范围内,并且电源电压有效且不在POR中,则输出状态将正确。 TI强烈建议在正常系统操作期间将输入保持在指定的输入电压范围内,以保持数据手册的规格。在规定的输入范围之外工作会导致规格变化,例如传播延迟和输入偏置电流,这可能会导致不可预测的行为。 以上便是小编此次带来的全部内容,十分感谢大家的耐心阅读,想要了解更多相关内容,或者更多精彩内容,请一定关注我们网站哦。

    时间:2021-01-20 关键词: TI 比较器 TLV9032-Q1

  • ACS37800功率监控芯片:物联网设备、数据中心的变革性产品

    ACS37800功率监控芯片:物联网设备、数据中心的变革性产品

    在下述的内容中,小编将会对Allegro MicroSystems推出的ACS37800功率监控芯片相关内容予以报道,如果功率监控芯片是您想要了解的焦点之一,不妨和小编共同阅读这篇文章哦。 我们看到的小小芯片,却演绎着这个世界尖端的科技,它遍布了消费电子、汽车电子、工业自动化、金融系统、国防军工等各个领域,为各行各业实现信息化、智能化奠定了基础,芯片的发展正在改变着这个世界。芯片即是将集成电路制作在一小块半导体晶片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构。以制造为主的芯片下游,是我国集成电路产业最薄弱的环节。由于工艺复杂,芯片制造涉及到从学界到产业界在材料、工程、物理、化学、光学等方面的长期积累,这些短板短期内难以补足。而ACS37800功率监控芯片,正是一款出色的芯片产品。 ACS37800功率监控芯片是一款优秀产品,采用小型SOIC16W封装。采用该类型封装的好处在于,可以减小整体方案的尺寸,并降低设计、制造成本。此外,采用该芯片,可以对交流和直流信号的功率、电流以及电压进行检测。 可以说,ACS37800功率监控芯片的发布是变革性的。因为,ACS37800功率监控芯片对众多应用领域都带来了积极影响,其中包括:物联网设备、数据中心、智能照明等。同上一代集成方案相比,ACS37800弥补了交流/直流电压、电流的测量,并简化了功率测量。除此以外,ACS37800进一步增强了隔离能力。 通过检测电源效率的降低,ACS37800功率监控芯片可以对设备进行预测性维护,并监控设别的功耗变化。这些优点,使得ACS37800在一些特定领域可以得到更好的应用,如楼宇自动化、电机控制等。 上文提及到,SOIC16封装是ACS37800功率监控芯片采用的封装形式。采用该封装形式的其它好处在于,可以降低材料清单的复杂性以及成本。 在供电方面,ACS37800功率监控芯片供电电压可以同系统微处理器相同,该功能的实现依赖于芯片内部集成的稳压器。 ACS37800功率监控芯片可以进一步简化功率三角形测量,这主要通过计算有功、无功和视在功率等参数得以实现。此外,ACS37800功率监控芯片通过计算多次瞬时测得的平均值来获得更高的准确性。 针对不同的应用场景的需求,使用人员可以对ACS37800功率监控芯片进行编程。由此可见,ACS37800功率监控芯片具备很强的灵活性和可配置性。在I2C模式下,LED调光控制将因为过零检测技术而变得更为容易。 ACS37800功率监控芯片是Allegro MicroSystems 公司推出的芯片产品,为帮助大家更广泛的了解这款芯片,下面小编对该公司进行简单介绍。 Allegro MicroSystems 公司在高性能电源和霍尔效应传感器集成电路的开发、制造及营销领域始终引领全球潮流。Allegro 独具创新的解决方案服务于汽车市场中的高增长应用,此外也开发办公自动化、工业和消费/通讯解决方案。Allegro 公司总部位于美国马萨诸塞州伍斯特市,在世界各地拥有设计、应用和销售支持中心。 Allegro 主要为电动机控制、调节及磁场感测应用开发集成电路解决方案。我们提供高度集成的混合信号 IC,不仅元件数量日益增多,功能也更加强大。Allegro 系列产品是标准的“即插即用”型产品,在产品类别及纵深方面皆出类拔萃。Allegro 当前拥有两个不同技术领域的事业群。这两个事业群通过进入或拓展至增长较快的市场共同发展、向上集成并促进多样化。 上述所有信息便是小编这次为大家推荐的有关ACS37800功率监控芯片的详细内容,希望大家能够对ACS37800功率监控芯片已经具备了足够的了解。如果您还想了解更多有关ACS37800功率监控芯片的信息或者其它内容,请关注我们网站哦。

