降低压降并减小传导损耗的30 V p沟道功率MOSFET---SiRA99DP

随着全球多样化的发展，我们的生活也在不断变化着，包括我们接触的各种各样的电子产品，那么你一定不知道这些产品的一些组成，比如p沟道功率MOSFET。

日前，Vishay Intertechnology，Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，首度推出-30 V p沟道功率MOSFET---SiRA99DP，10 V条件下导通电阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET®第四代SiRA99DP导通电阻达到业内最低水平，采用热增强型6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8单体封装，专门用来提高功率密度。

当用作门控整流器时，MOSFET是主开关晶体管且兼具提高效率的作用。为选择最适合电源应用的开关，本设计实例对P沟道和N沟道增强型MOSFET进行了比较。

日前发布的MOSFET导通电阻比市场上排名第二的产品低43%，降低压降并减小传导损耗，从而实现更高功率密度。SiRA99DP超低栅极电荷仅为84 nC，栅极电荷与导通电阻乘积，即开关应用中MOSFET的重要优值系数 (FOM) 为185 mW*nC，达到同类产品最佳水平。

由于具有较低的导通电阻(RDS(on))和较小尺寸，N沟道MOSFET在产品选择上超过了P沟道。在降压稳压器应用中，基于栅控电压极性、器件尺寸和串联电阻等多种因素，使用P沟道MOSFET或N沟道MOSFET作为主开关。同步整流器应用几乎总是使用N沟道技术，这主要是因为N沟道的RDS(on)小于P沟道的，并且通过在栅极上施加正电压导通。

器件是输入电压12 V电路的理想选择，适用于适配器、电池和通用电源开关、反向极性电池保护、 OR-ing功能，以及电信设备、服务器、工业PC和机器人的电机驱动控制。SiRA99DP减少并联器件数量，换句话说，加大单个器件电流，从而提高功率密度，节省这些应用的主板空间。此外，作为p沟道MOSFET，器件不需要电荷泵提供n沟道器件所需的正向栅压。

在研究设计过程中，一定会有这样或着那样的问题，这就需要我们的科研工作者在设计过程中不断总结经验，这样才能促进产品的不断革新。