厂商动态
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米尔STM32MP25x开发板Bring Up培训课程(二)
本文将以 MYIR 的 MYC-LD25X 核心模块及MYD-LD25X开发平台为例，讲解如何使用 STM32CubeMX 来实现Developer package最小系统和外设资源的配置。
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米尔STM32MP25x开发板Bring Up培训课程(一)
本文将以 MYIR 的 MYC-LD25X 核心模块及MYD-LD25X开发平台为例，讲解如何使用 STM32CubeMX 来实现Developer package最小系统和外设资源的配置。
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利用4200A-SCS参数分析仪研究光伏材料和太阳能电池的电学特性
4200A-SCS参数分析仪可简化这些电气测量过程，集成直流和快速I-V、C-V测量功能，具备控制软件、图形绘制和数学分析能力。它适用于多种测量，包括直流/脉冲I-V、C-V、C-f、驱动级电容分析(DLCP)、四探针电阻率和霍尔电压测量。本应用说明描述了如何使用4200A-SCS对光伏电池进行这些电测量。
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非常见问题解答第227期：使用IO-Link收发器管理数据链路如何简化微控制器选择
IO-link从站微控制器需要同时执行多项任务，因此可能难以在可接受的指定时间窗口内响应请求。在执行微控制器不能中断的任务时尤其如此。解决此时序挑战的一个典型解决方案是使用第二个微控制器来管理IO-Link堆栈，从而在IO-Link从站和IO-Link主站之间保持更稳定的响应时间间隔。然而，该方法的效率极低，因为其功耗更高且需要更大的PCB，因此需要更大的传感器外壳。一个更好的替代方案是使用能够在通信路径中管理数据链路和物理层的收发器。通过使用该收发器，从站微控制器无需再执行此任务，设计人员能够设计出更小巧、更复杂、功能更强大且具有成本效益的工业现场仪器。
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自动测试设备应用中PhotoMOS开关的替代方案
本文提出，CMOS开关可以取代自动测试设备(ATE)厂商使用的PhotoMOS®开关。CMOS开关的电容乘电阻(CxR)性能可以与PhotoMOS相媲美，且其导通速度、可靠性和可扩展性的表现也很出色，契合了先进内存测试时代ATE厂商不断升级的需求。
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TekHSI：开启示波器数据传输的高速时代
本文将深入探讨TekHSI的技术优势、与现有工具（如TekScope和Python）的集成应用，以及它如何为工程师和研究人员提供更高效、更智能的解决方案。
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使用MSO 5/6内置AWG进行功率半导体器件的双脉冲测试
SiC器件的快速开关特性包括高频率，要求测量信号的精度至少达到100MHz或更高带宽 (BW)，这需要使用额定500MHz或更高频率的示波器和探头。在本文中，宽禁带功率器件供应商Qorvo与Tektronix合作，基于实际的SiC被测器件 (DUT)，描述了实用的解决方案。
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大电流、高性能降压-升压稳压器
新器件如何相比上一代大电流降压-升压型µModule稳压器实现更高的能效比和更好的热性能。
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学子专区 - ADALM2000实验：多相滤波电路
本实验活动的目标是研究多相滤波器作为正交信号生成技术，并生成差分可调谐放大器，去创建一个多相放大器或者滤波器，能够生成输入信号源的四个正交相位（即以90°为增量的相位）。
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利用高性能电压监控器提高工业功能安全合规性——第1部分
高性能电压监控器具有集成的安全功能，可提高系统性能，以满足IEC 61508功能安全标准关于定量可靠性、架构约束和系统安全完整性的要求，从而帮助系统符合该标准。
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当过压持续较长时间时，使用开关浪涌抑制器
在工业电子设备中，过压保护是确保设备可靠运行的重要环节。本文将探讨如何使用开关浪涌抑制器替代传统的线性浪涌抑制器，以应对长时间的过压情况。与传统线性浪涌抑制器不同，开关浪涌抑制器能够在持续浪涌的情况下保持负载正常运行，而传统线性浪涌抑制器则需要在电源路径中的MOSFET散热超过其处理能力时切断电流。
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学子专区 - ADALM2000实验：包络检波器
本实验活动使用ADALM2000和Scopy介绍包络检测和幅度调制。信号的包络相当于其轮廓，包络检波器连接该信号中的所有峰值。包络检测在信号处理和通信领域应用广泛，幅度调制(AM)检测便是其中一个应用。
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气相色谱传感器解决环境监测需求
本文概述了用于环境质量监测的气相色谱传感器系统的工作原理及其关键组件。文中将介绍气相色谱法如何精确地分析与水和土壤污染相关的化合物，探讨气相色谱系统的主要组成部分，包括进气口、温度控制装置、检测器和电源子系统。此外，我们还将提供低噪声放大器、模数转换器(ADC)、基准电压和电源管理IC方面的建议，以实现高精度的测量。
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带耦合电感的多相降压转换器中关于输出电流和电压纹波的考量因素
多相耦合电感器是一项很有前景的技术，由于每个耦合相内的电流纹波得到消除，为系统带来了显著的优势。而令人意想不到的是，无论是耦合电感器还是非耦合电感器，多相降压转换器的总输出电流纹波都是相同的。本文重点探讨输出电流纹波的考量因素，以及影响输出电压纹波和整体转换器性能的具体细节。
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非常见问题解答第225期：原来为硅MOSFET设计的DC-DC控制器能否用来驱动GaNFET？
众所周知，GaNFET比较难驱动，如果使用原本用于驱动硅(Si) MOSFET的驱动器，可能需要额外增加保护元件。适当选择正确的驱动电压和一些小型保护电路，可以为四开关降压-升压控制器提供安全、一体化、高频率GaN驱动。
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