这些器件采用宽体SMD-8封装,CTI值为600,爬电距离和电气间隙≥ 11 mm,VIORM为1500 Vpeak,VIOWM为1060 VRMS
Level-5 ChipStack AI Super Agent 框架与 NVIDIA OpenShell 运行环境携手推动代理式 AI 在半导体开发中的安全落地
【2026年6月8日,美国加州圣何塞、台北讯】Super Micro Computer, Inc.(NASDAQ:SMCI)作为AI、企业、存储和5G/边缘领域的全方位解决方案与优化数据中心构建组件解决方案(Data Center Building Block Solutions®,DCBBS)供应商,宣布推出一系列搭载Arm® AGI CPU的AI解决方案。随着当今代理式AI(Agentic AI)的计算需求日益增长,企业数据中心需要全新的机柜级基础设施,以在有限的功率范围和部署空间内,实现计算性能最大化。Supermicro本次推出的全新解决方案,旨在支持代理式AI的快速扩展,并通过Supermicro的端到端DCBBS,提供卓越的性能、能效与计算密度,最大化机柜级部署的经济效益,进一步缩短设备上线时间(Time-to-Online)。
Jun. 8, 2026 ---- 随着全球卫星宽带、手机直连卫星及AI运算需求快速成长,SpaceX未来IPO动向备受市场关注,TrendForce集邦咨询表示,SpaceX除持续扩大卫星宽带服务版图外,也积极布局手机直连卫星、AI太空运算及太空太阳能(Space-Based Solar Power, SBSP)等新兴领域,并通过扩建自有太空AI运算芯片厂Terafab,强化垂直整合能力,推动低轨卫星产业由通信服务迈向运算服务新阶段。随着卫星网络、AI基础设施与太空应用加速融合,全球太空经济正进入新一轮成长周期,预估2027年全球卫星产业产值将达4,470亿美元,年成长率达14%。
2026年6月8日,致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股旗下世平集团宣布,携手安森美(onsemi)成功举办“安森美10BASE-T1S ADB前照灯方案介绍”线上研讨会。本次研讨会聚焦车载以太网技术与智能照明融合趋势,深度拆解行业前沿方案,助力汽车照明产业抢抓软件定义汽车(Software Defined Vehicle,SDV)时代的升级机遇。
【2026年6月8日, 德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)正持续扩展其 CoolSiC™ JFET 产品组合,以满足AI 数据中心不断增长的需求,并积极响应电源保护技术向固态化发展的趋势。在此基础上,英飞凌为CoolSiC™ JFET 产品组合增添新的器件、封装选项和配置,旨在为高性能的供配电系统和用电保护系统提供支持。公司于去年推出的首批采用 Q-DPAK 封装的 750 V 和 1200 V CoolSiC™ JFET 器件现已进入量产阶段。
【2026年6月8日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)宣布推出一款 24 kW 电池备份单元(BBU)DC-DC 参考设计。其专为AI数据中心的高压直流母线架构而设计,是业内首款可直接在电池组与 800 V 直流母线之间运行的解决方案,采用了 650 V 和 1200 V 碳化硅(SiC)技术,在保持与现有低压BBU 相同物理外形尺寸的前提下,实现了 450 W/in³ 的功率密度以及超过 99% 的效率,有效解决了数据中心向更高电压直流配电转型过程中的关键基础设施瓶颈。
中国PCB制造业的AI应用普及率位居前列,行业协同成为规模化落地的关键支撑
聚焦先进工艺、智能制造与可持续发展,共探电子产业新周期
在本届Computex开幕的第二日,恩智浦半导体总裁兼CEO Rafael Sotomayor在台北南港国际会展中心发表主题演讲,以一个引人深思的问题贯穿全场:"对于机器而言,什么才是'精英'?"并以几天后即将开幕的世界杯作为开场比喻,引出恩智浦对物理人工智能架构的系统性思考。
双总裁同台共话品质消费新未来——西门子家电携手天猫打造618沉浸式直播新样本
这些紧凑型器件可提供高达5.0 A的维持电流、低至50 ms的快速响应时间以及低至5 mW的电阻,包括六种紧凑型封装尺寸
【2026年6月5日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)在电动汽车逆变器功率模块领域达成了全新里程碑:正式推出 HybridPACK™ Drive 系列的一款全新 1300 V 碳化硅(SiC)模块,该模块能够在高达 205°C 的温度下持续运行。市面上现有的同类设计通常最高仅允许在 175°C 下运行。这一温度的提升使汽车制造商(OEM)和一级供应商(Tier 1)能够从现有的逆变器设计中获得更高的峰值和持续输出功率,也可在全新的设计中降低系统复杂度和整体成本。
2026 年 6月 4 日,中国—— 意法半导体推出STDRIVE102新系列三相无刷电机栅极驱动芯片,新产品 STDRIVE102P与 STDRIVE102BP 集成SPI串行外设接口,简化栅极电流及各项参数的配置。
700V PowerGaN功率器件提升能效,缩减电源设计体积,适用于AI服务器、机器人、工业设备,以及家电等高端消费类产品