对安全功能电路进行首次失效模式、影响与诊断分析(FMEDA)后,结果只有两种。第一种结果是系统完整性等级(SIL)要求得到满足,第二种结果是要求未能满足。对于后者,要在不进行重大架构变更的情况下解决问题,系统集成商可以提高诊断覆盖率、调整运行条件和/或采用额外安全措施。ADI公司安全应用笔记中的信息可以帮助系统集成商实施此类设计改进,从而达到每小时危险失效概率(PFH)/按需危险失效概率(PFDAVG)和安全失效比率(SFF)要求。因此,本系列的第3部分深入探讨系统集成商如何使用功能安全(FS)型器件的安全应用笔记,来提升IC在系统中的功能安全性能。
在完成合理性校验,确认器件功能安全(FS)失效率、失效模式分布(FMD)及引脚失效模式与影响分析(FMEA)的推导假设成立后,系统集成商下一步需将这些数据导入其系统的失效模式、影响与诊断分析(FMEDA)中。ADI的安全事项应用笔记提供了多种计算失效率、裸片FMD及引脚FMEA的方法。系统集成商可根据自身在安全相关系统(SRS)设计或通过FMEDA开展技术安全分析的经验,采用不同方式来运用这些信息。本系列文章第2部分旨在介绍一种结合裸片FMD与引脚FMEA来推导FS器件的失效率分布的方法。
与低压差(LDO)稳压器相比,开关电源具有更高的效率和更强的功率处理能力。但与此同时,功率场效应晶体管(FET)的快速开关瞬态过程会产生向周围辐射的电磁噪声。在测量输出电压纹波时,这类辐射噪声可被检测到,并表现为高频噪声。倘若测试设置不当,可能会影响开关电源的真实性能表现。本文分析了电压测量中出现高频噪声的根本原因,并阐述客户是否需要为这类噪声担忧。文章通过Ansys Maxwell仿真模拟电源周围的辐射磁通分布,直观呈现辐射效应。此外,本文提出了一种可测量电路中实际输出电压纹波并识别高频噪声引发的潜在问题的方法。
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