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英飞凌

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  • 英飞凌功率模块助力金风科技构网型风机能效提升

    【2025年9月18日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)与金风科技股份有限公司近日宣布深化其合作,为风力发电实现稳定可靠的电力传输。英飞凌将为金风科技提供搭载.XT技术的XHP™ 2 1700 V IGBT5功率模块,提升金风科技GW 155-4.5 MW构网型风机的能源效率。英飞凌的功率模块凭借其高功率密度、高可靠性和高稳定性优势,确保风能系统长久运行。通过优化能源效率,这些模块有助于降低能源成本,并提升金风科技风机的盈利能力。

  • 英飞凌推出650 V CoolGaN™ G5双向开关,提升功率系统的效率和可靠性

    【2025年5月26日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了一款能够主动双向阻断电压和电流的氮化镓(GaN)开关——650 V CoolGaN™ G5双向开关(BDS)。该产品采用共漏极设计和双栅极结构,是一款使用英飞凌强大栅极注入晶体管(GIT)技术和CoolGaN™技术的单片双向开关,能够有效替代转换器中常用的传统背靠背开关。

  • 英飞凌采用Qt图形解决方案增强Traveo T2G MCU系列,实现智能渲染技术

    【2024年3月7日,德国慕尼黑讯】在竞争激烈的全球半导体市场,制造商一直在努力缩短产品上市时间。同时,他们对流畅、高分辨率图形显示器的需求也在日益增长。为了满足这些市场需求,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)宣布与科尤特(Qt Group)展开战略合作。科尤特是一家全球软件公司,为整个软件开发生命周期提供跨平台解决方案。此次合作将科尤特的轻量级、高性能图形框架加入到英飞凌拥有图形功能的TRAVEO™ T2G cluster微控制器系列,标志着图形用户界面(GUI)开发模式的转变。

  • 英飞凌与SolarEdge扩大合作,为800 VDC AI数据中心提供固态保护方案

    【2026年9月16日,德国慕尼黑和美国加利福尼亚州米尔皮塔斯讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)与全球智能能源领导者SolarEdge Technologies公司(NASDAQ代码:SEDG)近日宣布扩大双方合作,共同推进面向AI及超大规模数据中心高压直流配电的固态断路器(SSCB)技术发展。本次合作致力于解决800 VDC架构落地的关键挑战:随着基础设施功率密度持续提升,系统需要具备超高速故障隔离,以在维持高能效的同时实现选择性保护,从而确保安全可靠运行。

  • 英飞凌携手西门子:以碳化硅技术赋能数据中心及工厂电气保护

    【2026年6月10日,德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)与西门子股份公司(以下简称西门子)开展合作,共同提升数据中心、生产设施及电池储能系统的电气保护水平,保障运行可靠性。合作内容包括英飞凌将向西门子供应碳化硅(SiC)功率模块,用于西门子的SENTRON 3QD2半导体断路器。这将提升西门子断路器保护解决方案的效率、功率密度和可靠性。

  • 英飞凌推出TEGRION™ SLI22汽车安全控制器,集成后量子加密技术并获得通用标准EAL6+认证

    【2026年3月6日, 德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用28纳米技术的TEGRION™ SLI22汽车安全控制器,这款创新的解决方案旨在为前瞻性的互联系统保驾护航。SLI22已经通过了德国联邦信息安全办公室(BSI)的通用标准(CC)认证,并集成了后量子加密(PQC)技术,既能满足相关安全标准的要求,又能提供强有力的保护,有效防御因量子计算技术进步而产生的新型网络威胁。

  • 英飞凌推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V的TO-247-2封装,在提升效率的同时简化设计

    【2025年3月14日, 德国慕尼黑讯】目前,许多工业应用正朝着更高功率水平、且功率损耗最小化的方向发展,实现这一目标的方法之一是提高直流母线电压。针对这一市场趋势,全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)于 2024年9月推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5产品系列,这是首款击穿电压达到2000 V的碳化硅二极管分立器件。该产品系列目前扩展到TO-247-2封装,其引脚可与现有的大多数TO-247-2封装兼容。该产品系列非常适合最高直流母线电压为1500 VDC的应用,是太阳能和电动汽车充电桩的理想之选。

  • 英飞凌扩展其CoolSiC™产品系列,推出专为高功率与计算密集型应用而设计的400V和440V MOSFET

    【2025年10月24日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)通过增加顶部散热(TSC)的TOLT封装及TO-247-3和TO-247-4封装扩展其CoolSiC™ 400V G2 MOSFET产品组合。此外,英飞凌还推出了三款额定电压为440V(连续)和455V(瞬态)的TOLL封装新产品。新的CoolSiC™ MOSFET具有更优的热性能、系统效率和功率密度。其专为满足高功率与计算密集型应用需求而设计,涵盖了AI服务器电源、光伏逆变器、不间断电源、D类音频放大器、电机驱动、固态断路器等领域。这款新产品可为这些关键系统提供所需的可靠性与性能。

