【2025年10月24日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)通过增加顶部散热(TSC)的TOLT封装及TO-247-3和TO-247-4封装扩展其CoolSiC™ 400V G2 MOSFET产品组合。此外，英飞凌还推出了三款额定电压为440V(连续)和455V(瞬态)的TOLL封装新产品。新的CoolSiC™ MOSFET具有更优的热性能、系统效率和功率密度。其专为满足高功率与计算密集型应用需求而设计，涵盖了AI服务器电源、光伏逆变器、不间断电源、D类音频放大器、电机驱动、固态断路器等领域。这款新产品可为这些关键系统提供所需的可靠性与性能。
【2025年10月22日, 德国慕尼黑讯】各行业高功耗应用的快速增长对功率电子技术提出了更高的要求，包括功率密度、效率和可靠性等。分立式功率MOSFET在这方面发挥着关键作用，而针对应用优化的设计思路为进一步提升已高度成熟的MOSFET技术带来了新的可能性。通过采用这种以具体应用场景为核心的设计理念，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出适用于工业与消费市场的OptiMOS™ 7功率MOSFET系列，进一步扩展其现有的OptiMOS™ 7汽车应用产品组合。新OptiMOS™ 7系列为各类工业与消费应用场景提供了理想的解决方案，其产品涵盖高性能开关、电机驱动、RDS(ON)优化等特定应用领域。
【2025年10月20日, 德国慕尼黑与荷兰阿姆斯特丹讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）为Thistle Technologies提供OPTIGA™ Trust M安全解决方案。该解决方案旨在为基于 Linux® 操作系统（OS）或微控制器的嵌入式计算产品的安全软件平台增强其针对设备端AI模型的新型加密保护功能。Thistle设备安全平台通过整合这一功能，并结合英飞凌OPTIGA™ Trust M安全解决方案作为防篡改硬件信任根，可全面保护部署于边缘AI应用中的AI模型知识产权（IP），以及这些模型所依据的训练数据。
【2025年10月17日, 德国慕尼黑讯】电动汽车充电、电池储能系统，以及商用、工程和农用车辆（CAV）等大功率应用场景，正推动市场对更高系统级功率密度与效率的需求，以满足日益提升的性能预期。同时，这些需求也带来了新的设计挑战，例如，如何在严苛环境条件下实现可靠运行、在应对瞬态过载时如何保持稳定性，以及如何优化整体系统性能。为应对这些挑战，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™ MOSFET 1400V G2系列。该器件支持更高的直流母线电压，可实现更优异的热性能、更小的系统尺寸，以及更高的可靠性。
【2025年10月17日, 德国慕尼黑与美国圣克拉拉讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)宣布为NVIDIA在2025年台北国际电脑展(Computex 2025)上发布的针对人工智能(AI)基础设施推出的800V直流(VDC)电源架构提供支持。随着AI的飞速增长，现有的54V数据中心电源基础设施已逐渐难以满足需求。集中式800V直流架构将能降低功耗、提升效率并增强可靠性。但这种新架构需要新的功率转换解决方案与安全机制，以防范潜在风险并避免因服务或维护等原因导致的高昂的服务器停机成本。
【2025年10月16日, 德国慕尼黑讯】在这个万物互联的世界中，边缘人工智能(Edge AI)正在重新定义人们的生活、工作与互动方式。为推动这一变革，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)为扩展其边缘AI产品组合正式推出DEEPCRAFT™ AI套件。这是一套涵盖了软件、工具和解决方案的完整产品组合，旨在帮助客户将AI无缝集成到其产品中，现在正式面世。DEEPCRAFT™解决方案针对英飞凌PSOC™ Edge微控制器进行了优化，使开发者能够充分运用英飞凌边缘AI生态系统，兼顾按需性能、能源效率设计与系统级优化。通过这个方案，英飞凌从早期概念和模型开发阶段，到能源高效硬件端部署阶段，为应用设计师在边缘AI开发工作的各个阶段提供全面的支持。
【2025年10月10日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)为环隆科技股份有限公司(UMEC)提供CoolGaN™功率晶体管，应用于其新型250 W网络以太网供电(PoE)适配器。英飞凌CoolGaN™晶体管具备极高的可靠性和卓越的性能，助力环隆科技开发更安全且高效节能的技术，以应对当今电力系统的多重挑战。这些解决方案广泛适用于电信、工业电子、医疗健康技术、消费电子等多个行业的电力电子应用。
【2025年9月25日，德国慕尼黑与日本京都讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（总部位于德国诺伊比贝格，以下简称“英飞凌”）今日宣布，与全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）就建立SiC功率器件封装合作机制签署了备忘录。双方旨在对应用于车载充电器、太阳能发电、储能系统及AI数据中心等领域的SiC功率器件封装展开合作，推动彼此成为SiC功率器件特定封装的第二供应商。未来，客户可同时从英飞凌与罗姆采购兼容封装的产品，既能灵活满足客户的各类应用需求，亦可轻松实现产品切换。此次合作将显著提升客户在设计与采购环节的便利性。
【2025年9月22日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)宣布扩展其 CoolSiC™ 650 V G2 系列 MOSFET产品组合，新增 75 mΩ 规格型号，以满足市场对更紧凑、更高功率密度系统的需求。该系列器件提供多种封装选择，包括 TOLL、ThinTOLL 8x8、TOLT、D2PAK、TO247-3及 TO247-4。得益于此，该产品组合可同时支持顶部冷却(TSC)与底部冷却(BSC)两种散热方案，为研发人员的设计提供了高度灵活性。此类器件非常适用于中高功率等级的开关模式电源(SMPS)，可广泛应用于多个领域，包括AI服务器、可再生能源系统、电动汽车及电动汽车充电桩、人形机器人充电、电视机以及各类驱动系统。
【2025年9月18日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)与金风科技股份有限公司近日宣布深化其合作，为风力发电实现稳定可靠的电力传输。英飞凌将为金风科技提供搭载.XT技术的XHP™ 2 1700 V IGBT5功率模块，提升金风科技GW 155-4.5 MW构网型风机的能源效率。英飞凌的功率模块凭借其高功率密度、高可靠性和高稳定性优势，确保风能系统长久运行。通过优化能源效率，这些模块有助于降低能源成本，并提升金风科技风机的盈利能力。
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