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Qorvo® Matter™ 解决方案新增三款QPG6200系列SoC
近日，全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）宣布拓展其QPG6200产品组合，全新推出三款Matter系统级芯片（SoC）。此次扩展的产品系列具有超低的功耗，并采用Qorvo独有的ConcurrentConnect™技术，可为智能家居、工业自动化和物联网市场提供强大的多协议支持功能和无缝互操作性。
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Rambus推出面向下一代AI PC内存模块的业界领先客户端芯片组
中国北京，2025年5月15日 —— 作为业界领先的芯片和半导体IP供应商，致力于使数据传输更快更安全，Rambus Inc.（纳斯达克股票代码：RMBS）今日宣布推出面向下一代人工智能（AI）个人电脑（ PC）内存模块的完整客户端芯片组，包含两款用于客户端计算的全新电源管理芯片（PMIC）。PMIC是实现高效供电的关键，能够为先进的计算应用提供突破性的性能表现。这两款业界领先的全新Rambus PMIC分别是适用于LPDDR5 CAMM2（LPCAMM2）内存模块的PMIC5200，以及适用于DDR5 CSODIMM和CUDIMM的PMIC5120。
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首款采用 DO-214AB 紧凑型封装的 2kA 保护晶闸管
节省空间的设计为恶劣环境提供汽车级高浪涌电流保护
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英飞凌推出用于高压应用的EasyPACK™ CoolGaN™ 功率模块，进一步扩大其氮化镓功率产品组合
【2025年5月15日, 德国慕尼黑讯】随着AI数据中心的快速发展、电动汽车的日益普及，以及全球数字化和再工业化趋势的持续，预计全球对电力的需求将会快速增长。为应对这一挑战，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出EasyPACK™ CoolGaN™ 650 V晶体管模块，进一步扩大其持续壮大的氮化镓（GaN）功率产品组合。该模块基于Easy Power Module平台，专为数据中心、可再生能源系统、直流电动汽车充电桩等大功率应用开发。它能满足日益增长的高性能需求，提供更大的易用性，帮助客户加快设计进程，缩短产品上市时间。
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Bourns 推出车规级多层压敏电阻系列，具备先进瞬态能量吸收能力，提供卓越的浪涌保护
专为汽车电路设计，全新压敏电阻采用 1210 与 1812 SMD 封装，实现更高能量分布与功率耗散效能
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具有8:1固定转换比的紧凑型数字IBC能大大提升AI数据中心的能效
BMR323可提供高达1.2 kW的峰值功率，峰值效率达97.8%，相比前代产品BMR320提升了超过60%的输出功率，同时又保持封装尺寸兼容。您能轻松地在现有设计基础上升级，用最小的改动满足持续功率与峰值功率需求的提升。
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适用于高频功率应用的 IXD2012NTR 高压侧和低压侧栅极驱动器
提供 1.9 A拉电流和 2.3 A灌电流输出，以实现稳健的栅极驱动性能并提高开关效率
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为下一代800V电动汽车牵引逆变器平台带来更长续航与长期的卓越性能
为实现零排放的未来，汽车行业迫切需要重塑。汽车制造商必须加速推出差异化的电动车型。恩智浦携手Wolfspeed，共同推出一款经过全面验证的800V牵引逆变器参考设计，有效帮助电动汽车系统架构师克服诸多技术障碍。
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面向具身智能的旗舰级边缘AI SoC，芯驰科技D9-Max亮相第十五届松山湖论坛
近年来，随着人工智能和机器人技术的快速发展，具身智能领域迎来了前所未有的机遇。特别是在工业自动化、服务机器人、智能交通以及智能制造等领域，市场需求快速增长，对芯片的性能、可靠性和集成度提出了更高要求。具身智能设备的核心是具备强大AI计算能力、高效实时处理能力以及高度集成化的芯片解决方案，因此芯片技术创新成为产业竞争的焦点。
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Bourns® IsoMOV® 混合保护器荣获 IEC 61051-2 符合性认证，并列入 UL 1449 认证名单
具备延长应用使用寿命和提升可靠性的特点，IsoMOV® 保护器是首款同时获得这两项国际标准认证的混合型浪涌保护器。
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意法半导体车规栅极驱动器提升电动汽车电驱系统的可扩展性和性能
STGAP4S具有高集成度、电隔离和诊断功能
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在射频信号链中，阻抗匹配具有哪些更重要的意义?
大约在1929年，贝尔实验室经过一系列实验发现，30Ω和77Ω阻抗的同轴电缆在传输大功率信号时表现出色，前者传输功率最大，后者信号损耗最小。
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联想全新折叠屏、四曲面屏手机与AI平板震撼登场：Moto Razr 60、Edge 60、YOGA Pad Pro 14.5 融合汇顶科技多重技术方案组合
2025年5月8日晚，联想在天禧AI生态春季新品超能之夜活动中发布了三款消费通信类重磅产品：Moto Razr 60系列、Moto Edge 60系列以及YOGA Pad Pro 14.5 AI元启版。这些设备不仅彰显了联想在智能手机和平板电脑领域的创新实力，还通过集成汇顶科技的先进芯片与解决方案，为用户带来了卓越的交互体验和性能表现。
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英飞凌SiC超结技术树立新标准，加速电动汽车普及与工业效率提升
【2025年5月7日, 德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）作为碳化硅（SiC）功率器件及SiC MOSFET沟槽栅技术的领导者，始终以卓越性能与高可靠性相结合的解决方案引领行业。目前，CoolSiC™产品系列覆盖了400 V至3.3 kV的电压范围，应用领域包括汽车动力传动系统、电动汽车充电、光伏系统、储能及高功率牵引逆变器等。现在，英飞凌又凭借丰富的SiC业务开发经验以及在硅基电荷补偿器件（CoolMOS™）领域的创新优势，推出了SiC沟槽型超结（TSJ）技术。
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英飞凌推出新型CoolSiC™ JFET技术，实现更加智能、快速的固态配电
【2025年5月6日, 德国慕尼黑讯】为推动下一代固态配电系统的发展，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出了新型CoolSiC™ JFET产品系列。新系列产品拥有极低的导通损耗、出色的关断能力和高可靠性，使其成为先进固态保护与配电系统的理想之选。凭借强大的短路能力、线性模式下的热稳定性以及精确的过压控制，CoolSiC™ JFET可在各种工业和汽车应用中实现可靠且高效的系统性能，包括固态断路器（SSCB）、AI数据中心热插拔模块、电子熔断器、电机软启动器、工业安全继电器以及汽车电池隔离开关等。
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