【2025年3月27日, 德国慕尼黑讯】Enphase Energy采用全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)的 600 V CoolMOS™ 8高压超结(SJ)MOSFET产品系列,简化了系统设计并降低了装配成本。Enphase Energy是全球能源技术公司、基于微型逆变器的太阳能和电池系统的领先供应商。通过使用600 V CoolMOS™ 8 SJ,Enphase显著降低了其太阳能逆变器系统的 MOSFET 内阻(RDS(on)),进而减少了导通损耗,提高了整体设备效率和电流密度,而且还节省了与MOSFET相关的成本。
新加坡——2025年3月26日——Kulicke and Soffa Industries Inc.(NASDAQ:KLIC)(“Kulicke & Soffa”、“K&S”、“我们”或“公司”)宣布推出Asterion-PW超声波针焊接机,通过快速精确的超声波针焊接解决方案扩大其在功率元件应用领域的领先地位。这种先进的解决方案为Pin互连能力设定了新的标准,重新定义了效率、精度和可靠性。
3月26日,Kulicke & Soffa宣布推出Asterion-PW超声波针焊接机,通过快速精确的超声波针焊接解决方案扩大其在功率元件应用领域的领先地位。
3月26日,Kulicke & Soffa宣布推出适用于大容量存储器应用的ATPremier MEM PLUS™。
3月25日消息,据华为官方介绍,近日海南联通在琼海市博鳌亚洲论坛年会新闻中心(博鳌亚洲论坛大酒店)完成了基于华为50G PON解决方案的F5G-A万兆光网试点。
3月25日消息,据报道,日前,三星电子会长李在镕在访华期间参观比亚迪集团深圳总部。
2025年3月26日至28日,作为瑞士流量解决方案提供商,GF管路系统将在展会展示半导体行业关键任务流体处理解决方案。其中包括耐用可靠的热塑性管道系统和服务,如规划工程支持和预制。
【2025年3月24日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)的SECORA™ Pay Green 为制造更加可持续的支付卡创造了条件。凭借这项创新技术以及在全球二氧化碳减排方面作出的积极贡献,英飞凌正式加入了万事达卡的环保支付合作伙伴(GPP)顾问委员会。万事达卡及其行业合作伙伴长期致力于减少支付卡行业的新塑料用量,寻求更加可持续的卡体解决方案。目前这项工作已经取得重大进展,既提高了材料的重复利用率和卡片报废时的回收率,又减少了万事达卡品牌卡片的塑料总用量。
● 通快霍廷格电子等离子体射频及直流电源为晶圆制造的沉积、刻蚀和离子注入等关键工艺提供精度、质量和效率的有力保障。 ● 立足百年电源研发经验,通快霍廷格电子将持续通过创新等离子体电源解决方案,助力半导体产业实现工艺优化、产品稳定和降本增效。
为增进大家对BiCMOS的认识,本文将对BiCMOS的典型电路结构、BiCMOS工艺实现基础和BiCMOS的核心应用领域予以介绍。
BiCMOS是一种将双极型晶体管与CMOS技术融合的半导体工艺。BiCMOS通过结合BJT的高频、高驱动特性与CMOS的低功耗优势,实现高速模拟电路与复杂数字逻辑的集成。
2025年3月20日,上海——每年一度的SEMICON China将于2025年3月26-28日在上海新国际博览中心举办。同时,中国规模最大、最全面的年度半导体技术盛会——集成电路科学技术大会(CSTIC)2025也将于3月24-25日在上海国际会议中心召开。作为第一家进入中国的国际半导体设备公司,应用材料公司将通过大会赞助、主题演讲和论文展示的方式参与2025 SEMICON China和CSTIC。
3月19日消息,谷歌的Gemini自推出以来一直要求用户使用Google账户登录才能访问,不过最近这一要求已经改变。
宣布在英伟达 Grace Blackwell平台上实现高达30倍的预期性能提升,加速下一代半导体的电路仿真
深圳2025年3月18日 /美通社/ -- 2025年3月13日,华测检测认证集团股份有限公司(简称CTI华测检测)半导体检测及分析中心实验室升级仪式在上海市浦东新区隆重举行,标志着实验室已顺利完成全面升级工作。本次升级涵盖硬件设施更新、检测流程优化及技术体系完善等多个关键领域,...
扬州2025年3月19日 /美通社/ -- 全球电子纸领导厂商E Ink元太科技今(19)日宣布,携手瑞昱半导体,推出新一代整合系统于面板基板(System on Panel, SoP)的电子纸价签(ESL)示范设计,降低电子纸价签的开发门坎。在相同显示面积下,新一代设计的薄膜晶...
半导体激光器,是一种将电能直接转换为一束聚焦光的半导体设备。它利用半导体pn结将电流转换成光能,并通过电子和空穴的复合产生激光。
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的杰出代表,凭借其宽禁带宽度、高击穿电压、高热导率、高电子饱和漂移速度等卓越特性,在光电子、电力电子、射频微波等诸多领域展现出了巨大的应用潜力。然而,如同任何新兴技术一样,氮化镓器件在发展过程中也面临着一系列严峻的挑战,这些不利因素在一定程度上阻碍了其大规模商业化应用与进一步的技术突破。
总裁兼首席执行官 Russell Low 将在亚洲化合物半导体大会 (CS Asia) 上发表主题演讲 美国马萨诸塞州比弗利2025年3月17日 /美通社/ -- Axcelis Technologies, Inc.(纳斯达克股票代...
以下内容中,小编将对场效应管的相关内容进行着重介绍和阐述,希望本文能帮您增进对场效应管的了解,和小编一起来看看吧。