先进的氮化镓(GaN)技术可大幅提高功率和效率
可立即使用的SCALE-iFlex系统轻松支持四个模块并联;出厂涂覆三防漆可极大增强可靠性
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碳化硅(SiC) MOSFET可大幅提高大功率逆变器应用的开关性能,能够在增强热性能的同时提供较高的击穿场强及开关频率。不过,SiC要求在更紧凑的设计中能够获得更快速的短路保护,这对门极驱动器提出了独特的挑战 —— 需要在不同的SiC架构中支持各种不同的门极电压。