值得了解的新型200V n沟道MOSFET---SiSS94DN

在科学技术高度发达的今天，各种各样的高科技出现在我们的生活中，为我们的生活带来便利，那么你知道这些高科技可能会含有的RDS(ON)导通电阻吗?

TrenchFETâ器件典型RDS(ON)为 61 mΩ，优值系数为 854 mΩ*nC，封装面积10.89 mm²。

传统模拟开关的结构如图1所示，它由N沟道MOSFET与P沟道MOSFET并联构成，可使正负信号传输。

Vishay Intertechnology，Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新型200V n沟道MOSFET---SiSS94DN，器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装，10 V条件下典型导通电阻达到业内最低的61 mΩ。同时，经过改进的导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET开关应用重要优值系数(FOM)为854 mΩ*nC。节省空间的Vishay Siliconix SiSS94DN专门用来提高功率密度，占位面积比采用6mm x 5mm封装相似导通电阻的器件减小65 %。

导通电阻还与开关的供电电压有关，由图3可以看出：RON随着电源电压的减小而增大，当MAX4601的电源电压为5V时，最大RON为8Ω;当电源电压为12V时，最大RON为3Ω;电源电压为24V时，最大RON仅为2Ω。

日前发布的TrenchFET® 第四代功率MOSFET典型导通电阻比市场上排名第二的产品低20 %，FOM比上一代解决方案低17 %。这些指标降低了导通和开关损耗，从而节省能源。外形紧凑的灵活器件便于设计师取代相同导通损耗，但体积大的MOSFET，节省PCB空间，或尺寸相似但导通损耗高的MOSFET。

RON的存在会使信号电压产生跌落，跌落量与流过开关的电流成正比，对于适当的电流，这一跌落量处在系统容许的误差范围之内，而要降低RON所耗费的成本却很高，因此，应根据实际需要加以权衡。

器件经过100 % RG和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。

以上就是RDS(ON)导通电阻的一些值得大家学习的详细资料解析，希望在大家刚接触的过程中，能够给大家一定的帮助，如果有问题，也可以和小编一起探讨。