英飞凌科技举办以“从创新到价值”为主题的2026年度媒体日活动。英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁、消费计算与通讯业务大中华区负责人潘大伟携核心管理层团队，系统阐述企业创新布局及本土化成果，并重磅宣布英飞凌创新空间在上海正式启用，依托本土创新体系，深化在华全产业链布局，践行可持续发展战略。
【2026年6月19日，德国慕尼黑讯】德国慕尼黑地方法院（Landgericht München I）于当地时间6月18日就英飞凌科技与英诺赛科之间涉及氮化镓（GaN）技术的两项进一步专利侵权案件作出判决（分别基于一项专利及一项实用新型），均裁定英飞凌胜诉。
【2026年6月17日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出了专为纯电动汽车(BEV)牵引逆变器设计的全新增强型隔离式栅极驱动IC产品系列：EiceDRIVER™ 1EDI3040AS和1EDI3041AS。该系列同时支持IGBT和碳化硅(SiC)MOSFET，相比市面上常见的解决方案，可让特定功率级释放出更多可用性能，并将丰富的功能集成于单个栅极驱动IC之中。这有助于整车厂(OEM)和一级供应商(Tier-1)减少所需的外部元件数量并降低逆变器控制电子设备的物料清单(BOM)成本。
【2026 年 6 月 16 日，德国慕尼黑讯】汽车和工业应用中的功率转换架构正在快速演进，对开关拓扑、热管理和系统集成提出了新的要求。为满足这些要求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出顶部散热封装系列新产品H-DPAK，搭载采用750V CoolSiC™ G2技术的集成半桥(HB)器件。750V CoolSiC™ G2可提供现代电网和能源系统所需的可靠性裕量。H-DPAK将完整的单向半桥功率级集成在单一封装内，采用优化漏极焊盘的分列式引线框架设计既增强了热扩散能力，又能确保在高密度大功率电路板布局中满足电气间隙要求;同时其高度沿用英飞凌成熟的Q-DPAK和TOLT产品使用的行业标准2.3mm，可实现电路板级的无缝集成
【2026年6月15日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出基于成熟可靠750V CoolSiC™ G2技术平台打造的碳化硅(SiC)双向开关(BDS)。该产品采用垂直集成双芯片共漏极设计，采用顶部散热Q-DPAK封装，将两个功率开关整合到同一器件中，既简化了系统设计，也实现了传统拓扑革新。750V CoolSiC™ BDS可提供现代电网和能源系统所需的可靠性裕量，能够在应用的这个生命周期内实现极低的总体拥有成本。
【2026年6月12日，德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)在其成熟的XENSIV™磁传感器产品组合基础上，推出了隧道磁阻(TMR)传感器产品系列。该系统作为对公司既有霍尔(Hall)、巨磁阻(GMR)和各向异性磁阻(AMR)传感方案的补充，进一步拓展了磁传感领域独特能力。其具备出色的灵敏度和高信噪比(SNR)，搭配小体积磁体也可准确获取参数、实现可靠传感，且不受带宽限制;即使在更大气隙、更高机械公差的条件下，依然能保持稳定性能。因此TMR传感器非常适合游戏、人机交互(HMI)、健康及生活方式类可穿戴设备的低功耗位置传感，同时也适用于汽车及工业应用的位置与电流传感。
【2026 年 6 月 11 日，德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出三款CoolSET™ 系统级封装(SiP)新型号：ICE188LM、ICE189LM 和 ICE180LM，进一步扩展其支持的输出功率范围，助力白色家电制造商满足日益严苛的欧盟能效及待机功耗法规要求。CoolSET™ SiP将高压MOSFET、一次侧PWM控制器、二次侧同步整流(SR)控制器、增强型电气隔离以及全面保护功能集成在单一封装中。这种高度集成化设计可减少系统损耗、降低元器件用量，并简化家电(功率最高150W)节能辅助电源的设计。
【2026年6月10日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)近日宣布推出 EiceDRIVER™ 2EDL90xG3。这是一款120 V，兼容硅(Si)和氮化镓(GaN)器件的驱动芯片。随着AI数据中心向更高的功率密度迈进，电源工程师会希望在不更改 PCB 的情况下，能够灵活地评估和比较硅与氮化镓方案。这对 HV/MV IBC 设计尤为重要。2EDL90xG3直接满足了这一需求。其独特的内置5 V 栅极钳位功能进一步简化了 GaN 栅极驱动电源的设计，从而实现与 Si 器件共 PCB。
【2026年6月9日, 德国慕尼黑讯】无论是在电动汽车车载充电，还是 AI 数据中心供电等应用环境中，在空间愈发受限的情况下，对更高功率密度解决方案的需求却持续增长。为了满足这一应用需求，英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)在 PCIM Europe 2026展会上，推出了用于紧凑型设计的功率模块及封装方案EasyPACK™ S。EasyPACK S的封装高度仅为 5.6 mm，占板面积约为 33 x 36 mm²，在确保可靠热性能与低电磁干扰的同时，显著助力系统小型化。首批采用这种新封装方式的模块集成了英飞凌的 1200 V CoolSiC™ MOSFET G2以及IGBT4 和1200 V IGBT7 等技术。
【2026年6月9日，德国慕尼黑讯】人工智能工作负载正在重新定义现代数据中心的电力需求。GPU功率水平的飙升以及更密集的机架配置，正将服务器电力基础设施推向极限。为了应对这些挑战，英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出了两款面向服务器ODM和OEM厂商的系统级解决方案：一款是针对50 V机架架构进行优化的18 kW三相电源模块(PSU)参考设计;另一款是专为800 VDC或±400 VDC电源侧柜(power sidecar)的机架架构设计的30 kW三相交错式T型PFC评估板。这两款解决方案均属于英飞凌广泛的AI服务器供电产品组合，旨在帮助客户缩短产品上市时间，同时实现更高的机架功率、更佳的效率和更优异的散热性能。
【2026年6月8日, 德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)正持续扩展其 CoolSiC™ JFET 产品组合，以满足AI 数据中心不断增长的需求，并积极响应电源保护技术向固态化发展的趋势。在此基础上，英飞凌为CoolSiC™ JFET 产品组合增添新的器件、封装选项和配置，旨在为高性能的供配电系统和用电保护系统提供支持。公司于去年推出的首批采用 Q-DPAK 封装的 750 V 和 1200 V CoolSiC™ JFET 器件现已进入量产阶段。
【2026年6月8日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)宣布推出一款 24 kW 电池备份单元(BBU)DC-DC 参考设计。其专为AI数据中心的高压直流母线架构而设计，是业内首款可直接在电池组与 800 V 直流母线之间运行的解决方案，采用了 650 V 和 1200 V 碳化硅(SiC)技术，在保持与现有低压BBU 相同物理外形尺寸的前提下，实现了 450 W/in³ 的功率密度以及超过 99% 的效率，有效解决了数据中心向更高电压直流配电转型过程中的关键基础设施瓶颈。
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