【2022年8月29日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新型HYPERRAM™ 3.0器件，进一步完善其高带宽、低引脚数存储器解决方案。该器件具有全新的16位扩展HyperBus™接口，可将吞吐量翻倍提升至800MBps。在推出HYPERRAM™ 3.0器件后，英飞凌可提供完善的低引脚数、低功耗的高带宽存储器产品组合。该芯片非常适用于需要扩展RAM存储器的应用，包括视频缓冲、工厂自动化、人工智能物联网（AIoT）和汽车车联网（V2X），以及需要便笺式存储器进行数据密集型计算的应用。
英飞凌科技股份公司 持续其虚拟展会策略，将于 2020 年 7 月 20 日至 22 日在线展示公司的传感器解决方案。
【2021 年 12 月 27日，德国慕尼黑讯】继成功推出超级充电桩HYC150和HYC300之后，意大利公司alpitronic近日再次宣布推出业界领先的50 kW直流充电桩HYC50。该产品是此功率范围内首款壁挂式直流充电桩，具有两个充电端口，能以50 kW的充电功率为电动汽车快速充电，或以25 kW的充电功率同时给两辆电动汽车进行充电。该产品通过采用英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)的EasyPACK™ CoolSiC™ MOSFET 1B和2B模块以及EiceDRIVER™ X3驱动器，实现了上述功能。
【2025年1月22日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出基于Arm® Cortex®-M33的最新高性能微控制器（MCU）系列PSOC™ Control。在ModusToolbox™系统设计工具和软件的支持下，这款综合全面的解决方案使开发人员能够轻松创建高性能、高效率且安全的电机控制和功率转换系统。PSOC™ Control C3分为入门级和主流级产品，提供了兼具扩展性与兼容性的各种性能、功能和存储选项。电机控制专用MCU（C3M）和功率转换专用MCU（C3P）可满足重点应用的需求，例如：家用电器、工业驱动器、机器人、轻型电动车（LEV）、太阳能和HVAC系统。
【2024年1月11日，德国慕尼黑和美国拉斯维加斯讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）与极光实验室（Aurora Labs，以下同）在CES 2024上发布了一套全新的人工智能（AI）解决方案，可提高转向、制动、安全气囊等关键汽车部件的长期可靠性与安全性。两家公司联手打造的解决方案将Aurora Labs屡获殊荣的Line-of-Code Intelligence™ （LOCI） AI技术运用在英飞凌的32位TriCore™ AURIX™ TC4x系列微控制器（MCU）上，助力汽车制造商生产更加安全可靠的汽车，提升汽车整个生命周期内的性能。
【2025年5月6日, 德国慕尼黑讯】为推动下一代固态配电系统的发展，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出了新型CoolSiC™ JFET产品系列。新系列产品拥有极低的导通损耗、出色的关断能力和高可靠性，使其成为先进固态保护与配电系统的理想之选。凭借强大的短路能力、线性模式下的热稳定性以及精确的过压控制，CoolSiC™ JFET可在各种工业和汽车应用中实现可靠且高效的系统性能，包括固态断路器（SSCB）、AI数据中心热插拔模块、电子熔断器、电机软启动器、工业安全继电器以及汽车电池隔离开关等。
【2022年 9 月 22 日，德国慕尼黑讯】在提高高压电源的性能、效率和可靠性的同时，也需要减少元器件的数量和BOM(材料清单)成本,并降低所需的设计工作量。为了满足这些需求，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出第五代固定频率（FF）CoolSET™ rId12，旨在提供合适的关键器件，以优化设计。英飞凌全新的800V和950V AC-DC集成式功率级（IPS）产品均采用DIP-7封装，可满足家用电器辅助电源、AC-DC转换器、电池充电器、太阳能系统以及电机控制和驱动等应用的需求。
【2023 年 5 月 8 日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）近日推出一款新型汽车功率模块——HybridPACK™ Drive G2。该模块传承了成熟的 HybridPACK Drive G1 集成 B6 封装概念，在相同尺寸下提供可扩展性，并扩展至更高的功率和易用性。HybridPACK Drive G2 系列具有不同的额定电流和电压等级（750 V和1200 V），并使用了英飞凌的下一代芯片技术 EDT3（硅 IGBT）和 CoolSiC™ G2 MOSFET。
继发布BTN89xx获得成功之后，英飞凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）再次推出了全新的MOTIX™ BTN99xx（NovalithIC™+）系列智能半桥驱动集成芯片。
【2025年12月3日, 德国慕尼黑讯】美国国际贸易委员会(ITC)裁定英诺赛科侵犯了英飞凌科技股份公司(FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY)拥有的一项氮化镓(GaN)技术专利。此外，在初步裁定中，美国国际贸易委员会确认，英飞凌在向该委员会提起的诉讼中所主张的两项专利皆具有法律效力。本案的核心在于英诺赛科未经授权使用英飞凌受专利保护的GaN技术。委员会最终裁决预计将于2026年4月2日发布，若这项初步裁决最终获得确认，将导致英诺赛科涉嫌侵权的产品被禁止进口至美国。
过去数十年，各种能源法规都强调了制造节能型产品的重要性。这大大促进了节能降耗[1]。此外，这些法规和标准为利用诸如SiC MOSFET等新技术优异的特性，设计出更富创新性的家用电器铺平了道路[2]。采用这些技术有助于制造商获得最高能效等级认证。
英飞凌科技股份公司旗下的Infineon Technologies LLC宣布推出第二代非易失性静态RAM(nvSRAM)。
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