【2025年11月19日, 德国慕尼黑与奥地利格拉茨讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日在奥地利格拉茨成立了一个超宽带（UWB）应用实验室。该实验室由英飞凌与Silicon Austria Labs（简称SAL）联合创建，旨在推动超宽带（UWB）技术的发展、探索创新的应用场景，以及为汽车、工业、物联网（IoT）和消费市场提供实际的应用解决方案。作为一项先进的无线通信技术，超宽带（UWB）不仅能实现精准安全的定位，还支持数据交换与传感功能。
【2026年6月19日，德国慕尼黑讯】德国慕尼黑地方法院（Landgericht München I）于当地时间6月18日就英飞凌科技与英诺赛科之间涉及氮化镓（GaN）技术的两项进一步专利侵权案件作出判决（分别基于一项专利及一项实用新型），均裁定英飞凌胜诉。
【2026年8月6日，德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)与联发科(MediaTek)合作，为未来汽车打造先进、AI驱动的汽车座舱体验。联发科现已完成英飞凌车规级NOR Flash存储器解决方案512 Mb Quad SPI NOR Flash在其天玑汽车座舱平台C-X1上的认证，为整车厂、汽车Tier-1供应商，以及开发下一代智能座舱系统的设计合作伙伴提供了一种经过认证且便于导入的存储器选项。
【2025年3月18日, 德国慕尼黑讯】OPTIREG™电源管理芯片（PMIC）产品组合可实现高效电压调节，提供了带有直流-直流（DC/DC）和线性稳压器以及跟踪器的前置和后置稳压器架构。除供电外，该系列还集成了额外的监控和控制功能，支持客户开发用于安全相关应用的汽车ECU。为了进一步支持开发人员，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）持续扩大 OPTIREG™ PMIC系列的产品组合，推出了符合高标准汽车系统要求的集成式多轨电源解决方案OPTIREG™ PMIC TLF35585。
【2025年9月4日, 德国慕尼黑讯】随着全球汽车行业电气化进程的加速，市场对高效、紧凑且可靠的功率系统的需求持续增长——不仅乘用车领域如此，电动两轮车领域亦是如此。这些车辆需要特殊的系统支持，例如xEV上的高压-低压DC/DC转换器和电动两轮车上的牵引逆变器。此类系统必须在满足高质量标准的同时，能够应对技术、商业和制造方面的多重挑战。为满足上述需求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)宣布扩展其OptiMOS™ 6产品组合，推出新型车规级150V MOSFET产品系列。新产品专为满足现代电动汽车的严苛要求量身打造，并提供三种先进封装选项：TOLL、TOLG和TOLT。
【2025年5月27日, 德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用Multi-Sense技术的 Arm® Cortex®-M0+ 微控制器（MCU）——PSOC™ 4100T Plus。这款新型MCU集丰富的模拟和数字功能于一身，拥有128K闪存和32K SRAM，并且采用了Multi-Sense这一包含CAPSENSE™、电感式传感和液位传感功能的英飞凌先进技术。PSOC™ 4100T Plus 还拥有更高的可靠性以及多种增强功能和先进传感功能，为系统控制和人机接口（HMI）应用提供了完整的解决方案。
【2026年7月21日，德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出SECORA™ ID Key S USB安全密钥，这是一款基于Java Card™技术、支持USB与NFC双连接的全新安全解决方案，面向安全身份认证与数字签名场景。作为首款通过FIDO2 Level 3+最高安全等级认证、符合CTAP 2.1规范的身份认证器，该产品可实现防钓鱼免密身份验证，同时抵御远程软件攻击与本地硬件攻击。它预装了用于FIDO身份验证、合格数字签名生成以及公钥基础设施(PKI)功能的专属应用程序，还提供全面的客制化能力。
【2024年7月9日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出新一代高压（HV）和中压（MV）CoolGaNTM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓（GaN）的应用范围扩大到40 V至700 V电压，进一步推动数字化和低碳化进程。在马来西亚居林和奥地利菲拉赫，这两个产品系列采用英飞凌自主研发的高性能 8 英寸晶圆工艺制造。英飞凌将据此扩大CoolGaNTM的优势和产能，确保其在GaN器件市场供应链的稳定性。据Yole Group预测，未来五年GaN器件市场的年复合增长率（CAGR）将达到46%。
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