【2025年5月28日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新型CoolSET™封装系统（SiP）。这款紧凑的全集成式系统功率控制器可在85 - 305 VAC通用输入电压范围内提供最高60 W高效功率输出。系统中的高压 MOSFET采用小型SMD封装，拥有低RDS(ON)且无需外部散热器，从而缩小了系统尺寸并降低了复杂性。CoolSET™ SiP支持零电压开关（ZVS）反激式操作，在实现低开关损耗和低EMI特性的同时，提高系统可靠性和稳健性。这使其成为大型家用电器和AI服务器等应用的理想解决方案。此外，这款控制器使开发者更容易满足严格的能源标准，帮助他们设计开发出与时俱进的最新功率解决方案。
【2025年5月27日, 德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用Multi-Sense技术的 Arm® Cortex®-M0+ 微控制器（MCU）——PSOC™ 4100T Plus。这款新型MCU集丰富的模拟和数字功能于一身，拥有128K闪存和32K SRAM，并且采用了Multi-Sense这一包含CAPSENSE™、电感式传感和液位传感功能的英飞凌先进技术。PSOC™ 4100T Plus 还拥有更高的可靠性以及多种增强功能和先进传感功能，为系统控制和人机接口（HMI）应用提供了完整的解决方案。
【2025年5月22日，德国慕尼黑和美国加州圣克拉拉讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在推动电源供应架构的革新，以满足未来的AI数据中心需求。英飞凌携手NVIDIA正在开发采用集中式电源供电的800 V高压直流（HVDC）架构所需的下一代电源系统。新的系统架构将显著提升数据中心的电源传输效率，并且能够在服务器主板上直接进行电源转换进而提供给AI芯片（GPU）。英飞凌在电源转换领域拥有深厚的积淀和技术专长，能够提供从电网到处理器核心的电源转换解决方案，全面覆盖硅、碳化硅和氮化镓等所有相关的半导体材料，正在加速实现其全面的 HVDC 架构路线图。
【2025年5月X日，德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近期在低碳化方面取得新进展：其温室气体减排目标获得科学碳目标倡议组织（SBTi）的认证。获批的目标包括公司自身的排放量（范围 1和范围2）目标以及供应链排放量（范围 3）目标。英飞凌的范围1和范围2目标符合《巴黎协定》将全球气温升幅控制在1.5摄氏度以内的要求，达到了SBTi对近期碳减排目标的最高标准。此外，英飞凌还针对供应链制定了正式的范围3目标，并将与供应商合作作为公司可持续发展战略的基本组成部分。例如，英飞凌采购团队已经与100多家供应商就碳减排解决方案开展了积极合作。
【2025年5月20日, 中国上海讯】在全国两会聚焦新能源汽车充换电基础设施升级、力推超充网络扩建、高速充电走廊建设及换电模式普及的背景下，充换电行业正迎来高质量发展的关键期。近日，英飞凌科技宣布与深圳优优绿能股份有限公司深化合作，通过提供英飞凌先进的CoolMOS™和TRENCHSTOP™ IGBT， CoolSiC™ MOSFET和EiceDRIVER™驱动器等全套功率半导体解决方案，全面赋能优优绿能新一代40kW液冷充电模块及V2G车网互动解决方案的技术升级，显著提升充换电设备的电能转换效率与稳定性，为充电行业的高质量发展注入新动能。
【2025年5月16日, 德国慕尼黑讯】随着图形处理器（GPU）的性能日益强大，对板级电源的要求也越来越高。中间总线转换器（IBC）可将48 V输入电压转换为较低的总线电压，这对于AI数据中心的能效、功率密度和散热性能愈发重要。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布，其采用紧凑型5x6 mm² 双面散热（DSC）封装的OptiMOS™ 6 80V 功率 MOSFET已被集成到一家领先处理器制造商AI服务器平台的 IBC级。应用测试表明，其效率较之前使用的解决方案提高约 0.4%，相当于每kW负载节省约4.3 W。如果能扩展到系统层面，如服务器机架或整个数据中心，则将带来显著的节能效果。
【2025年5月15日, 德国慕尼黑讯】随着AI数据中心的快速发展、电动汽车的日益普及，以及全球数字化和再工业化趋势的持续，预计全球对电力的需求将会快速增长。为应对这一挑战，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出EasyPACK™ CoolGaN™ 650 V晶体管模块，进一步扩大其持续壮大的氮化镓（GaN）功率产品组合。该模块基于Easy Power Module平台，专为数据中心、可再生能源系统、直流电动汽车充电桩等大功率应用开发。它能满足日益增长的高性能需求，提供更大的易用性，帮助客户加快设计进程，缩短产品上市时间。
2025 财年展望：假设欧元兑美元汇率为1:1.125（之前假设为1:1.05），预计营收较上一年将略有下降。这包括了对关税政策潜在影响的估算。调整后的毛利率预计在 40% 左右，利润率为14%~16%左右。投资额降至约 23 亿欧元。调整后的自由现金流（扣除对前道厂房的投资后）约为16 亿欧元，报告的自由现金流保持不变，约为 9 亿欧元
【2025年5月7日, 德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）作为碳化硅（SiC）功率器件及SiC MOSFET沟槽栅技术的领导者，始终以卓越性能与高可靠性相结合的解决方案引领行业。目前，CoolSiC™产品系列覆盖了400 V至3.3 kV的电压范围，应用领域包括汽车动力传动系统、电动汽车充电、光伏系统、储能及高功率牵引逆变器等。现在，英飞凌又凭借丰富的SiC业务开发经验以及在硅基电荷补偿器件（CoolMOS™）领域的创新优势，推出了SiC沟槽型超结（TSJ）技术。
【2025年5月6日, 德国慕尼黑讯】为推动下一代固态配电系统的发展，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出了新型CoolSiC™ JFET产品系列。新系列产品拥有极低的导通损耗、出色的关断能力和高可靠性，使其成为先进固态保护与配电系统的理想之选。凭借强大的短路能力、线性模式下的热稳定性以及精确的过压控制，CoolSiC™ JFET可在各种工业和汽车应用中实现可靠且高效的系统性能，包括固态断路器（SSCB）、AI数据中心热插拔模块、电子熔断器、电机软启动器、工业安全继电器以及汽车电池隔离开关等。
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