【2025年1月17日, 德国慕尼黑讯】在2025年国际消费电子展（CES 2025）期间，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）携手多元化全球制造商兼英飞凌新晋首选汽车设计合作伙伴Flex（NASDAQ代码：FLEX），展示用于软件定义汽车的全新Flex模块化区域控制器设计平台。该平台是一个具有模块化微控制器（MCU）架构和通用硬件构建模块的创新、可扩展区域控制单元（ZCU）。
【2025年1月7日, 德国慕尼黑讯】对实现下一阶段自动驾驶和自主驾驶而言，在密集的城市环境中探测行人是一项挑战。为达到SAE定义的L2+至L4自动驾驶要求，开发新一代4D和成像雷达至关重要。在此背景下，英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)发布了其最新、最先进的RASIC™ CTRX8191F 28nm雷达单片微波集成电路(MMIC)的最终样品。CTRX8191F专为满足自动驾驶的要求而设计，具有高性能、低系统成本的特点，并将推动新一代雷达成像模块的开发。
2024年，全球极端天气频发，成为有气象记录以来最热的一年，飓风、干旱等灾害比往年更加严重。在此背景下，推动社会的绿色低碳转型，提升发展的“绿色含量”已成为广泛共识。在经济社会踏“绿”前行的过程中，第三代半导体尤其是碳化硅作为关键支撑，如何破局飞速发展的市场与价格战的矛盾，除了当下热门的新能源汽车应用，如何在工业储能等其他应用市场多点开花?在日前举办的年度碳化硅媒体发布会上，英飞凌科技工业与基础设施业务大中华区高管团队从业务策略、商业模式到产品优势等多个维度，全面展示了英飞凌在碳化硅领域30年的深耕积累和差异化优势，系统阐释了如何做“能源全链条的关键赋能者” 。
在日前举办的年度碳化硅媒体发布会上，英飞凌科技工业与基础设施业务大中华区高管团队从业务策略、商业模式到产品优势等多个维度，全面展示了英飞凌在碳化硅领域30年的深耕积累和差异化优势，系统阐释了如何做“能源全链条的关键赋能者”。
【2024年12月6日, 德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出适用于IGBT、SiC和GaN栅极驱动器电源的EiceDRIVER™ Power 2EP1xxR全桥变压器驱动器系列。2EP1xxR系列扩大了英飞凌功率器件产品阵容，为设计人员提供了隔离式栅极驱动器电源解决方案。该系列半导体器件可以帮助实现非对称输出电压，以经济高效、节省空间的方式为隔离式栅极驱动器供电。因此，2EP1xxR尤其适用于需要隔离式栅极驱动器的工业和消费类应用，包括太阳能应用、电动汽车充电、储能系统、焊接、不间断电源、驱动应用等。
【2024年11月29日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的AURIX™ TC3x微控制器（MCU）系列新增了对FreeRTOS的支持。实时操作系统（RTOS）是在微控制器上运行的关键软件组件，能够高效管理软硬件资源，确保任务得到及时、可靠的执行。通过充当硬件和应用软件之间的中介，RTOS使开发人员能够专注应用代码，将硬件的复杂性抽象化，从而实现应用代码在不同抽象层上的可移植性和可重用性，并缩短产品上市时间。
【2024年11月27日, 德国慕尼黑讯】现代分散式分区配电架构需要可靠的解决方案。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）通过 PROFET™ Wire Guard为开发人员提供先进的现代配电线路保护。与传统保险丝相比，该产品系列通过集成的精确 I²t线路保护曲线大幅提高了线路应力特性仿真的准确性，并且可根据应用要求选择六种实施曲线。结合其他功能，这一精确的集成I²t线路保护可在取代机械继电器和保险丝的同时优化线束。
【2024年11月26日, 德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出适用于12 V无刷直流（BLDC）电机安全关键型应用的新型MOTIX™ TLE9189栅极驱动器 IC。通过这款三相栅极驱动器IC，英飞凌将满足线控解决方案对电机控制IC日益增长的需求。该驱动器IC符合AEC Q100 0级和ISO 26262（ASIL D）标准，非常适用于线控制动和线控转向系统，这些系统在未来将取消传统的机械连接。
【2024年11月25日, 德国慕尼黑讯】为了满足AI服务器和电信领域的安全热插拔操作要求，MOSFET必须具有稳健的线性工作模式和较低的 RDS(on) 。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出的新型OptiMOS™ 5 Linear FET 2解决了这一难题，这款MOSFET专为实现沟槽 MOSFET的RDS(on)与经典平面 MOSFET 的宽安全工作区（SOA）之间的理想平衡而设计。该半导体器件通过限制高浪涌电流防止对负载造成损害，并因其低RDS(on) 而能够在工作期间将损耗降至最低。与上一代产品OptiMOS™ Linear FET相比，OptiMOS™ Linear FET 2改善了高温下的 SOA、降低了栅极漏电流，并扩大了封装选择范围。
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