英飞凌扩展其CoolSiC™产品系列，推出专为高功率与计算密集型应用而设计的400V和440V MOSFET

时间：2025-10-24 17:39:05

关键字： MOSFET D类音频放大器电机驱动

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[导读]【2025年10月24日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)通过增加顶部散热(TSC)的TOLT封装及TO-247-3和TO-247-4封装扩展其CoolSiC™ 400V G2 MOSFET产品组合。此外，英飞凌还推出了三款额定电压为440V(连续)和455V(瞬态)的TOLL封装新产品。新的CoolSiC™ MOSFET具有更优的热性能、系统效率和功率密度。其专为满足高功率与计算密集型应用需求而设计，涵盖了AI服务器电源、光伏逆变器、不间断电源、D类音频放大器、电机驱动、固态断路器等领域。这款新产品可为这些关键系统提供所需的可靠性与性能。

【2025年10月24日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)通过增加顶部散热(TSC)的TOLT封装及TO-247-3和TO-247-4封装扩展其CoolSiC™ 400V G2 MOSFET产品组合。此外，英飞凌还推出了三款额定电压为440V(连续)和455V(瞬态)的TOLL封装新产品。新的CoolSiC™ MOSFET具有更优的热性能、系统效率和功率密度。其专为满足高功率与计算密集型应用需求而设计，涵盖了AI服务器电源、光伏逆变器、不间断电源、D类音频放大器、电机驱动、固态断路器等领域。这款新产品可为这些关键系统提供所需的可靠性与性能。

CoolSiC™ MOSFET 400 V G2产品组合专为满足高功率与计算密集型应用需求而设计，适用于包括AI服务器电源在内的多种场景

与传统的250V和300V电压等级的硅(Si)技术相比，CoolSiC™ G2 400V和440V MOSFET在120°C工作温度下的导通损耗可降低多达50%，这归功于其导通电阻R(DS(on)随结温(Tj)变化的平稳表现。此外，其开关性能指标显著提升，反向恢复电荷相比传统技术减少了至少五倍。在系统层面，CoolSiC™ G2 400V和440V MOSFET在用于三电平飞跨电容CCM图腾柱PFC ，相较于交错式两电平CCM图腾柱PFC电路，峰值电源效率提升最高可达0.4%，相当于峰值效率下系统损耗减少约15%。