    时间:2021-01-20 关键词: 芯片 功率 ACS37800

  • MPS MPQ4210同步升降压控制器,电源供应、启动介绍

    MPS MPQ4210同步升降压控制器,电源供应、启动介绍

    在这篇文章中,小编将为大家带来MPS MPQ4210同步升降压控制器的相关报道。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣,不妨继续往下阅读哦。 一、MPQ4210同步升降压控制器概述 MPQ4210 是一款高效率同步 4 开关升降压控制器,在宽输入电压范围内能调节不同输出电压。MPQ4210 提供了一个 I2C 接口,具有VOUT 电压可编程性、VOUT 变化斜率控制和恒定输出电流限值可编程功能,支持 USB Type-C 电源中的 USB 功率传输(PD)设计。MPQ4210 在降压模式下使用谷值电流控制方式,在升压模式下使用峰值电流控制方式,可提供快速负载瞬态响应和平滑的升降压模式瞬态。 MPQ4210同步升降压控制器提供强制连续导通模式(FCCM)和可编程平均电流限制功能,支持不同应用中各种灵活设计。它还具有可编程过流保护(OCP)模式、可编程过压保护(OVP)模式和可编程 VIN UVLO 迟滞。 通过上面的介绍,想必大家对MPQ4210同步升降压控制器已经具备了基本了解。下面,小编将对MPQ4210同步升降压控制器在电源供应、启动、平均电流限制三方面予以详细介绍。 二、MPQ4210同步升降压控制器电源供应 MPQ4210的内部电路由5.2V AVDD供电,而栅极驱动器由7.2V VCC供电。 VCC由VIN和VOUT调节,而AVDD由VCC供电。当提供VIN电源且EN为高电平时,MPQ4210尝试将VCC调节为7.2V,同时将AVDD调节为5.2V。当AVDD上升至UVLO电压以上时,如果ENPWR为高电平,则器件开始开关,并通过软启动控制来调节VOUT。如果VIN和VOUT均高于8.8V,则MPQ4210从较低的电压源中的任意一个为VCC供电,以降低功耗。否则,它将通过VIN和VOUT的较高电压电源为VCC供电,以获得足够的VCC电压。 VCC和BST具有独立的UVLO,可保持栅极信号关闭。 VCC和BST应该具有足够的电压以使能MPQ4210开关,但AVDD UVLO除外。 MPQ4210同步升降压控制器在6V至40V的输入电压范围内工作。启动后,如果从VOUT为VCC供电,则该部件将一直工作到VIN降至5V以下。当通过AVDD_UVLO或EN信号关闭MPQ4210时,I2C接口无法响应主机,COMP立即被拉低。 VCC,AVDD和BST电压随着泄漏缓慢下降,但所有逻辑均关闭。 三、MPQ4210同步升降压控制器启动 启用MPQ4210时,它将通过软启动(SS)控制开始切换。 SS电路将电流充电到SS引脚,并使SS电压从0V上升。 然后,它馈入误差放大器以控制输出电压。 SS信号上升到编程的参考电压(由VREF位设置)后,软启动完成,并开始进行闭环调节。 除非触发保护功能,否则在稳定状态下,SS电压将上升并钳位在高于VREF的0.6V处。 通常,由于VOUT远低于VIN,因此MPQ4210在启动后以降压开关启动。 如果VOUT上有一些偏置电压,则直到SS信号上升到VFB以上(与VOUT偏置电压成比例)之后,MPQ4210同步升降压控制器器件才会切换。 在SS期间,IC工作在自动PFM模式下。 在SS期间,OVP和打ic-OCP无效。 四、MPQ4210同步升降压控制器平均电流限制 IAVGP和IAVGN引脚感测MPQ4210中的输出电流。 可以将一个检测电阻器连接到VOUT线路,以进行平均输出电流限制控制。一旦检测到的信号高于电流限制参考电压,一个内部EA就会拉低VSS。最终,VSS取代了VREF来控制COMP,并且电感电流受COMP限制,以将较少的能量传输到输出。SS将输出调节为低电平,直到平均负载电流下降为止。 如果开关电流由平均电流限值调节,并且没有触发逐周期电流限值,则即使达到平均电流限值,MPQ4210同步升降压控制器也不会触发打ic或闭锁保护。 此功能使MPQ4210同步升降压控制器可以进行恒定电流充电。如果仅触发平均电流限制,则中断OCP位不会设置为1,并且INT不会拉低。 以上就是小编这次想要和大家分享的有关MPQ4210同步升降压控制器的内容,希望大家对MPQ4210同步升降压控制器已经具备了全面的了解。如果您想要看不同类别的文章,可以在网页顶部选择相应的频道哦。

    时间:2021-01-19 关键词: 控制器 MPQ4210 MPS

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