点击“东芝半导体”,马上加入我们哦!根据数据统计显示,功率MOSFET约占据全球功率器件市场规模的22%。功率MOSFET在近几年间需求的快速增长,源于其独特的产品优势:第一,功率MOSFET驱动电路较为简单,通常可以由TTL驱动电路或者CMOS直接驱动;第二,功率MOSFET的...
中国上海,2025年10月28日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出四款面向工业设备双通道高速标准数字隔离器——全新的“DCL52xx00系列”,新产品能够以100kV/μs(典型值)[1]的高共模瞬态抑制(CMTI)和50Mbps(最大值)[2]的高速数据速率支持稳定的工作。该系列产品于今日开始支持出货。
中国上海,2026年7月14日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,面向工业设备应用扩展了DCL34xx0B系列四通道标准数字隔离器,新增四款产品——“DCL340L0B”、“DCL340H0B”、“DCL342L0B”和“DCL342H0B”。该系列所有产品均实现每通道0.2mA(典型值)[1]的低电流消耗,采用小型SSOP16封装,并支持中速通信[2]。
-增强的安全与数据管理功能,支持IoT设备及其他应用的安全系统设计-
汽车电动侧滑门、智能电动尾门的防夹功能是乘客安全防护的核心,精准电流采样是实现合规力控的前提。国际安全法规ISO 12497 明确规定了电动移门防夹力阈值,而 MOSFET 的RDS(on)精度直接决定电流采样准确度,最终影响防夹系统合规性。东芝半导体 S-TOGL™铜夹封装 U-MOS IX-H 工艺车载 MOSFET 是该场景优选方案,凭借窄离散 RDS (on)、全温区稳定特性完美匹配防夹高精度采样需求。
中国上海,2026年6月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H[1]制造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。该MOSFET面向AI数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品即日起开始出货。
中国上海,2019年10月29日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今天宣布,推出三相无刷电机控制预驱IC“TC78B027FTG”,它采用智能相位控制(InPAC)技术,能在高速服务器风扇、鼓风机和泵等众多应用中实现最佳运行效率。
-专用硬件和安全功能助力加速下一代家电及工业设备的开发-
-三款新器件助力提升工业设备的效率和功率密度-
中国上海,2025年9月25日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用东芝最新一代工艺[1]U-MOS11-H制造的100V N沟道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。该MOSFET主要面向开关电源等应用,适用于数据中心和通信基站使用的工业设备。产品于今日开始正式出货。
车载MOSFET品牌横评首先要把实验条件固定下来,再讨论RDS(on)、开关能量和热性能的差异。本文将以东芝XPMR7404PB作为40V N沟道车载MOSFET示例,与英飞凌和安森美的具体型号一起纳入统一测试矩阵。
中国上海,2026年10月13日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出TCKE5系列电子保险丝(eFuse IC)四款产品,分别为“TCKE501UA”、“TCKE501UL”、“TCKE502UA”和“TCKE502UL”。该系列集成多种电源线保护功能,并于今日开始出货。新产品的输入电压工作范围为1.7V至5.5V,采用小型SOT-353F(UFV)封装。
点击“东芝半导体”,马上加入我们哦!在电源特别是高频开关电源中,肖特基二极管是不可缺少的整流高手,几乎每个电源设计工程师都不可避免要接触肖特基二极管。肖特基二极管是由金属与半导体接触形成的势垒层为基础制成的二极管,也可称为肖特基势垒二极管,属于金属半导体结型二极管。作为一种低功耗...
-多重保护功能有助于提升电路安全性;业界领先[1]的小型封装有助于节省电路板空间-
王洪阳
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