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意法半导体推出世界首个内置抗量子硬件加密处理器的移动安全芯片产品ST54M，为下一代互联服务保驾护航
2026年6月25日，中国——服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST，纽约证券交易所代码:STM) 推出了一款移动安全芯片，这款名为ST54M的新产品可以帮助智能手机等各类个人消费电子厂商应对即将到来的防御量子攻击安全要求，同时确保用户在各类不同的互联增值服务时获得顺畅无缝的体验。
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ROHM开发出实现业界超低损耗的650V耐压IGBT
中国上海，2026年6月25日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出650V耐压第4代IGBT*1，新产品非常适用于车载电动压缩机、HV加热器以及工业设备用变频器等应用。作为支持车载应用的650V级产品，实现了业界超低导通损耗VCE(sat)=1.55V，同时具备出色的短路耐受能力*²，符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*³。
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兆易创新推出GD33AP236x系列车规级SBC，进一步完善汽车电子布局
中国北京(2026年6月25日)—— 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice(股票代码：603986.SH;3986.HK)宣布，推出全新GD33AP236x系列车规级SBC(系统基础芯片)。该系列集成LDO、电源管理单元、CAN FD与LIN收发器，满足AEC-Q100 Grade 1车规级要求，可全面适配车身域控(BDC)、车身控制(BCM)、车灯控制(Lighting)、空调/热管理控制器(HVAC)等主流车载电气化场景。GD33AP236x SBC的推出，能够与GD32A5x、GD32A71x系列车规级MCU形成系统级解决方案，将进一步完善兆易创新在汽车电子领域的产品矩阵。
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Pragmatic半导体推出Pragmatic NFC Protect，拓展其产品组合以防范产品篡改和仿冒造假行为
新型柔性低碳NFC芯片，兼具即时篡改检测、产品真伪验证与深度消费者互动功能，致力于保护消费者、保障供应链安全并构建长期信任。
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Pickering 扩展功能测试与硬件在环(HIL)应用的模拟输出产品线
全新 PXI/PXIe 模块实现高密度波形生成、DAC 输出及热电偶模拟
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高性价比开关稳压器，性能指标毫不妥协
RECOM 推出了高性价比的 ROF-78K-0.5 非隔离开关稳压器系列。该系列支持 4.5V 至 36V DC输入，并提供 3.3V、5V、6.5V、9V、12V、15V 或 24V 的固定DC 输出选项，额定电流均为 0.5A。
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ROHM开发出超小安装面积的升降压电源电路板
中国上海，2026年6月23日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出新参考板“BD83070GWL-EVK-002”，使用该参考板可更大程度地评估高效率且超低消耗电流的电源IC“BD83070GWL”的特性。
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Teledyne 扩展 AxCIS 接触式图像传感器系列，推出全新 1,800 dpi 与 1,500 mm 型号
加拿大滑铁卢，2026年6月4日 — Teledyne DALSA 宣佈推出其 AxCIS™ 系列高速、高分辨率、全集成线扫描成像模块，现已支持最高 1,800 dpi 分辨率及最长 1,500 mm 成像长度。这些易于使用的接触式图像传感器(CIS)将传感器、镜头和照明集成于一体化紧凑型模组，为众多高要求机器视觉应用提供具成本效益的检测解决方案，包括半导体晶圆、电池及印刷检测。
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Nordic 推出紧凑型 nRF54L15 原型开发标签，针对 Apple Find My 和 Google Find Hub 进行了优化
全新的电池供电、双天线 nRF54L15 Tag 支持 Bluetooth Channel Sounding、边缘 AI 和 Matter，可实现超低功耗无线 IoT 设备的快速原型开发
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Teledyne推出Linea HS2 8k相机，在低光照条件下实现超高速成像
Linea HS2 系列采用高灵敏度多阵列电荷域 Teledyne DALSA CMOS BSI TDI 传感器，提供 8k 和 16k 两种分辨率，并具备优化的量子效率，可满足当前及未来机器视觉应用的严苛需求。其多阵列 TDI 传感器架构可根据具体应用需求进行配置，在图像质量、行频、动态范围或满阱容量之间实现优化平衡，从而为高要求检测任务带来出色的信噪比性能和动态范围。
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英飞凌推出面向电动汽车逆变器的全新EiceDRIVER™栅极驱动，在降低物料清单成本的同时提升功率级利用率
【2026年6月17日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出了专为纯电动汽车(BEV)牵引逆变器设计的全新增强型隔离式栅极驱动IC产品系列：EiceDRIVER™ 1EDI3040AS和1EDI3041AS。该系列同时支持IGBT和碳化硅(SiC)MOSFET，相比市面上常见的解决方案，可让特定功率级释放出更多可用性能，并将丰富的功能集成于单个栅极驱动IC之中。这有助于整车厂(OEM)和一级供应商(Tier-1)减少所需的外部元件数量并降低逆变器控制电子设备的物料清单(BOM)成本。
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Littelfuse NANO²® SMD 708系列保险丝为大电流48 VDC AI数据中心提供保护
业界首款在80 VDC条件下额定分断电流为14 kA，采用紧凑型表面贴装封装
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ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品
中国上海，2026年6月16日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出600V耐压超级结MOSFET*1新产品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”。
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英飞凌扩展750V CoolSiC™产品组合，推出顶部散热型H-DPAK半桥器件，进一步提升系统功率密度与可靠性
【2026 年 6 月 16 日，德国慕尼黑讯】汽车和工业应用中的功率转换架构正在快速演进，对开关拓扑、热管理和系统集成提出了新的要求。为满足这些要求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出顶部散热封装系列新产品H-DPAK，搭载采用750V CoolSiC™ G2技术的集成半桥(HB)器件。750V CoolSiC™ G2可提供现代电网和能源系统所需的可靠性裕量。H-DPAK将完整的单向半桥功率级集成在单一封装内，采用优化漏极焊盘的分列式引线框架设计既增强了热扩散能力，又能确保在高密度大功率电路板布局中满足电气间隙要求;同时其高度沿用英飞凌成熟的Q-DPAK和TOLT产品使用的行业标准2.3mm，可实现电路板级的无缝集成
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英飞凌推出业界首款基于CoolSiC™ G2技术的双向开关碳化硅
【2026年6月15日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出基于成熟可靠750V CoolSiC™ G2技术平台打造的碳化硅(SiC)双向开关(BDS)。该产品采用垂直集成双芯片共漏极设计，采用顶部散热Q-DPAK封装，将两个功率开关整合到同一器件中，既简化了系统设计，也实现了传统拓扑革新。750V CoolSiC™ BDS可提供现代电网和能源系统所需的可靠性裕量，能够在应用的这个生命周期内实现极低的总体拥有成本。
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