随着跨阻放大器(TIA)解决方案在增益和速度方面的要求不断攀升，第一级运算放大器和外部元件必须具备非常高的增益带宽积(GBP)，同时反馈电容必须低到不可思议的程度。本系列文章分为两部分，第一部分将介绍一个非常简单的4步补偿流程，用于为简单的TIA设计实现近似闭环巴特沃斯响应。随后，我们将添加一个反馈电阻T型网络来改进原设计，并说明所需的简单计算公式和这种实现方式带来的优势。第二部分将展示添加T型网络后环路增益(LG)曲线的变化，分析输出噪声项的变化，修改示例设计为单电源配置，并说明如何利用T型网络来满足50 MΩ跨阻放大器(TIA)需求（提高所需的Cf并采用JFET输入器件）。
氮化镓场效应晶体管(GaN FET)相较于硅FET，开关速度更快，封装更小，功率损耗更低。这些特性使得电源转换器能够在更高频率下运行，从而既能减小整体解决方案尺寸，又能保持高效率。虽然DC/DC转换器的基本设计保持不变，但GaN带来了额外的设计和测试挑战。其中一个较为关键的挑战是对栅极电压和时序进行精准控制。这种控制可能很有难度，原因在于开关时间可能超过了传统控制器和测试设备的处理能力。幸运的是，GaN专用的控制器和测量技术能够解决这些问题，并确保电源设计稳健可靠，同时不会增加额外的复杂性。
