【2025年3月13日, 德国慕尼黑讯】从汽车、工业到消费电子产品，无论哪种设备和系统都需要功能强大且高效安全的微控制器（MCU）才能可靠运行。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）在纽伦堡举行的Embedded World 2025上展示了其创新的半导体解决方案如何满足这些需求，并推动这些领域的进一步发展。公司展示其采用了最新技术、具有更高安全性、高精度和高品质MCU。这些MCU能够以低功耗提供卓越的性能。此外，围绕“数字低碳，共创未来”，英飞凌展台（4A 展厅138 号展位）还展示了消费和物联网、汽车和工业领域的重点产品，帮助创造更加可持续的未来。客户可以注册英飞凌的数字平台，深入了解各项技术。
【2025年3月11日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）在汽车网络安全领域实现了一项重要成就——AURIX™ TC4Dx微控制器（MCU）获得了 ISO/SAE 21434 认证。这项由TÜV SGS颁发的认证用于证明产品符合严格的网络安全标准，以此保障整个汽车生命周期开发流程和风险管理的安全。为了帮助客户满足UN R155等国家和全球网络安全法规的要求，英飞凌正在为AURIX™ TC3x系列MCU取得ISO/SAE 21434认证做准备。
【2025年3月10日, 德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码： IFNNY）将在未来几年内推出基于RISC-V 的全新汽车微控制器（MCU）系列，引领RISC-V在汽车行业的应用。这个新系列将被纳入英飞凌成熟的汽车MCU品牌 AURIX™，扩展公司目前基于TriCore™ （AURIX™ TC系列）和 Arm®（TRAVEO™系列、PSOC™系列）的汽车MCU产品组合。这个新的AURIX™ 系列将涵盖从入门级 MCU一直到高性能 MCU的大量汽车应用，其范围将超越当前市场上的产品。在本次Embedded World 2025展会上，英飞凌将发布一个与主要生态系统合作伙伴共同实现的虚拟样机，它将成为英飞凌合作伙伴开始硅前软件开发的入门级套件。
【2025年3月7日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码： IFNNY)在DEEPCRAFT™ Studio中增加了对计算机视觉的支持，扩大了当前对音频、雷达和其他时间序列信号数据的支持范围。在增加这项支持后，该平台将能够用于开发低功耗、低内存的边缘AI视觉模型。这将给诸多应用领域的机器学习开发人员带来极大的便利，例如工厂可以借此实现对零件的实时视觉检测、机器会在有人靠近时自行关闭;智能家居设备可以监测物体、人类或宠物。总之，视觉能够为边缘AI应用带来巨大的可能性。
【2025年3月4日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）携手德国联邦信息安全局（BSI）在通往弹性量子世界的道路上迈出了具有里程碑意义的一步。英飞凌成为首个凭借在安全控制器中采用后量子加密算法而获得行业领先认证Common Criteria EAL6的公司。这种加密算法提高了 eSIM、5G SIM 和智能卡应用（包括个人身份证、支付卡和电子健康卡）的安全性，使其免受高性能量子计算机的威胁。该认证是实现未来日常生活量子安全过程中的一座里程碑。
【2025年3月3日, 德国慕尼黑讯】由于市场对于音频设备的紧凑、轻便、高集成度和节能的需求越来越高，领先的音频设备制造商在不断提高音质的同时，也在努力满足这一需求。另外，他们还必须实现无缝连接、保证成本效益，并提供对用户友好的功能，这使得音频产品的开发变得更加复杂。为了解决这些难题，SounDigital在其全新1500 W D类放大器中集成了英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的 CoolGaN™晶体管，支持800 kHz开关频率和五个通道，借助英飞凌先进的氮化镓（GaN）技术，将其能效提升了 5%，能量损耗降低了 60%。
【2025年2月27日, 德国慕尼黑讯】氮化镓（GaN）技术在提升功率电子器件性能水平方面起到至关重要的作用。但目前为止，GaN供应商采用的封装类型和尺寸各异，产品十分零散，客户缺乏兼容多种封装的货源。为了解决这个问题，全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用RQFN 5x6 封装的 CoolGaN™ G3 100V（IGD015S10S1）和采用RQFN 3.3x3.3封装的CoolGaN™ G3 80V（IGE033S08S1）高性能GaN晶体管。
【2025年2月18日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）在200 mm SiC产品路线图上取得重大进展。公司将于2025年第一季度向客户提供首批基于先进的200 mm SiC技术的产品。这些产品在位于奥地利菲拉赫的生产基地制造，将为高压应用领域提供先进的SiC功率技术，包括可再生能源系统、铁路运输和电动汽车等。此外，英飞凌位于马来西亚居林的生产基地正在从150 mm晶圆向直径更大、更高效的200 mm晶圆过渡。新建的第三厂区将根据市场需求开始大批量生产。
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