  • 英飞凌推出首款100V车规级晶体管,推动汽车领域氮化镓(GaN)技术创新

    【2025年11月5日, 德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)宣布推出其首款符合汽车电子委员会(AEC)汽车应用标准的氮化镓(GaN)晶体管系列,继续朝着成为GaN技术领导企业的目标迈进,并进一步巩固了其全球汽车半导体领导者的地位。

  • 英飞凌推出首款集成微控制器和功率级的MOTIX™电机控制SiP,助力客户实现比邮票更小的设计

    【2026年3月11日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)宣布推出首款面向汽车领域的全集成式电机控制系统级封装(SiP)产品MOTIX™ TLE9954QSW40-33。这款全新的电机驱动产品旨在应对行业中极致微型化的严苛挑战,以及在空间受限环境下智能电机控制日益增长的需求。

  • 英飞凌推出高性能TMR技术,扩展XENSIV™磁传感器产品组合

    【2026年6月12日,德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)在其成熟的XENSIV™磁传感器产品组合基础上,推出了隧道磁阻(TMR)传感器产品系列。该系统作为对公司既有霍尔(Hall)、巨磁阻(GMR)和各向异性磁阻(AMR)传感方案的补充,进一步拓展了磁传感领域独特能力。其具备出色的灵敏度和高信噪比(SNR),搭配小体积磁体也可准确获取参数、实现可靠传感,且不受带宽限制;即使在更大气隙、更高机械公差的条件下,依然能保持稳定性能。因此TMR传感器非常适合游戏、人机交互(HMI)、健康及生活方式类可穿戴设备的低功耗位置传感,同时也适用于汽车及工业应用的位置与电流传感。

  • 英飞凌推出首款可在 205°C 运行的碳化硅功率模块,为电动汽车逆变器树立新标杆

    【2026年6月5日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)在电动汽车逆变器功率模块领域达成了全新里程碑:正式推出 HybridPACK™ Drive 系列的一款全新 1300 V 碳化硅(SiC)模块,该模块能够在高达 205°C 的温度下持续运行。市面上现有的同类设计通常最高仅允许在 175°C 下运行。这一温度的提升使汽车制造商(OEM)和一级供应商(Tier 1)能够从现有的逆变器设计中获得更高的峰值和持续输出功率,也可在全新的设计中降低系统复杂度和整体成本。

  • 英飞凌携手 NVIDIA ,依托数字孪生技术加速部署安全可靠的机器人

    【2026年3月19日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日宣布进一步扩大与NVIDIA(又称:英伟达)的合作,推进物理 AI系统架构的发展,重点聚焦人形机器人领域。双方将基于 2025 年 8 月宣布的合作继续深化合作,结合英飞凌在电机控制、微控制器、电源管理系统及安全领域的优势,以及 NVIDIA 的 AI、机器人和仿真平台,共同助力生态系统设计并推动人形机器人的部署。此外,英飞凌还将加入 NVIDIA Halos AI 系统检测实验室,共同研究设计可靠的软硬件安全基础,确保机器人在现实世界环境中能够安全、可靠地运行。

  • 上下管开关对称性的系统方法

    摘要:半桥功率级是电力电子系统中的基本开关单元,应用于电源转换器、电机驱动器和D类功率放大器等电路设计中。本文介绍了一种系统方法,该方法利用预充电驱动电源方案和欠压锁定(UVLO)机制的控制策略,确保半桥电路中高边和低边开关的同步性。传统的基于自举电源的半桥驱动存在固有局限性,包括高边和低边驱动器之间电源的不对称性,这会破坏开关的同步性和开关管的工作特性。本文通过详细的电路设计和SPICE仿真验证了该方法在改善开关同步性和可靠性方面的有效性,特别是对于GaN和SiC晶体管这种对驱动电压范围要求比较高的驱动更有应用意义。

  • 英飞凌在德国德累斯顿启用全球最大功率半导体与模拟混合信号芯片晶圆厂,为德国、欧洲乃至全球注入发展新动能

    英飞凌在德国德累斯顿启用全球最大功率半导体与模拟/混合信号芯片晶圆厂,为德国、欧洲乃至全球注入发展新动能 50亿欧元投资用于进一步强化先进功率半导体制造基础,新的“智能功率晶圆厂”将创造1000个就业岗位 英飞凌半导体为汽车和工业领域的高能效解决方案提供支持,包括AI数据中心电源、可再生能源、电网以及软件定义汽车等应用 产能可实现双倍速爬坡,从而更加灵活高效地把握市场机遇